제52회 상공의 날 기념 행사에서 대통령 표창을 받은 SK하이닉스 장태수 부사장(미래기술연구원 산하 담당)

SK하이닉스 장태수 부사장(미래기술연구원 산하 담당)이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소(이하 대한상의)에서 열린 ‘제52회 상공의 날’ 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 회사는 밝혔다.

상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일로, 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체 등을 대상으로 시상식이 열린다.

이날 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c)* 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다고 SK하이닉스는 말했다.

뉴스룸은 SK하이닉스 방승현, 최수형 앰버서더와 함께 장 부사장을 만나 수상 소감과 향후 계획을 자세히 들어봤다.

“파급력 높은 1c DDR5 D램 개발, 모든 구성원 합심한 성과”

대통령 표창의 영예를 안은 장태수 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.

특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장(Saddle) 모양의 FinFET*인 Saddle-Fin 구조를 개발, D램 셀(Cell) 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 훗날, 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산되며 업계 표준으로 자리 잡았다.

‘1c D램 개발 TF’에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다[관련기사]. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다.

수상 소감을 묻는 최수형 앰버서더의 질문에 장 부사장은 “모두가 함께 이룬 성과”라며 구성원들에게 공을 돌렸다.

“선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과입니다. 제가 모두를 대신해서 상을 받았다고 생각합니다. 이번 수상을 위해 물심양면 지원해 주신 선후배 구성원과 가족들에게 감사 인사를 전합니다.”

“D램 기술 주도권 확보, 초기 수요 선점 기대해”

이번 성과가 의미 있는 이유를 방승현 앰버서더가 묻자 장 부사장은 “세계 최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했기 때문”이라고 설명했다.

▲ (첫 번째 사진) 장태수 부사장(오른쪽)을 인터뷰하고 있는 방승현(가운데), 최수형(왼쪽) SK하이닉스 앰버서더

“메모리의 경우 최소 회로 선폭 기술을 통해 고성능 제품을 구현할 수 있는데요. 이 기술을 가장 먼저 개발하는 것은 중요한 의미를 갖습니다. 초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻을 수 있기 때문입니다. 동일 면적의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 확보 가능합니다. 이번 1c DDR5 D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것입니다.”

아울러 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 HBM 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 내다봤다.

“D램 셀 크기를 줄이면, 동일 규격의 실리콘 안에 더 많은 D램 셀을 배치할 수 있는데요. 규격이 정해진 HBM의 칩 크기 및 높이를 유지하면서 용량을 높일 수 있다는 이야기죠. 또한, 셀 크기가 작아져 여유 공간이 생기므로 HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수도 있습니다. 미세화를 통해 작아진 칩과 감소된 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 냅니다. 이를 토대로 완성된 HBM은 AI 산업 발전을 가속화할 것으로 예상합니다.”

“실패를 공유해 성장하는 조직… 차세대 기술에서도 1등 리더십 보여줄 것”

시장을 선도하는 혁신의 원동력을 묻는 최수형 앰버서더의 질문에 장 부사장은 “원팀(One Team) 문화를 조성하고 실패를 공유하며 기술 한계를 돌파하는 리더십”이라고 말했다.

“하나된 소통을 통해 서로의 실패를 공유하고 그것을 교훈 삼아 성장하는 문화를 조직에 내재화했습니다. 1c DDR5 D램은 이 문화 속에서 완성될 수 있었다고 생각합니다.”

장 부사장은 “앞으로 마주할 수많은 어려움 속에서도 자신감을 잃지 말고 힘을 합친다면 반드시 값진 성과로 돌아올 것으로 믿는다”며 “원팀과 실패 공유의 문화를 지속해서 실천하는 것이 중요하다”고 강조했다. 아울러 장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다.

“데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율* 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있습니다. 또, 데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중입니다. 이밖에 새로운 소재를 개발해 셀과 셀이 가까워지면서 발생하는 간섭 현상을 개선하는 등 다양한 노력을 펼치고 있죠. 앞으로도 지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 1등 위상을 공고히 하는 데 최선을 다할 것입니다.”

SK하이닉스가 3월 17일부터 21일(현지 시간)까지 미국 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 열리는 ‘GTC(GPU Technology Conference) 2025’[관련링크]에 참가해, AI 시대를 선도하는 메모리 기술을 선보였다.

GTC는 엔비디아(NVIDIA)가 매년 개최하는 세계 최대 AI 전문 콘퍼런스다. 올해는 ‘What’s Next in AI Starts Here’라는 슬로건 아래 약 1,000개 이상의 세션과 300개 이상의 전시가 진행됐으며, AI 관련 최신 기술과 솔루션이 공유됐다.

▲ GTC 2025 행사장 내부 SK하이닉스 전시 부스

이번 행사에서 SK하이닉스는 ‘Memory, Powering AI and Tomorrow(메모리가 불러올 AI의 내일)’라는 주제로 전시 부스를 운영하며 ▲AI/DC(Data Center) ▲HBM* ▲온디바이스(On-Device) ▲오토모티브(Automotive) 등 네 가지 주요 영역에서 AI 혁신을 가속하는 메모리 제품들을 소개했다. 특히, HBM 섹션에서는 현재 개발 중인 HBM4 12단 모형을 공개하며 압도적인 기술 우위를 선보였다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨

▲ GTC 2025 행사장 내 SK하이닉스 전시 부스(AI/DC 섹션)

AI/DC 섹션에는 대규모 데이터 처리와 저장에 최적화된 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD) ▲PEB110 ▲PS1010 ▲PE9010 등과 데이터센터용 DIMM* 제품인 ▲DDR5 RDIMM과 ▲MRDIMM, 세계 최고 사양의 그래픽 메모리 ▲GDDR7이 전시됐다. 또한, DDR5 기반의 CXL* 제품인 ▲CMM-DDR5과 AI 서버용 저전력 D램 모듈인 ▲SOCAMM* 등 차세대 AI 메모리도 함께 선보여 눈길을 끌었다. 회사는 LPDDR5X와 서버용 메모리 시장에서의 경쟁력을 바탕으로 SOCAMM 시장이 개화하는 시기에 맞춰 양산을 시작해 AI 메모리 포트폴리오를 확대해 나갈 계획이다.

* DIMM(Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합한 모듈
* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있음
* SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module): 기존의 서버용 메모리 모듈보다 더 작은 폼팩터를 가지면서 전력 효율이 높은 LPDDR5X 기반 차세대 메모리 모듈

HBM 섹션에서 가장 주목받은 제품은 단연 HBM4였다. 이번 행사에서 처음 공개된 SK하이닉스의 HBM4는 베이스 다이(Base Die) 성능을 대폭 개선하고, 전력 소모를 획기적으로 줄이는 방향으로 개발 중이다. 회사는 AI 메모리 솔루션인 HBM4를 선보이며 업계 선도적 위치를 더욱 공고히 할 것이라고 설명했다. 또한, 현존 최고 성능과 용량을 갖춘 HBM3E 12단 제품[관련기사]과 엔비디아의 ‘GB200 그레이스 블랙웰 슈퍼칩(GB200 Grace Blackwell Superchip)’을 함께 전시해 시장에서의 경쟁 우위를 증명했다.

▲ GTC 2025 행사장 내부 SK하이닉스 전시 부스(온디바이스 섹션)

온디바이스 섹션에는 디바이스 자체에서 데이터 처리와 AI 연산을 수행할 수 있도록 최적화된 ▲LPDDR6 ▲LPCAMM2 ▲PCB01 ▲ZUFS 4.0 등의 고성능·저전력 메모리 솔루션들이 소개됐다.

▲ GTC 2025 행사장 내부 SK하이닉스 전시 부스(오토모티브 섹션)

오토모티브 섹션에서는 ▲HBM2E ▲LPDDR5 ▲UFS 3.1 ▲Gen4 SSD 등의 차량용 메모리 솔루션을 선보이며, 자율주행 및 미래 모빌리티 시대를 앞당길 혁신 기술을 제시했다.

이번 행사에서는 오프라인 전시 부스와 함께 온라인 방문객들을 위한 버추얼 부스(Virtual Booth)도 마련됐다. [관련링크] 회사는 지난해 성과와 함께 서버 솔루션, PS1012, GDDR7, CMM-DDR5 등의 주요 제품 정보를 웹 브로슈어로 제공하고, HBM, 1c DDR5*, Automotive 등의 혁신 솔루션을 소개하는 영상을 공개해 방문객들이 SK하이닉스의 지속적인 기술 리더십을 확인할 수 있게 했다.

* 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램. 10나노급 D램 공정 기술은 1x-1y-1z-1a-1b 순으로 개발돼 1c는 6세대다. 2024년 8월 SK하이닉스가 세계 최초로 개발에 성공했다.

▲ AI시대 HBM의 중요성에 대해 발표 중인 박정수 TL(HBM상품기획)

회사는 전시 외에도 발표 세션을 통해 업계 관계자들과 인사이트를 공유했다. 박정수 TL(HBM상품기획)은 ‘High-Bandwidth Memory: Backbone of High Performance Computing and AI(HBM: 고성능 컴퓨팅 및 AI의 핵심)’라는 주제로 발표를 진행하며, HBM 기술의 발전과 SK하이닉스의 독보적인 리더십을 강조했다.

▲ SK하이닉스의 차량용 메모리에 대해 발표 중인 김기홍 TL(Mobility사업)

김기홍 TL(Mobility사업)은 온라인 세션을 통해 ‘Preparing for the Future: Automotive Memory and Storage requirements(미래 전략: 차량용 메모리 및 스토리지 요구 사항)’라는 주제로 자동차 산업에서의 메모리 및 스토리지 특성과 SK하이닉스의 전략을 소개했다.

SK하이닉스는 “AI 기술이 급속도로 발전하는 가운데, 메모리 솔루션의 중요성도 더욱 커지고 있다”며, “이번 GTC 2025에서 AI 시대를 위한 최적의 메모리 솔루션을 선보이며 원팀 파트너십을 바탕으로 글로벌 AI 기업들과의 협력을 더욱 강화할 것”이라고 밝혔다.

SK하이닉스가 1월 7일(이하 현지시간)부터 10일까지 나흘간 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 IT/가전제품 전시회 ‘CES 2025(Consumer Electronics Show 2025)’에 참가했다.

올해 CES는 ‘연결하고, 해결하며, 발견하라: 뛰어들다(Connect, Solve, Discover: DIVE IN)’를 주제로 개최됐으며, 전 세계 글로벌 ICT 기업들의 기술력을 엿볼 수 있는 다양한 전시가 진행됐다.

SK하이닉스는 SK멤버사*와 함께 ‘혁신적인 AI 기술로 지속가능한 미래를 만든다(Innovative AI, Sustainable tomorrow)’를 주제로 전시관을 꾸미고, 지속가능한 미래를 위한 다양한 AI 메모리 기술력을 선보이며, SK의 미래 비전을 제시했다.

놀라운 기술력으로 CES 2025를 빛낸 SK 전시관(이하 SK관)을 함께 살펴보자.

* SK하이닉스, SK텔레콤, SKC, SK엔무브 등

지속가능한 미래, AI로 그리다

‘AI’와 ‘지속가능성’을 핵심 테마로 590여 평 규모의 전시관을 꾸민 SK는 AI 기술력을 활용해 개인의 생활과 공공 분야 서비스를 혁신하는 인프라 구축 모델을 선보이며, 지속가능한 미래를 만들겠다는 의지를 전시에 담아냈다.

SK관은 크게 ▲AI 데이터센터(Data Center, DC) ▲AI 서비스(Service) ▲AI 생태계(Eco-system)로 파트를 구성했다. 각 파트에서는 SK멤버사들의 최신 AI 기술과 AI를 활용한 다양한 서비스 및 시스템 등을 확인할 수 있었다.

SK관 외부에는 데이터의 최소 단위인 비트(bit)를 파도(Wave)처럼 형상화한 그래픽을 구현해 관람객들의 발길을 끌어모았다. 여기에는 데이터와 ICT 기술이 세상을 바꾸는 파도가 될 것이라는 의미를 담았다.

또한, AI 시대에서 핵심적인 역할을 하게 될 데이터센터를 형상화한 전시관에는 SK하이닉스의 AI 메모리 반도체를 비롯해 더욱 효율적이고 안정적인 데이터센터 운영을 위한 AI 솔루션들을 확인할 수 있었다.

우리가 일상생활에서 활용할 수 있는 다양한 AI 서비스와 함께, AI 전문 회사인 가우스랩스[관련기사]를 비롯해, SK멤버사들과 지속적인 협력 관계를 맺고 있는 글로벌 AI 파트너사(SGH, 람다, 앤트로픽, 퍼플렉시티 등)의 소식을 함께 전하기도 했다.

SK관을 방문한 관람객들은 “AI 구현을 위한 데이터센터 혁신 기술뿐만 아니라 AI 활용 방안 등에 대한 자세한 내용을 확인할 수 있어 유익했다”고 소감을 밝혔다.

혁신적인 AI 기술력 선보인 SK하이닉스

SK하이닉스는 이번 CES 2025에서 ▲AI 데이터센터와 ▲AI 서비스 파트에 최신 AI 메모리 반도체 제품을 전시했다. 회사는 이와 관련해 “AI를 활용해 지속가능한 미래를 실현하려는 SK의 비전에 적극 동참하며, 이번에 전시된 혁신적인 AI 메모리 반도체 제품들은 SK의 비전을 실현하는 데 큰 도움이 될 것”이라고 밝혔다.

1. 압도적 성능의 AI 메모리 반도체, 데이터센터를 혁신하다

AI 데이터센터 전시관에서 가장 먼저 눈길을 끄는 제품은 기업용 SSD(Enterprise SSD, 이하 eSSD)다. 대규모 데이터 처리와 저장에 최적화된 eSSD는 데이터센터의 핵심 구성요소로 최근, 데이터양이 기하급수적으로 증가하면서 중요성이 더 부각되고 있다.

▲ AI 데이터센터 전시관에 전시된 SK하이닉스와 솔리다임의 eSSD 제품군

▲ AI 데이터센터 전시관에 전시된 SK하이닉스와 솔리다임의 eSSD 제품군

▲ AI 데이터센터 전시관에 전시된 SK하이닉스와 솔리다임의 eSSD 제품군

▲ AI 데이터센터 전시관에 전시된 SK하이닉스와 솔리다임의 eSSD 제품군

▲ AI 데이터센터 전시관에 전시된 SK하이닉스와 솔리다임의 eSSD 제품군

▲ AI 데이터센터 전시관에 전시된 SK하이닉스와 솔리다임의 eSSD 제품군

이에, SK하이닉스는 176단 4D 낸드플래시(NAND Flash, 이하 낸드) 기반의 데이터센터 eSSD인 ▲PS1010 E3.S를 비롯해 ▲PE9010 M.2, 238단 4D 낸드 기반의 ▲PEB110 E1.S, QLC* 기반 61TB(테라바이트) 제품인 ▲PS1012 U.2* 등 압도적인 성능의 eSSD 제품을 선보였다.

* 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음
* U.2: SSD의 형태를 칭하는 폼팩터(FormFactor)의 일종으로 2.5인치 크기의 SSD로 주로 서버나 고성능 워크스테이션(Workstation)에서 사용됨. 대용량 저장과 높은 내구성이 특징

여기에는 자회사 솔리다임(Solidigm)이 작년 11월 개발한 ▲D5-P5336 122TB 제품도 포함됐다. 이 제품은 현존 최대 용량을 자랑하며, 높은 수준의 공간 및 전력 효율성까지 갖춰 AI 데이터센터 고객들로부터 큰 관심을 받았다.

▲ SK 전시관에 전시된 HBM3E 16단 제품

▲ SK 전시관에 전시된 HBM3E 16단 제품

▲ 엔비디아(NVIDIA)의 GB200에 적용된 HBM3E

고도화된 AI 구현을 지원하는 대용량 메모리 제품도 소개했다. SK하이닉스는 최근 AI 메모리 제품으로 많은 관심을 받는 HBM*의 최신 제품인 ▲16단 HBM3E를 공개했다. 이 제품은 1.2TB 이상의 대역폭과 48GB(기가바이트)의 용량을 갖춘 현존 최고 사양의 HBM으로 업계 관계자와 관람객으로부터 큰 관심과 호응을 얻었다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됨. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전

▲ GDDR6-AiM과 AiMX

이와 함께, 데이터센터용 DIMM* 제품군인 ▲DDR5 RDIMM과 ▲MRDIMM* 등도 선보였다. 2024년, SK하이닉스는 업계 최초로 10nm 공정의 6세대 기술(1cnm)을 기반으로 한 DDR5를 개발했으며, 이 기술이 적용된 DDR5 RDIMM은 기존 제품 대비 동작 속도는 11%, 전력 효율은 9% 향상된 제품이다.

* DIMM(Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합한 모듈
* MRDIMM(Multiplexer Ranks Dual In-line Memory Module): DIMM 제품 중에서도, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품

▲ CMM-DDR5와 CMM-Ax

▲ CMM-DDR5와 CMM-Ax

차세대 인터페이스로 주목받는 DDR5 기반의 CXL* 제품으로 최대 128GB의 개별 용량과 초당 35GB의 대역폭을 자랑하는 ▲CMM-DDR5* 역시 큰 관심을 받았다. 부스에서는 카드 형태의 CXL 메모리 제품인 ▲CMM-Ax의 모습도 확인할 수 있었다. CMM-Ax는 내부에 NMP(Near Memory Processing) 장치를 탑재해 연산 기능을 더한 제품으로, 최대 512GB 용량과 초당 76.8GB 대역폭의 압도적인 성능을 보인다.

* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있음
* CMM-DDR5: CXL 기술을 적용한 DDR5 기반 메모리 모듈로, 기존 대비 대역폭을 50% 확장하고 메모리 용량을 두 배로 늘려 고성능 컴퓨팅(HPC)과 AI 응용에서 탁월한 성능을 발휘함. SK하이닉스의 CMM-DDR5는 AI 추론 및 인메모리 데이터베이스(DB) 환경에서 데이터 접근 속도와 자원 활용을 최적화해 데이터 처리 효율을 크게 높임

▲ GDDR6-AiM과 AiMX

부스에서는 PIM* 제품군 역시 찾아볼 수 있었다. 초당 16Gb(기가비트)의 속도로 데이터를 처리하는 GDDR6에 연산기능을 더한 ▲GDDR6-AiM은 CPU/GPU와 함께 사용할 경우, 특정 조건에서 연산 속도가 최대 16배 이상 빨라지는 제품이다. 또한 가속기 카드 제품인 ▲AiMX*를 전시하며, AI 데이터센터를 혁신하는 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로서의 면모를 뽐냈다.

* PIM(Processing-In-Memory): 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀 수 있는 차세대 기술
* AiMX(AiM based Accelerator): GDDR6-AiM 칩을 사용해 대규모 언어 모델(Large Language Model, 대량의 텍스트 데이터로 학습하는 인공지능으로 챗GPT가 이에 해당)에 특화된 SK하이닉스의 가속기 카드 제품

2. 일상 속 AI의 발견, ‘온디바이스 AI’

SK하이닉스는 데이터센터용 AI 메모리 제품에 이어 일상에서 사용하는 디바이스에 최적화된 온디바이스 AI* 제품들도 선보였다. LPCAMM2, ZUFS 4.0, PCB01 등 혁신적인 제품들은 전시 내내 많은 관람객의 이목을 끌었다.

* 온디바이스(On-Device) AI: 물리적으로 떨어진 서버의 연산을 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술. 스마트폰 기기가 자체적으로 정보를 수집하고 연산하기 때문에 AI 기능의 반응 속도가 빨라지고 사용자 맞춤형 AI 서비스 기능도 강화되는 장점이 있음

▲ LPCAMM2

▲ LPCAMM2

먼저, 저전력, 고성능, 모듈 방식으로 구현한 ▲LPCAMM2*는 여러 개의 LPDDR5X*를 하나로 묶은 모듈로 기존 SODIMM* 두 개를 하나로 대체하는 성능을 제공한다. 저전력 특성에 더해, 공간 절약까지 가능해 최근 온디바이스 AI 제품으로 주목받고 있다.

* LPCAMM2(Low-Power Compression Attached Memory Module): 데스크톱/노트북/태블릿용 메모리를 차세대 모듈 규격(CAMM)에 맞춰 개발한 제품. 기존 모듈 대비 단면 구성으로 두께가 반으로 줄고, 고용량 저전력의 특성을 지니고 있음
* LPDDR5X: 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압 동작 특성을 갖고 있음. 규격 명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전으로, 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품
* SODIMM(Small Outline DIMM): PC에서 사용되는 초소형 모듈로 전체 길이가 짧음

▲ ZUFS

▲ ZUFS

함께 전시된 ▲ZUFS* 4.0은 스마트폰에서 온디바이스 AI를 구현하는 데 최적화된 낸드 솔루션으로, 업계 최고 성능을 자랑한다. 기존 UFS와 달리, 데이터를 용도와 사용 빈도에 따라 다른 공간에 저장해 스마트폰 OS의 동작 속도와 저장 장치의 관리 효율성을 높인다는 특징이 있다. SK하이닉스는 이 제품 사용 시, 장시간 사용 환경에서 기존 UFS 대비 앱 실행 시간이 약 45% 개선되며, 성능 저하에 따른 제품 수명이 40% 늘어난 것을 확인했다.

* ZUFS(Zoned Universal Flash Storage): 디지털카메라, 휴대전화 등 전자제품에 사용되는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율이 향상된 제품

▲ PCB01

▲ PCB01

▲PCB01은 온디바이스 AI PC에 최적화된 고성능 PCIe 5세대 SSD 제품이다. 연속 읽기 속도는 초당 14GB, 연속 쓰기 속도는 초당 12GB로 업계 최고 수준의 속도를 자랑한다. 또한, 전력 효율 역시 이전 세대 대비 30% 이상 개선되며 대규모 AI 연산 작업의 안정성을 제공한다.

이처럼 SK하이닉스는 CES 2025를 통해 데이터센터와 온디바이스 AI를 포괄하는 다양한 제품을 선보이며 기술의 폭넓은 적용 가능성을 제시했다. 회사는 “CES 2025에서 선보인 압도적인 성능의 AI 메모리 제품들을 통해 명실공히 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더’의 면모를 선보였으며, AI 분야의 리더십을 확고히 다졌다”고 평가하며, “앞으로도 지속가능한 미래를 위해 AI 혁신을 지속적으로 추진할 것”이라고 밝혔다.

▲ SC 2024에 참여한 SK하이닉스 부스

SK하이닉스가 17일부터 22일까지(미국시간) 미국 조지아주 조지아 월드 콩그레스 센터(Georgia World Congress Center)에서 열린 ‘슈퍼컴퓨팅 2024(Super Computing 2024, 이하 SC 2024)’에 참가해 HPC와 AI를 위한 최첨단 솔루션을 선보였다.

SC 2024는 1988년부터 매년 열리는 HPC 분야의 대표적 글로벌 콘퍼런스로, HPC와 AI 기술의 최신 동향을 공유하고 업계 전문가들이 교류하는 행사다.

올해 SK하이닉스는 ‘MEMORY, THE POWER OF AI’를 주제로 전시를 열어, HPC·AI 제품 시연과 함께 첨단 메모리와 스토리지 기술에 대한 발표를 진행했다. 회사는 이번 행사를 통해 SK하이닉스의 축적된 기술력을 선보이며 글로벌 시장에서의 AI 리더십을 입증했다.

AI 데이터센터 기술의 미래를 선도하는 솔루션

SK하이닉스는 글로벌 AI 메모리 시장에서의 기술 리더십을 보여주는 다양한 제품을 전시했다. 데이터센터 솔루션 섹션에서는 ▲HBM3E ▲DDR5 Server DIMM ▲Enterprise SSD 등 회사의 핵심 제품을 선보였다.

▲ 데이터센터 솔루션 섹션에 전시된 HBM3E

▲ 데이터센터 솔루션 섹션에 전시된 DDR5 Server DIMM

▲ 데이터센터 솔루션 섹션에 전시된 Enterprise SSD

데이터 처리 성능이 향상된 차세대 메모리 HBM3E가 전시되어 관람객들의 눈길을 끌었다. HBM3E[관련기사]는 현존하는 HBM* 제품 중 최대 용량인 36GB를 구현한 신제품으로, AI 메모리 시장을 선도하는 기술력을 통해 주요 고객사와의 협력을 한층 강화하고 있다. AI 반도체 제조사들이 점점 더 방대한 데이터를 빠르게 처리할 수 있는 고용량 HBM이 필요함에 따라, SK하이닉스는 지난 9월 업계 최초로 12단 적층 D램 양산을 시작하며 반도체 시장 변화에 빠르게 대응했다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됨. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전.

이와 함께, 회사는 DDR5 RDIMM(1cnm)을 공개해 큰 관심을 끌었다. 이 제품은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 전력 효율이 높아져 데이터센터 전력 비용 절감에 기여할 것으로 기대된다. 또한 회사는 고성능 서버용으로 설계된 다양한 DDR5 모듈의 DDR5 MCRDIMM*과 DDR5 3DS RDIMM 등의 제품군을 소개했다.

* MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품

이외에도 SK하이닉스는 기존 출시한 초고성능 PCIe* 5세대 제품 PS1010과 더불어, 데이터센터용 PCIe 5세대 eSSD(Enterprise SSD) 신제품 PEB110을 공개했다. PCIe 5세대 기술은 이전 세대보다 대역폭이 두 배로 넓어져 더 빠른 데이터 전송 속도를 제공하며, PEB110은 이를 통해 전력 효율과 성능이 크게 개선됐다.

* PCIe(Peripheral Component Interconnect express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스

HPC·AI 혁신 솔루션 한 자리에… 미래 기술로 성능 혁신을 보여주다

HPC·AI 솔루션 섹션에서는 차세대 메모리 기술을 통한 데이터 처리와 응용 성능 향상을 실감할 수 있도록 다양한 고성능 솔루션을 시연했다.

▲ HPC·AI 솔루션 섹션에서 시연 중인 CMM-DDR5

▲ HPC·AI 솔루션 섹션에서 시연 중인 PIM(AiMX)

SK하이닉스는 이번 행사에서 차세대 메모리 기술인 CXL(Compute Express Link)*을 적용한 CMM-DDR5*를 선보였다. CXL 메모리는 여러 컴퓨팅 장치가 메모리를 공유하여 데이터 전송 속도와 자원 활용도를 높이는 기술로, HPC와 AI 응용에 필요한 메모리 용량 확장을 지원한다. 이러한 CXL 메모리 기술이 적용된 CMM-DDR5 데모에서는 Intel® Xeon® 6 프로세서가 장착된 서버 플랫폼을 사용해 AI 데이터 처리 작업을 더 빠르게 수행하는 사례를 소개해 큰 호응을 얻었다.

* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있음
* CMM-DDR5: CXL 기술을 적용한 DDR5 기반 메모리 모듈로, 기존 대비 대역폭을 50% 확장하고 메모리 용량을 두 배로 늘려 고성능 컴퓨팅(HPC)과 AI 응용에서 탁월한 성능을 발휘함. SK하이닉스의 CMM-DDR5는 AI 추론 및 인메모리 데이터베이스(DB) 환경에서 데이터 접근 속도와 자원 활용을 최적화해 데이터 처리 효율을 크게 높임

또한 회사는 PIM*기술을 활용한 AiMX*를 통해 최신 언어 모델인 LLaMA-3 70B의 실시간 처리 성능을 시연했다. 데이터센터의 언어 모델 서비스는 여러 사용자의 요청을 동시에 처리하는 방식으로 GPU 효율을 개선하고 있으나, 동시에 처리할 요청이 많아짐에 따라 이 과정에서 발생하는 결과물인 생성 토큰의 길이가 증가하여 GPU 효율이 낮은 Attention Layer*의 연산량이 커지는 문제가 있다. 이번에 공개된 SK하이닉스의 AiMX는 연산을 가속해 데이터 처리 속도를 높이고 전력 소모를 줄임으로써, 대량 데이터를 효율적으로 처리할 수 있는 고성능·저전력 솔루션으로서의 강점을 보여줬다.

* PIM(Processing-In-Memory): 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀 수 있는 차세대 기술
* AiMX(AiM based Accelerator): GDDR6-AiM 칩을 사용해 대규모 언어 모델(Large Language Model, 대량의 텍스트 데이터로 학습하는 인공지능으로 챗GPT가 이에 해당)에 특화된 SK하이닉스의 가속기 카드 제품
* Attention Layer: 입력 데이터의 각 부분에 가중치를 부여하여 관련 정보에 더 집중하게 하는 메커니즘으로 언어모델에서 사용되는 핵심 알고리즘

▲ HPC·AI 솔루션 섹션에서 시연 중인 CXL Pooled Memory(Niagara 2.0)

▲ HPC·AI 솔루션 섹션에서 시연 중인 Computational SSD

나이아가라(Niagara) 2.0 데모에서는 CXL Pooled Memory* 솔루션을 활용해 거대언어모델(LLM) 추론 서비스에서 발생하는 LLM 모델 스위칭* 오버헤드를 개선하는 방안을 선보였다. 이 솔루션은 GPU 메모리 부족으로 인해 불가피하게 발생하는 LLM 모델 스위칭 오버헤드를 줄여 추론 시간을 단축할 수 있음을 보였다.

* Pooled Memory: 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들어 여러 호스트가 효과적으로 용량을 나누어 사용하여 전반적인 메모리 사용률을 높이는 기술
* LLM 모델 스위칭: GPU 메모리상의 기존 LLM 모델을 삭제하고 사용자의 요청에 맞는 LLM 모델을 load 하는 기능

SSD 시연에서는 Checkpoint Offloading SSD 솔루션을 활용해 체크포인팅(Checkpointing)* 기술을 효과적으로 지원함으로써, LLM 학습 시스템에서 발생하는 장애로 인한 자원 및 비용 낭비를 줄이고 학습 성능을 향상시킬 수 있음을 보였다.

* 체크포인팅(Checkpointing): 학습 과정 중 특정 시점의 모델 파라미터와 관련 주요 데이터를 저장하여 시스템 장애 발생 시 저장된 특정 시점에서 학습을 재시작할 수 있도록 지원하는 기술

▲ HPC·AI 솔루션 섹션에 전시된 Object-based Computational Storage

▲ HPC·AI 솔루션 섹션에 전시된 Near-Memory Processing

SK하이닉스는 미국 로스앨러모스 국립연구소(Los Alamos National Laboratory, 이하 LANL)*와 협업하여 개발한 객체 기반 연산 스토리지(Object-based Computational Storage, OCS)* 기술을 활용해 필요한 데이터만 분석 서버로 전송함으로써 HPC 환경의 데이터 병목 현상을 개선하는 데모를 선보였다. 또한, 대규모 데이터 처리에서 성능을 크게 향상시킬 수 있는 HBM 기반 NMP(Near-Memory Processing)* 기술도 함께 소개했다.

* LANL(Los Alamos National Laboratory): 미국 에너지부 산하 국립연구소로 국가안보와 핵융합 분야를 비롯해 우주탐사 등 다양한 분야의 연구를 하는 곳으로 특히 2차 세계대전 당시 맨해튼 프로젝트에 참여해 세계 최초로 핵무기를 개발한 곳
* 객체 기반 연산 스토리지(Object-based Computational Storage, OCS): 데이터 분석을 위해 설계된 컴퓨팅 스토리지 솔루션으로, 데이터 인식 기능을 통해 컴퓨팅 노드의 도움 없이 독립적으로 분석 작업을 수행할 수 있음. 이 기술은 고성능 컴퓨팅(HPC) 환경에서 대규모 데이터의 효율적 처리를 가능하게 함
* NMP(Near-Memory Processing): CPU-메모리 간 데이터 이동 시 발생하는 병목 현상을 해결하고, 처리 성능 향상을 위해 연산 기능을 메인 메모리 옆으로 이동하는 메모리 아키텍처

발표 세션에서 차세대 HPC·AI 기술 비전 제시

▲ SC 2024에 참석해 발표를 진행한 SK하이닉스 박정안 TL(Sustainable Computing)

▲ SC 2024에 참석해 발표를 진행한 SK하이닉스 김종률 팀장(AI System Infra)

SK하이닉스는 이번 행사에서 주요 연사로 나서 자사의 기술 비전과 차세대 솔루션을 공유했다. 박정안 TL(Sustainable Computing)은 LNAL와 공동 개발한 객체 기반 연산 스토리지(Object-based Computational Storage, OCS) 표준화에 대해 발표했다. 박 TL은 “SK하이닉스의 OCS는 추가적인 컴퓨팅 자원 없이도 데이터 저장 장치가 스스로 분석을 수행해 기존보다 빠르고 효율적인 데이터 처리를 가능하게 한다”고 밝혔다.

또한 김종률 팀장(AI System Infra)은 ‘HPC·AI 시스템을 위한 메모리와 스토리지의 힘’을 주제로, SK하이닉스의 최신 연구 성과를 기반으로 한 메모리와 스토리지 기술을 소개했다. 김 팀장은 HPC·AI 시스템에 적용할 수 있는 CXL 메모리와 HBM 기반의 Near-Memory Processing 기술 및 CXL Pooled Memory 기반의 데이터 공유 기술에 대한 연구 결과와 기술 인사이트를 소개하였다.

▲ 삼성동 코엑스에서 개최된 SK AI 서밋 2024 현장

SK하이닉스가 4일부터 양일간 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘SK AI Summit 2024(이하 AI 서밋)’에 참가했다. ‘AI 투게더, AI 투모로우(AI Together, AI Tomorrow)’를 주제로 열린 이 행사에서 회사는 현존 HBM* 최대 용량인 48GB(기가바이트) 기반의 ‘HBM3E 16단’개발 사실을 공식적으로 알리고, 핵심 성과를 집대성해 선보였다. 이와 함께 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로 나아가기 위한 비전도 공유했다.

AI 서밋은 SK 그룹이 매년 개최하던 SK 테크 서밋[관련기사]을 AI 중심으로 격상한 행사다. 올해 행사에서는 글로벌 AI 대가들이 모여 범용인공지능 시대의 생존법을 논의하고 AI 생태계 강화 방안을 모색했다.

특히 SK 최태원 회장, SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장, SK텔레콤 유영상 사장을 비롯해 오픈AI 회장 겸 사장 그레그 브로크만(Greg Brockman), 마이크로소프트(MS) 총괄 부사장 라니 보카르(Rani Borkar) 등 다양한 분야의 전문가가 참석해 의미를 더했다. 아마존웹서비스(AWS), MS 등 빅테크 기업과 K-AI 얼라이언스 회원사도 동참해 부스를 꾸리고 업계 관계자 및 관람객과 교류하는 시간을 가졌다.

SK하이닉스는 AI 산업의 키플레이어로서 행사에 참여해 자사 제품과 성과를 공유했다. 특히, HBM3E 16단 발표가 큰 주목을 받았다. 발표에는 곽노정 사장을 비롯해 강욱성(차세대 상품기획 담당), 박문필(HBM PE 담당), 이강욱(PKG개발 담당), 주영표(소프트웨어 솔루션 담당), Paul Fahey(SKHYA) 부사장 등이 참석해 회사의 기술 리더십을 알렸다.

▲ SK AI 서밋 2024에서 개회사를 전하고 있는 SK 최태원 회장

이날 최태원 회장은 ‘AI 투게더, AI 투모로우’란 주제에 걸맞은 담론과 비전을 제시하며 행사의 포문을 열었다. 최 회장은 “AI는 초기 단계이고 모르는 것이 많기에 문제 해결과 진전을 위해선 많은 사람의 참여와 협력이 중요하다”고 밝혔다. 또, 최 회장은 “SK는 칩(Chip)부터 에너지, 데이터 센터 구축·운영, 서비스 개발, 유즈케이스(Use-Case)까지 모두 커버하는 글로벌 기업”이라며 “각 분야 최고의 파트너들과 협업 중이고 이를 통해 글로벌 AI 혁신을 만들어 나가겠다”고 강조했다.

곽노정 사장, 기조연설 통해 ‘HBM3E 16단’ 개발 사실 공식화해

4일 ‘차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로(Next AI Memory, Hardware to Everywhere)’를 주제로 기조연설을 펼친 곽노정 사장은 이 자리에서 HBM3E 16단 제품을 개발하고 있다고 공식 발표했다.

▲ SK AI 서밋 2024에서 기조연설을 하고 있는 SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장

곽 사장은 “D램 칩 16개를 적층해 48GB 용량을 구현했고, 양산성이 검증된 어드밴스드 MR-MUF 기술*을 적용했으며, 백업(Back Up) 공정으로 하이브리드 본딩* 기술도 함께 개발 중”이라고 설명했다. 또, “16단은 12단 대비 AI 학습 성능을 최대 18%, 추론 성능을 최대 32% 향상할 수 있다”고 덧붙였다. HBM3E 16단은 2025년 상용화를 목표로 하고 있다.

이번 발표에서 곽 사장은 ‘World First(세계 최초 개발·양산 제품), Beyond Best(차세대 고성능 제품), Optimal Innovation(AI 시대, 시스템 최적화 제품)’이란 로드맵도 공개했다. 그는 “HBM3E 16단과 DDR5 RDIMM(1cnm)[관련기사] 등을 세계 최초로 개발한 데 이어 HBM4, UFS* 5.0 등 차세대 고성능 제품을 개발할 계획”이라고 밝혔다. 또, “장기적으로는 AI에 최적화된 커스텀(Custom) HBM, CXL®* 등을 상용화해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장하겠다”고 강조했다.

HBM4에 대한 언급도 눈길을 끌었다. 곽 사장은 “세계 최고의 파운드리와 협력해 전력 소모를 줄이는 방향으로 베이스 다이(Base Die) 성능을 개선하는 중”이라며 “원팀 파트너십을 바탕으로 최고 경쟁력을 갖춘 제품을 공급하고 HBM 선도 업체의 위치를 더욱 공고히 할 것”이라고 말했다.

주요 임원진 참석, HBM 및 차세대 메모리 인사이트 전해

▲ (첫 장부터) 유승주 교수, 박문필(HBM PE 담당) 부사장, 구건재 교수, 주영표(소프트웨어 솔루션 담당) 부사장

박문필 부사장과 유승주 교수(서울대학교 컴퓨터공학부)는 ‘가속기 트렌드와 HBM 전망’을 주제로 각각 발표했다. “AI 추론 비용이 증가한다”는 유 교수의 전망에 박 부사장은 “성능·비용 최적화를 이유로 커스텀 HBM이 떠오른다”며 “고객·파운드리·메모리 간 3자 협업으로 대응하고 있다”고 강조했다.

이어서 주영표 부사장과 구건재 교수(고려대학교 컴퓨터학과)가 ‘미래 아키텍처와 신규 메모리 솔루션’에 관해 논의했다. 구 교수는 새로운 시스템 소프트웨어 구조의 필요성을 짚었고, 주 부사장은 이 요구에 발맞춘 SK하이닉스의 신규 메모리 솔루션으로 CXL®, PIM* 등을 소개했다.

▲ (첫 장부터) 대담을 나누고 있는 강욱성(차세대 상품기획 담당) 부사장, Paul Fahey(SKHYA) 부사장

‘초연결 시대의 디지털 신경망: AI와 Memory가 그리는 미래 산업 지형’을 주제로 대담도 열렸다. 이 자리에는 강욱성 부사장과 Paul Fahey 부사장이 참석했다. 두 임원은 “미래에는 로직 공정을 베이스 다이에 적용한 HBM, 온디바이스에서 큰 역할을 할 PIM, 메모리 공유 기능을 가진 CXL®의 역할이 증대될 것”이라며 “SK하이닉스는 파트너사와 긴밀히 협력해 차세대 AI 메모리 제품을 만들고 있다”고 설명했다.

▲ 관계자들과 토의를 진행하고 있는 이강욱(PKG개발 담당) 부사장

이강욱 부사장은 업계 관계자들이 모인 세션에 패널로 참여해 ‘AI 반도체와 인프라의 진화’를 주제로 토의를 진행했다.

▲ (첫 장부터) 이병규(DT)·김문욱(DT)·장세남(DT) TL, 권종오(PKG개발) 팀장, 황인태(P&T)·윤성현(기반기술센터)·김정한(미래기술연구원) TL

이외에도 이병규(DT) TL이 ‘E2E 자동화로 반복 업무 탈출, 고부가가치 업무로 전환하는 반도체 FAB 이야기’를 주제로 발표했고, 김문욱·장세남(DT) TL이 ‘지능형 이미지 분류 AI 시스템 적용을 통한 생산 품질 업무 경쟁력 강화’에 대해 공동발표를 진행했다.

권종오(PKG개발) 팀장, 황인태(P&T)·윤성현(기반기술센터) TL, 김정한(미래기술연구원) TL은 ▲16단 HBM 패키징 기술 ▲딥러닝을 활용한 HBM 생산 고도화 ▲AI를 활용한 반도체 연구 등을 주제로 기술 인사이트를 공유했다.

▲ (첫 장부터) 전재영(메모리시스템연구소)·이경수(메모리시스템연구소)·박상수(미래기술연구원) TL, 박은영(안전보건환경) 팀장

전재영(메모리시스템연구소) TL, 이경수(메모리시스템연구소) TL, 박상수(미래기술연구원) TL은 ▲이종 메모리의 가능성 ▲온디바이스 AI의 요구사항 ▲차세대 컴퓨테이셔널 메모리(Computational Memory)를 주제로 미래 메모리 기술을 검토했다.

AI 서비스 영역의 발표를 맡은 박은영(안전보건환경) 팀장은 ‘SK하이닉스의 현장 안전 로봇 가온(Ga-on) 도입 및 운영 사례’를 공개해 많은 관심을 모았다.

주요 발표와 연계한 AI 메모리 라인업도 선보여

AI로 깊이 빠져들다(Deep Dive into AI)를 테마로 구성된 SK 공동부스에서는 SK하이닉스의 AI 메모리 라인업을 모두 만나볼 수 있었다.

▲ (첫 장부터) SK 공동부스 전경, CMM-DDR5, AiMX, DDR5 MCRDIMM, eSSD, LPCAMM2, LPDDR5X, Brand SSD, 오토모티브 솔루션

특히 SK하이닉스는 미래 메모리 솔루션으로 언급한 CMM(CXL® Memory Module)-DDR5와 AiMX도 선보였다. CMM-DDR5는 이론적으로 기존 시스템 대비 최대 50%의 대역폭, 최대 100%의 용량 확장을 지원한다. AiMX는 GDDR6-AiM*을 여러 개 탑재한 가속기 카드로, 저장과 연산 기능을 모두 수행해 AI의 품질을 높이는 제품이다.

회사는 고성능 컴퓨팅(HPC)과 AI 서버를 위한 초고속 메모리 모듈로, 초당 8.8Gb(기가비트) 속도의 DDR5 MCRDIMM* 또한 전시했다. 이외에 LPDDR5X* 여러 개를 모듈화한 LPCAMM2를 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품으로 소개했고, AI 및 데이터센터 최적화 제품으로 PS1010 E3.S 등의 eSSD도 선보였다.

부스에서는 AI 기반 시스템 및 솔루션도 살펴볼 수 있었다. 회사는 ‘AI 기반 소재 품질 사전 예측 시스템’과 SK하이닉스 제품으로 구성된 ‘오토모티브 솔루션’을 공개하며 많은 관람객의 이목을 끌었다.

이번 행사에서 곽노정 사장은 “당사는 AI 전 영역에 걸친 AI 메모리 솔루션을 보유하고, 여러분과 함께 새로운 미래 경험을 창조해 나갈 준비가 되어 있다”고 강조한 바 있다. 발표와 전시를 성황리에 마친 SK하이닉스는 SK 서밋을 통해 공개한 비전에 발맞춰 미래 시장 준비를 더욱 철저히 해나간다는 계획이다.

올해로 26회를 맞은 SEDEX는 한국반도체산업협회가 주최하는 국내 최대 반도체 전문 전시회다. ‘AI 반도체와 최첨단 패키지 기술의 융합’이라는 기조 아래 개최된 이번 전시에는 반도체, 시스템 반도체, 장비·부품, 재료, 설비, 센서 등 반도체 생태계 전 분야의 250개 사(社)가 참석해 약 600개의 부스를 꾸렸다.

▲ SK하이닉스 전시관 전경, 관람객들이 SK하이닉스의 기술과 제품을 살펴보고 있다.

올해 SK하이닉스는 약 80평의 공간에 ‘MEMORY, THE HEART OF AI’라는 주제로 전시관을 조성, 글로벌 AI 메모리 시장을 선도하는 회사의 독보적인 기술력을 공개했다. 메인 전시 존에서는 ▲현재 시장에서 가장 각광받고 있는 초고성능 메모리 HBM*을 필두로 ▲차세대 메모리 기술로 주목받고 있는 CXL®*과 ▲차세대 지능형 메모리 PIM* ▲데이터 센터의 고성능 컴퓨팅을 구현할 서버용 솔루션과 ▲스마트 디바이스 자체에서 정보를 처리할 수 있는 온디바이스* 용 솔루션 등 AI 기술 혁신을 가속할 AI 향(向) 메모리 솔루션을 대거 선보였다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직관통전극(TSV, Through Silicon Via)으로 연결해 고대역폭을 구현한 메모리로, 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됨. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전
* CXL®(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스
* PIM(Processing-In-Memory): 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀 수 있는 차세대 기술
* 온디바이스(On-Device) AI: 물리적으로 떨어진 서버의 연산을 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술. 스마트 기기가 자체적으로 정보를 수집, 연산하기 때문에 AI 기능의 반응 속도가 빨라지고 사용자 맞춤형 AI 서비스 기능도 강화되는 장점이 있음

또한, 창립 41주년 기념 브랜드 필름과 미래 AI 비전의 허브가 될 ‘용인 반도체 클러스터’ 전시존 등을 통해 지난 40년을 디딤돌 삼아 AI 시대 글로벌 No.1 메모리 기업으로 도약하는 회사의 새로운 비전을 공유했다.

이와 함께, SK하이닉스의 자회사형 장애인 표준사업장 ‘행복모아’에서 진행하는 ‘행복만빵’ 전시존을 조성하여 회사의 사회적 가치 창출 활동을 소개했으며, 게임과 이벤트 등의 참여형 콘텐츠도 다채롭게 준비해 관람객들의 발길을 사로잡았다.

한편, 행사 둘째 날인 24일, 한국반도체산업협회 주관으로 진행된 키노트 스피치에서 ‘AI 시대의 반도체 패키징의 역할’이라는 주제로 SK하이닉스 이강욱 부사장이 연설을 펼쳤다.

뉴스룸은 SEDEX 2024 현장을 찾아 토탈 AI 메모리 프로바이더로서 SK하이닉스가 선보이는 기술 비전을 담아봤다.

HBM부터 서버용·온디바이스용 AI 솔루션까지, 글로벌 No.1 AI 메모리 기술 총망라

▲ HBM3E를 탑재한 가상 GPU가 가동되는 시뮬레이션

SK하이닉스는 전시관 중앙에 대형 LED를 설치해 가상의 AI 데이터센터를 구현했다. HBM3E를 탑재한 가상 GPU가 가동되는 시뮬레이션이 반복되며, 관람객들에게 마치 실제 데이터센터에 온 듯한 느낌을 선사했다.

LED 월 뒤편에는 SK하이닉스의 대표적인 AI 메모리 제품을 만날 수 있는 전시 공간이 마련됐다.

▲ HBM 전시존 전경과 12단 HBM3E 조형물을 관람 중인 관람객들

전시존의 중앙을 차지한 메인 제품은 AI 구동에 최적화된 현존 최고 성능의 D램 HBM이었다. 지난 9월 SK하이닉스가 세계 최초로 양산에 돌입한 HBM3E 12단[관련기사] 제품이 전시되었으며, 세계 최고의 기술력을 자랑하는 SK하이닉스의 HBM 개발사(史)가 소개됐다. 전시 중 가장 눈에 띈 것은 12단 적층 기술을 형상화한 조형물들이었다. 특히, 1970년 개발된 세계 최초의 D램과 2024년 12단 HBM3E의 용량을 쌀알의 수치로 비교해 관람객들의 흥미를 불러일으켰다.

HBM 전시존 왼쪽에는 HBM의 뒤를 이을 차세대 AI 메모리 기술로 각광받는 PIM과 CXL®을 위한 공간을 조성했다.

▲ PIM 전시존에서 AiM과 AiMX 제품을 관람 중인 관람객들

PIM 섹션에서는 SK하이닉스의 PIM 반도체인 AiM*과 가속기 카드인 AiMX를 소개했다. 메모리 내에서 연산 기능까지 수행할 수 있는 GDDR6-AiM과 이 칩 여러 개를 탑재해 구동하는 AiMX는 고성능, 저전력에 비용까지 절감할 수 있어 생성형 AI를 위한 최고의 솔루션으로 눈도장을 찍었다.

* AiM(Accelerator-in-Memory): SK하이닉스의 PIM 반도체 제품명, GDDR6-AiM이 이에 포함됨

▲ CXL 전시존에서 CMM-DDR5와 CMM-Ax 제품을 관람 중인 관람객들

CXL®은 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스다. CXL® 섹션에서는 DDR5와 장착해 기존 시스템 대비 최대 50%의 대역폭, 최대 100%의 용량 확장 효과를 내는 CMM(CXL® Memory Module)-DDR5와 CXL 메모리에 머신러닝 및 데이터 필터링 연산 기능까지 통합한 CMM-Ax* 샘플 제품을 전시했다.

* CMM(CXL Memory Module)-Ax: 기존 CMS(Computational Memory Solution) 2.0의 명칭을 변경. CMM은 CXL Memory Module의 약자로 제품에 CXL 기반 솔루션의 정체성을 부각했고, Accelerator와 xPU의 의미를 가져와 ‘Ax’라는 이름을 붙임

HBM 전시존 오른쪽에는 서버용 AI 솔루션과 온디바이스용 AI 솔루션 제품들을 배치했다.

▲ 서버용 AI 솔루션 전시존에서 제품을 관람 중인 관람객들과 주요 전시 제품(DDR RDIMM)

서버용 솔루션으로는 고성능 컴퓨팅 시장(HPC)에서 주목받고 있는 DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등의 고성능 서버용 모듈과 다양한 서버에 호환이 가능한 폼팩터(Form Factor)를 갖춘 eSSD(Enterprise SSD, 기업용 SSD) 라인을 전시했다. 이중 지난 9월 TSMC OIP에서 최초로 실물을 공개한 ‘DDR5 RDIMM(1cnm)’[관련기사]은 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율로 데이터센터 적용 시 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대를 모으는 제품이다.

▲ 온디바이스용 AI 솔루션 전시존 전경과 주요 전시 제품(순서대로 LPCAMM2, ZUFS 4.0)

온디바이스용 AI 솔루션 섹션에서는 LPDDR5X* 패키지를 하나로 묶은 LPCAMM2와 차세대 모바일 낸드 솔루션 ZUFS*(Zoned UFS) 4.0 실물 제품을 만날 수 있었다. LPCAMM2는 기존 D램 모듈(SODIMM*) 2개를 LPCAMM2 1개로 대체하는 수준의 성능 효과를 보이며, 공간 절약뿐만 아니라 저전력과 고성능 특성을 구현하며, 향후 다양한 온디바이스 AI 시장의 니즈를 충족하는 제품으로 주목받고 있다. 또한, 업계 최고 성능의 ZUFS 4.0[관련기사]은 장시간 사용 환경에서 스마트폰 앱 실행 시간을 기존 제품 대비 약 45% 높인 제품으로, 모바일 기기에서 온디바이스 AI를 구현하는 데 최적화된 메모리라는 평가다.

* LPDDR5X: 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압 동작 특성이 있음. 규격 명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전으로, 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품
* ZUFS: Zoned Universal Flash Storage. 디지털카메라, 휴대전화 등 전자제품에 사용되는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율이 향상된 제품. 이 제품은 유사한 특성의 데이터를 동일한 구역(Zone)에 저장하고 관리해 운용 시스템과 저장장치 간의 데이터 전송을 최적화함
* SODIMM(Small Outline DIMM): 데스크탑 및 노트북 등 PC에서 사용되는 메모리 모듈을 통칭하는 개념

AI 시대를 끌어갈 미래 비전, 관람객들과 적극 공유

▲ 용인 반도체 클러스터와 가우스랩스를 소개하는 전시존

SK하이닉스는 메인 전시존 외에 용인 반도체 클러스터와 산업용 AI 스타트업 가우스랩스를 소개하는 스페셜 전시존을 함께 선보였다.

용인 반도체 클러스터는 현재 경기도 용인 원삼면 일대에 인프라 구축 작업이 한창이다. 이번 전시에서는 AI 메모리 생태계의 허브이자 SK하이닉스의 중장기 성장 비전의 중심으로 자리매김할 용인 반도체 클러스터의 목표와 비전을 공유하여 관람객들에게 깊은 인상을 남겼다.

▲ 브랜드 SSD 전시존 전경과 주요 전시 제품(왼쪽부터 Tube T31, 비틀X31)

또한, 일반 고객들을 위한 B2C 제품인 ‘브랜드 SSD’ 전시존을 별도로 조성하여 보다 적극적인 제품 홍보에도 나섰다. 브랜드 SSD 전시존에는 영화보다 영화같은 광고로 화제가 된[관련기사] 포터블(Portable, 외장형) SSD ‘비틀(Beetle) X31’의 미주 광고 영상을 상영했으며, 비틀 X31을 비롯해 PCIe SSD P41, P51과 스틱 타입의 SSD인 Tube T31 제품 전시를 함께 진행했다.

▲ 행복만빵 전시존에서 관람객들을 위해 준비한 빵

회사의 대표적인 사회적 가치(SV) 창출 활동인 ‘행복만빵’ 사업을 소개하는 부스도 눈길을 끌었다. 행복만빵은 SK하이닉스의 장애인 표준사업장 자회사인 ‘행복모아’의 제빵 브랜드로 현재 약 190명의 발달장애인이 빵을 만드는 다양한 공정에서 맞춤형 직무를 수행하고 있다. 특히, 부스 방문 시 행복만빵에서 생산한 빵과 쿠키를 맛볼 수 있는 이벤트를 진행하여 많은 관람객들의 방문 릴레이가 이어졌다.

▲ 관람객들이 SK하이닉스가 준비한 다양한 이벤트와 게임을 즐기고 있다.

이 외에도 회사는 전시관 곳곳에서 다양한 이벤트와 게임을 진행하며 관람객들과 적극적으로 소통했다. 브랜드 SSD 전시존 입구에서는 ‘X31 BEETLE을 찾아라’ 게임 이벤트를 상시 진행하며, 제품 홍보와 고객 참여 두 마리 토끼를 한 번에 잡았다. 또한, SK하이닉스의 메모리 기술을 소재로 제작한 점프 게임, 핀볼 게임, 레이어 게임으로 별도의 게임 존을 조성했으며, 푸짐한 경품을 곁들인 장학 퀴즈와 뽑기 이벤트 등의 참여형 콘텐츠도 풍성하게 준비하여 관람객들의 호응을 높였다.

SK하이닉스는 “AI 시대에 SK하이닉스 메모리 반도체가 지니는 의미와 중요성을 강조하기 위해 이번 SEDEX 2024 전시를 기획했다”고 밝히며 “토탈 AI 메모리 프로바이더로서 SK하이닉스가 선보이는 다양한 제품과 뛰어난 기술력을 한자리에서 만나볼 수 있는 자리가 될 것”이라고 강조했다.

SK하이닉스가 지난 15일부터 미국 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 개막한 ‘OCP 글로벌 서밋(OCP Global Summit 2024, 이하 OCP 서밋)’에 참가해 미래 반도체 시장 리더십을 이어갈 AI 메모리 반도체 기술과 제품을 선보였다.

▲ OCP 서밋에 설치된 SK하이닉스 부스 모습

OCP 서밋은 전 세계 최대 규모의 개방형 데이터센터 기술 협력 협회인 OCP(Open Compute Project)가 주최하는 글로벌 행사로 미래 데이터센터 환경을 구현하기 위한 AI 기술 중심의 반도체 최신 기술과 연구 성과, 기술력 등을 공유하는 자리다. 올해의 주제는 ‘From Ideas To Impact(비전을 현실로 전환하다)’로, 이론적 논의를 넘어 구체적인 솔루션으로 구현하는 업계의 혁신 기술과 노력을 다뤘다.

AI 시대를 선도하는 토탈 AI 메모리 솔루션 제시

SK하이닉스는 2016년 첫 OCP 서밋 참여를 시작으로 매년 혁신 기술과 비전을 제시해 왔다. 특히 올해는 최고 등급인 다이아몬드 회원으로 참여해 ‘MEMORY, THE POWER OF AI’라는 슬로건으로 전시를 열어 SK하이닉스의 선도적인 기술력을 확인할 수 있는 다양한 AI 메모리 제품을 선보였다.

회사는 ▲HBM 5세대 최신 제품이자 현존 최고 성능을 구현하는 HBM3E*를 비롯해 ▲CXL* 기반 연산 기능을 통합한 차세대 메모리 솔루션 ▲10나노급 6세대(1c) 공정* 기반의 DDR5 RDIMM ▲고용량 저장장치 eSSD* 등 다양한 AI 메모리를 전시하며 눈길을 끌었다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됨. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였음
* CXL(Compute eXpress Link): 고성능 컴퓨팅 시스템을 효율적으로 활용하기 위한 PCle 기반 차세대 인터페이스. 기존 D램 제품과 함께 서버 시스템의 메모리 대역폭을 늘려 성능을 향상하고, 쉽게 메모리 용량을 확대할 수 있는 차세대 메모리 솔루션
* 10나노급 D램 공정 기술은 1x-1y-1z-1a-1b 순으로 개발돼 1c는 6세대
* eSSD(Enterprise Solid State Drive): 기업용 SSD, 주로 서버나 데이터센터에 탑재됨

▲ SK하이닉스가 OCP 서밋에서 전시한 HBM3E와 엔비디아의 H200/GB200

이중 HBM3E 12단은 SK하이닉스가 지난 9월 세계 최초로 양산하기 시작한 현존 최고 성능과 용량을 갖춘 제품[관련기사]으로 엔비디아(NVIDIA)의 신형 ‘H200 텐서 코어 GPU(Tensor Core GPU)’ 및 ‘GB200 그레이스 블랙웰 슈퍼칩(Grace Blackwell Superchip)’과 함께 전시됐다. HBM3E 12단은 D램 칩을 기존보다 40% 얇게 만들어 기존 8단 제품과 동일한 두께로 12단 적층에 성공해 최대 36GB 용량을 구현했으며 데이터 처리 속도는 9.6Gbps로 높였다. 또 SK하이닉스의 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF*공정을 적용해 발열 성능을 10% 향상시키며 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준이라는 평가를 받고 있다.

* 어드밴스드(Advanced) MR-MUF: 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용되었으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술

▲ SK하이닉스가 OCP 서밋에서 라이브 데모를 시연한 CXL 기반 CMM-Ax와 CMM-DDR5/HMSDK, 나이아가라 2.0, CSD(서버 장착) 제품

또한 SK하이닉스는 CXL 기반 연산 기능을 통합한 차세대 메모리 솔루션 ▲CMM-Ax* ▲CMM-DDR5/HMSDK* ▲나이아가라(Niagara) 2.0과 함께 ▲CSD*를 선보였다.

CMM-Ax는 기존 CMS* 2.0의 명칭을 변경한 것으로 이번 전시에서 새로운 이름과 함께 소개됐다. CMM-Ax는 고용량 메모리를 확장할 수 있는 CXL의 장점에 머신러닝과 데이터 필터링 연산 기능을 함께 제공하며 차세대 서버 플랫폼에 탑재되어 시스템의 성능과 에너지 효율 향상에 기여할 수 있다. 회사는 CMM-Ax를 탑재한 서버를 통해 멀티모달* 라이브 데모를 선보이며 차세대 연산 메모리 성능을 입증했다.

이에 더해, CMM-DDR5와 이를 지원하는 소프트웨어인 HMSDK, 나이아가라(Niagara) 2.0 제품을 시연하는 자리도 마련했다. HMSDK는 CMM-DDR5가 장착된 시스템의 대역폭과 용량을 확장해 주는 솔루션으로 D램 모듈과 CMM-DDR5 간의 효율적인 교차 배열을 통해 대역폭을 넓히고, 데이터 사용 빈도에 따라 적합한 메모리 장치로 데이터를 재배치해 시스템 성능을 개선해 준다[관련기사].

나이아가라(Niagara)는 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory)를 위한 하드웨어∙소프트웨어 통합 솔루션으로, 대용량의 메모리 풀을 여러 호스트(CPU, GPU 등)가 최적의 상태로 나눠 쓰도록 해 유휴 메모리를 최소화함으로써 전체 시스템의 비용을 줄일 수 있는 것이 특징이다. 또한 데이터 사용 빈도와 접근 패턴에 따라 데이터를 재배치해 시스템의 성능을 대폭 개선할 수 있다[관련기사].

* CMM(CXL Memory Module)-Ax: CMM은 CXL Memory Module의 약자로 제품에 CXL 기반 솔루션의 정체성을 부각했고, Accelerator와 xPU의 의미를 가져와 ‘Ax’라는 이름을 붙임
* HMSDK(Heterogeneous Memory S/W Development Kit): SK하이닉스 고유의 이종(異種) 메모리 소프트웨어 개발 도구. 효과적인 메모리 제어로 CXL 메모리를 포함한 이종 메모리 시스템의 성능을 향상시킴
* CSD(Computational Storage Drive): 데이터를 직접 연산하는 저장장치
* CMS(Computational Memory Solution): 고용량 메모리를 확장할 수 있는 CXL 메모리에 빅데이터 분석이나 AI와 같은 대용량 데이터가 필요한 응용 프로그램에서 주로 사용되는 연산 기능이 포함된 메모리 솔루션
* 멀티모달(Multi Modal): 텍스트, 사진 음성, 동영상 등 여러 복합 정보를 이해할 수 있는 AI 서비스/p>

▲ SK하이닉스가 OCP 서밋에서 라이브 데모를 시연한 GDDR6-AiM 기반 가속기 카드 AiMX

데이터센터의 대규모 언어 모델(Large Language Model, 이하 LLM) 서비스는 여러 사용자의 요청 사항을 동시에 처리하는 방식으로 GPU 효율을 개선하고 있으나, 생성 토큰 길이가 증가함에 따라 GPU 효율이 낮은 어텐션 레이어*의 연산량이 커지는 문제가 있다. 이에 회사는 GDDR6-AiM* 기반 가속기 카드인 AiMX*로 최신 모델인 Llama3 70B*의 어텐션 레이어를 가속하는 라이브 데모를 시연했다. AiMX를 탑재해 대량의 데이터를 다루면서도 최신 가속기 대비 고성능, 저전력 등 뛰어난 성능을 보여줄 수 있다는 것을 확인시켰다[관련기사].

* 어텐션 레이어(Attention Layer): 딥러닝 모델, 특히 자연어 처리 분야에서 입력 데이터의 각 부분에 가중치를 부여하여 관련 정보에 더 집중하게 하는 메커니즘
* AiM(Accelerator-in-Memory): SK하이닉스의 PIM 반도체 제품명, PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀 수 있는 차세대 기술
* AiMX(AiM based Accelerator): GDDR6-AiM 칩을 사용해 대규모 언어 모델(Large Language Model, 대량의 텍스트 데이터로 학습하는 인공지능으로 챗GPT가 이에 해당)에 특화된 SK하이닉스의 가속기 카드 제품
* Llama3(Large Language Model Meta AI): 메타의 최신 LLM 모델로 700억 개의 매개변수를 가짐

▲ SK하이닉스가 OCP 서밋에서 선보인 DDR5 RDIMM과 MCRDIMM

이와 함께 슈퍼마이크로(Supermicro)와의 협업으로 고성능 컴퓨팅 시장에서 주목받는 ▲DDR5 RDIMM ▲MCRDIMM*과 ▲E3.S eSSD PS1010* ▲M.2 2280 eSSD PE9010을 함께 전시했다. 이 제품들은 데이터센터 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 이전 세대 대비 속도와 전력 효율을 크게 향상시켜 AI용 서버 시장에 핵심 솔루션이 될 것으로 기대를 모은다.

* MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품

* PS1010: 초고성능-고용량 데이터센터/서버향 SSD로 PCIe 5세대 E3.S & U.2/3(폼팩터 규격) 기반 제품

▲ SK하이닉스가 OCP 서밋에서 전시한 PCIe 5세대 기반 기업용 SSD

이 밖에도 SK하이닉스는 다양한 서버에 호환이 가능한 폼팩터(Form Factor)를 갖춘 eSSD 제품군을 선보이며 현장의 큰 관심을 받았다. 이중 PS1010과 PS1030은 업계 최고의 성능의 5세대 PCle* 기반 eSSD 제품으로 이전 세대 대비 전송 속도가 빠르고 전력 소모가 적은 고효율 AI 메모리다. 대량의 데이터를 처리하는 인공지능과 데이터센터 등에 최적화된 제품으로 생성형 AI 시대 핵심 반도체로 떠오르고 있다.

* PCle(Peripheral Component Interconnect Express): 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스로 디지털 장치의 메인보드에서 사용

세션 발표를 통해 글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더 입증

SK하이닉스는 이번 OCP 서밋에서 총 일곱 번의 세션 발표와 패널 참여를 통해 회사의 AI 메모리 기술력과 비전을 공유했다. 특히, AI 시대의 개화와 함께 주목받고 있는 HBM과 CXL을 중심으로 이야기를 풀어내며 혁신의 경계를 넓히기 위해 반도체 업계의 협력을 제안했다.

▲ 회사의 CXL 기반 메모리 솔루션을 발표 중인 주영표 부사장(Software Solution 담당)

먼저, ‘Pioneering the AI Enlightenment : Future Memory Solution R&D in SK Hynix(AI 시대를 여는 선구자 : SK하이닉스의 미래 메모리 솔루션 R&D)’를 주제로 발표한 주영표 부사장(Software Solution 담당)은 CMM-DDR5를 비롯한 CXL 기반 메모리 솔루션을 소개하며 AI 메모리 경쟁력을 강화하는 SK하이닉스의 강력한 의지를 보여줬다.

▲ 회사 CXL 기술력을 소개 중인 최정민 TL(Composable System)

▲ 회사 CXL 기술력을 소개 중인 김홍규 TL(System SW)

최정민 TL(Composable System)은 ‘CXL 메모리 풀링* 및 공유 기능, 데이터 사용 빈도와 패턴 분석을 통한 핫-콜드 데이터* 검출 및 이에 따른 시스템 이점과 다양한 활용 사례’를 다뤘고, 김홍규 TL(System SW)은 회사가 자체 개발한 CXL 최적화 소프트웨어인 HMSDK를 소개했다.

* 메모리 풀링(Memory Pooling): 대용량 메모리 풀(Pool)을 만들고 다수의 서버가 메모리 풀에서 필요한 만큼 메모리를 할당받아 사용할 수 있는 기술
* 핫-콜드 데이터(Hot-Cold Data): ‘Hot Data’는 매우 빈번하게 액세스, 업데이트되는 데이터를 가리키며, ‘Cold Data’는 자주 또는 전혀 액세스하지 않는 비활성 데이터를 의미

▲ HBM4 도입과 업계에 주는 시사점에 대해 발표하고 있는 김연수 TL(DRAM TP)

이어서 김연수 TL(DRAM TP)은 ‘The Next Chapter of HBM(다가올 HBM의 미래)’을 주제로 HBM 시장의 성장 배경과 최신 HBM3E 제품을 소개하고, 지속적으로 늘어나는 커스텀(Custom) 제품 요구에 적기 대응하기 위한 전략을 발표했다.

▲ 회사의 AiM 제품 강점을 설명 중인 임의철 부사장(Solution AT 담당)

생활 전반에 걸쳐 혁신적인 변화를 예고하는 생성형 AI를 위한 솔루션을 주제로 한 발표도 이어졌다. 임의철 부사장(Solution AT 담당)은 데이터센터부터 엣지 디바이스까지 LLM 서비스의 핵심 솔루션이 된 AiM 기술을 강조하며, 회사의 AiM 제품 소개와 미래 비전을 공유했다.

▲ LLM 학습 시스템 성능 향상을 위한 차세대 SSD에 대해 발표 중인 김종률 팀장(AI System Infra)

▲ LLM 학습 시스템 성능 향상을 위한 차세대 SSD에 대해 발표 중인 Kevin Tang TL(AI System Infra)

김종률 팀장(AI System Infra)과 Kevin Tang TL(AI System Infra)은 LLM 학습 시스템 장애로 인한 자원 및 비용 낭비를 줄이기 위한 기술인 체크포인팅*을 효과적으로 지원할 수 있는 차세대 SSD에 대한 연구 결과를 발표했다.

* 체크포인팅(Checkpointing): 학습 과정 중 특정 시점의 모델 파라미터와 관련 주요 데이터를 저장하여 시스템 장애 발생 시 저장된 특정 시점에서 학습을 재시작할 수 있도록 지원하는 기술

▲ 메모리 인접 연산 기술의 비전에 대해 발표하고 있는 김호식 부사장(SOLAB 담당)

김호식 부사장(SOLAB 담당)은 ‘Opportunities, Challenges, and Road Ahead in Data Centric Computing(데이터 센트릭 컴퓨팅의 기회, 도전과 방향성)’을 주제로 한 패널 세션에 참가했다. 이 자리에서 메모리와 프로세서 간의 데이터 병목 현상을 해결하기 위한 메모리 인접 연산* 기술의 비전에 관해 설명했다. 또, 이를 실제 시스템에 적용하기 위해 해결해야 하는 HW와 SW 레벨의 다양한 이슈와 방법에 대해 토론을 진행했다.

* 메모리 인접 연산(Near Memory Processing): 폰노이만 아키텍처의 한계인 메모리와 프로세서 간의 병목 이슈를 해결하기 위한 목적으로, 메모리 내부에서 특정 연산을 처리함으로써 프로세서의 이용 효율을 높이고 메모리와 프로세서 간의 데이터 이동량을 줄여 시스템 성능 및 TCO 개선을 가능하게 하는 차세대 메모리 솔루션 기술

▲ CXL 기술을 활용한 Composable Memory Systems의 중요성과 개발 방향성에 대해 공동 발표하고 있는 김명서 TL(AI Open Innovation)(오른쪽)

▲ CXL 기술을 활용한 Composable Memory Systems의 중요성과 개발 방향성에 대해 공동 발표하고 있는 잭래빗 랩스 담당자

▲ CXL 기술을 활용한 Composable Memory Systems의 중요성과 개발 방향성에 대해 공동 발표하고 있는 인텔 담당자

기술 파트너들과 공동으로 발표한 김명서 TL(AI Open Innovation)은 우버(Uber) 데이터센터의 쿠버네티스 클라우드* 환경에서의 문제점을 해결하기 위해 회사의 CXL 풀드 메모리 프로토타입과 잭래빗 랩스(Jackrabbit Labs)의 오픈소스 소프트웨어인 클라우드 오케스트레이션*을 활용한 성과를 소개했다. 이는 쿠버네티스 클라우드 환경에서 발생하는 스트랜디드 메모리* 이슈를 해결할 수 있도록 개발됐다. 앞으로도 다양한 빅테크 기술 파트너들과 협력해 생태계를 구축하고, 미래 시장에서의 기술 리더십을 강화할 것이라고 전했다.

* 쿠버네티스 클라우드(Kubernetes Cloud): 독립된 환경 및 애플리케이션을 하나로 통합하여 실행할 수 있도록 컨테이너화된 애플리케이션을 실행하기 위한 일련의 노드 머신
* 오케스트레이션(Orchestration): 컴퓨터 시스템과 서비스, 애플리케이션 설정을 자동화하여 컴퓨팅 자원을 관리하고 조정하는 것으로 여러 개의 작업을 함께 연결하여 크기가 큰 워크플로우나 프로세스를 실행하는 방식을 취함
* 스트랜디드 메모리(Stranded Memory): 메모리가 사용되지 않고 남는 이슈

SK하이닉스는 “이번 OCP 서밋을 통해 AI 중심으로 급격히 변하는 시장 환경에서 ‘글로벌 No.1 AI 메모리 프로바이더(Global No.1 AI Memory Provider)’로 성장하는 SK하이닉스의 혁신 기술을 선보일 수 있었다”라며 “앞으로도 장기적인 관점에서 기술력을 확보하고 고객 및 다양한 파트너사와의 협업을 통해 AI 시장의 핵심 플레이어가 될 것”이라고 전했다.

▲ TSMC OIP 포럼 2024에 참여한 SK하이닉스 부스

SK하이닉스가 25일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 개최된 TSMC OIP Ecosystem Forum 2024(이하 OIP 포럼)에 참가했다. 이번 행사에서 회사는 자사 HBM3E와 엔비디아(nVIDIA) H200 칩셋 보드를 함께 전시하며, 이 칩셋 제조사인 TSMC와의 전략적 파트너십을 강조했다. 또한, 10나노급 6세대(1c) 공정* 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개하며 굳건한 AI 리더십을 다시 한번 보여줬다.

H200·HBM3E 공동 전시, 고객·파운드리·메모리 3자 협업 강조해

OIP(Open Innovation Platform)는 TSMC가 반도체 생태계(Ecosystem) 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다.

OIP 포럼은 이들 기업이 신제품과 기술을 교류하는 자리로, TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 행사를 개최한다. 지난해에는 6개 지역에서 150개 이상의 전시와 220개 이상의 발표가 진행됐으며, 5,000여 명의 관계자가 모여 활발한 기술 교류를 펼쳤다.

▲ TSMC OIP에서 SK하이닉스 부스에 방문한 관람객들

SK하이닉스는 올해 처음으로 이 행사에 참여했다. ‘MEMORY, THE POWER OF AI’를 주제로 부스를 연 회사는 전략 제품을 전시하며 TSMC와의 협업을 강조했다. 구체적으로 ▲글로벌 No.1 HBM ▲AI/데이터센터 솔루션 등 두 개 섹션을 꾸리고 HBM3E, DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리를 선보였다.

특히 글로벌 No.1 HBM 섹션에서는 ‘HBM3E’와 ‘H200’을 공동 전시하며 주목받았다. 이를 통해 회사는 고객사·파운드리*·메모리 기업의 기술 협력을 부각했다. 3자 협력으로 성능 검증을 마친 HBM3E는 H200의 성능을 크게 향상시킬 것으로 기대된다.

▲ SK하이닉스가 최초 공개한 DDR5 RDIMM(1cnm) 실물과 DDR5 MCRDIMM, DDR5 3DS RDIMM, LPCAMM2, GDDR7, LPDDR5T

AI/데이터센터 솔루션 섹션에서는 ‘DDR5 RDIMM(1cnm)’ 실물을 처음으로 공개해 많은 관심을 모았다. DDR5 RDIMM(1cnm)은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대를 모은다.

이외에도 회사는 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 ‘DDR5 MCRDIMM*’과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 ‘DDR5 3DS RDIMM’ 등 고성능 서버용 모듈을 전시했다. 또, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 ‘LPCAMM2’, 세계 최고속 모바일 D램 ‘LPDDR5T’ 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 ‘GDDR7’까지 선보였다.

기술 발표, 3D패브릭 워크숍 참여하며 활발히 교류해

OIP 포럼은 기술 교류가 목적인 행사로, 이날 수많은 기술 발표가 진행됐다. SK하이닉스 이병도 TL(HBM PKG TE)은 ‘OIP 파트너 테크니컬 토크’ 세션 발표자로 무대에 올랐다. 그는 ‘HBM 품질 및 신뢰성 향상을 위한 2.5D SiP* 공동연구’를 주제로 발표에 나서며, 고성능·고효율 HBM 패키지를 개발하기 위해 TSMC와의 기술 협업 뿐만 아니라 여러 업체와의 협업 또한 중요하다는 것을 강조했다.

▲ OIP 파트너 테크니컬 토크에서 기술 발표를 하고 있는 이병도 TL(HBM PKG TE)

이번 발표에서 이 TL은 SK하이닉스의 HBM4 개발 방향 및 비전을 언급해 많은 청중의 이목을 끌었다. 그는 “TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것”이라며 “어드밴스드 MR-MUF* 또는 하이브리드 본딩* 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 계획”이라고 설명했다.

SK하이닉스는 TSMC 3D패브릭 얼라이언스 워크샵에도 참여, 활발한 기술 교류를 펼치며 기업과의 관계도 강화했다. 이는 TSMC가 3D 패키징 기술 고도화를 위해 발족한 것으로, 차세대 패키징 기술 관련 기업들은 이 네트워크를 통해 대규모 협력을 맺고 있다.

한편, SK하이닉스는 이번 행사를 ‘AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리’라고 평가했다. 회사는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.

* 10나노급 6세대(1c) 미세공정: 10나노급 D램 공정 기술은 1x-1y-1z-1a-1b 순으로 개발돼 1c는 6세대

뉴스룸은 1c 기술 개발 과정과 함께 SK하이닉스의 혁신 기술 역량과 D램 기술 로드맵에 대해 조명하는 좌담회를 진행했다. 이 자리에는 1c 기술 개발을 주도한 SK하이닉스 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 참석했다.

▲ 왼쪽부터 김형수 부사장(DRAM AE), 조영만 부사장(DRAM PI), 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST)

10나노급 6세대(1c) 미세공정 개발 성공, 모두가 함께 만든 ‘기술 신화’

1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. 성능뿐만 아니다. SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했으며 원가 절감까지 이루어냈다.

1c 기술은 어떤 기술적 도전과 한계를 뚫고 탄생했으며, 회사 기술진은 어떻게 ‘세계 최초’라는 타이틀을 달성할 수 있었을까? 각 조직의 역할을 중심으로 이야기가 오갔다.

▲ 왼쪽부터 김형수 부사장(DRAM AE), 오태경 부사장(1c Tech TF), 조영만 부사장(DRAM PI)

오태경(1c Tech TF): 1c 기술 개발을 총괄한 1c Tech TF의 가장 큰 목표는 ‘1등 개발’이었습니다. 이를 위해 우리는 이미 우수성이 증명된 1b 플랫폼을 확장하는 방식으로 개발하는 전략을 선택했습니다. 그리고 기존의 3단계(테스트, 설계, 양산 준비) 개발 방식을 2단계(설계, 양산 준비)로 효율화했으며, 커패시터(Capacitor) 모듈과 같은 고난도의 기술 요소를 양산 공정에서 바로 개발하는 방식을 택했습니다. 덕분에 전세대 제품 대비 2개월이나 단축해 1c 기술 개발에 성공할 수 있었습니다.

조주환(DRAM 설계): 최고 경쟁력이 입증된 1b 기술을 경험한 덕분에 기술적 위험도는 줄었으나, 작아진 셀 크기와 커진 저항으로 인해 여전히 해결해야 하는 문제들이 많았습니다. 이를 위해 회로 밀도와 센싱 성능을 높이는 등 다양한 설계 혁신을 통해, 데이터 처리 속도는 높이고 전력 소비는 줄이는 데 성공했습니다. 또, 공정 조직과 협업해 넷다이(Net-die)*를 극대화하며, 원가 경쟁력까지 확보했습니다.

* 넷다이(Net-die): 반도체 제조 과정에서 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 유효한 칩(Die)의 수

조영만(DRAM PI): 1b 플랫폼을 확장하는 방식은 1c 기술의 공정 고도화 과정에서 시행착오를 줄이는 데 주효했습니다. 1b의 경험을 바탕으로 1c 기술에서 발생할 수 있는 문제를 사전에 예측하고 해결할 수 있었는데요. 특히, 트랜지스터 열화*와 신규 소재 적용에 따른 품질 리스크를 조기에 발견하고 개선함으로써, 미세화된 소자의 신뢰성을 확보할 수 있었습니다.

* 열화: 절연체가 내/외부적인 영향에 따라 화학적 및 물리적 성질이 나빠지는 현상

▲ 왼쪽부터 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발TEST), 조주환 부사장(DRAM 설계)

정창교(DRAM PE): 새로운 기술을 개발할 때는 전에 없던 새로운 문제에 직면하게 마련입니다. 특히, 공정이 미세화되면서 과거와는 다른 특성들이 더 중요해지고, 이로 인해 수율 저하 등 문제가 발생할 수 있는데요. 1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍* 기술을 활용하여 수율과 품질을 확보했습니다.

* 트리밍(Trimming): 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈(eFuse)를 활용하여 성능을 상향시키는 기술

손수용(개발TEST): 1c 기술의 적기 목표 달성을 위해 1c DDR5 제품의 테스트 시간 단축이 큰 도전이었습니다. 특히, 다른 주력 제품의 일정과 거의 같은 시기에 개발이 진행되며 더욱 효율적으로 테스트 운영을 해야 했는데요. 이를 위해 테스트 인프라를 추가로 확보했으며, 실장 시스템을 전략적으로 적용해 일정보다 빠르게 테스트 공정을 완료할 수 있었습니다.

김형수(DRAM AE): 가장 큰 기술적 도전은 1c DDR5의 초고속 고성능 특성을 검증하는 것이었습니다. 업계 최고 속도를 달성한 1c DDR5의 성능을 시스템 레벨에서 정상적으로 구현하기 위해서 8Gbps 동작이 가능한 검증 인프라를 최초로 자체 개발했습니다. 이와 함께 검증과 잠재적 불량을 예측할 수 있는 소프트웨어도 직접 개발하여 우리만의 독보적인 경쟁력을 확보했습니다.

독보적인 1등 기술 리더십의 저력, ‘원팀’의 힘

이처럼 SK하이닉스가 D램 시장에서 독보적인 기술 리더십을 발휘할 수 있는 저력은 무엇일까? 좌담회 참여자 모두가 한목소리로 ‘유기적인 협업’과 SK하이닉스의 ‘원팀(One Team)’ 정신을 이야기했다.

▲ 오태경 부사장(1c Tech TF)

오태경(1c Tech TF): TF 운영을 비롯한 일하는 방식의 변화부터 플랫폼 기반 개발, 조기 양산 팹 운영 전략 등 다방면에 혁신이 더해지며 SK하이닉스의 기술 개발 역량은 점점 더 강해지고 있다고 생각하는데요. 무엇보다 구성원들의 원팀 정신이 모든 성과를 견인했다고 생각합니다. 앞서 이야기한 2단계 개발 방식 도입과 EUV 패터닝 성능 및 원가 개선을 위한 신규 소재 개발 등은 탄탄한 협업 체계가 없었다면 성공할 수 없었을 것입니다.

▲ 정창교 부사장(DRAM PE)

정창교(DRAM PE): 1c 기술 개발 과정에서 가장 중요한 요소는 원팀 문화였습니다. ‘최초’라는 타이틀에 따라오는 많은 기술적 도전을 극복하기 위해, 각 조직이 긴밀하게 협력하여 문제를 조기 발견했고, 해결했기 때문입니다. 특히, DRAM PE 조직이 스크린 최적화를 진행하는 과정에서 설계 및 공정 조직과의 긴밀한 협업이 핵심적인 역할을 했습니다.

▲ 김형수 부사장(DRAM AE)

김형수(DRAM AE): 미세 공정의 난이도는 점점 높아지고 그에 따른 다양한 기술적 난제가 존재하고 있습니다. 하지만 이를 해결할 힘은 결국 여러 유관 조직이 같은 목표를 향해 나아가는 원팀 정신이라고 생각합니다.

<내부 협업 체계뿐만 아니라 고객과의 협력도 중요합니다. D램은 고객 시스템에 탑재되어 동작하는 제품입니다. 제품 기획에서부터 설계-공정-테스트-검증까지 모든 개발 과정에서 고객의 관점을 반영해야 합니다. 이를 위해서는 고객과의 끊임없는 소통과 기술 협력이 필수입니다.

1c 기술을 넘어, 차세대 D램 기술에서도 1등 수성할 것

1c 개발의 의의는 무엇보다 이 기술이 HBM, LPDDR, GDDR 등 모든 차세대 D램 제품군에 적용된다는 데 있다. 1c 기술은 앞으로 어떤 기술 혁신을 불러올 것이며, SK하이닉스의 D램은 어떤 방향으로 발전할까?

▲ 손수용 부사장(개발TEST)

손수용(개발TEST): 1c 개발 성공으로 SK하이닉스는 압도적인 기술 경쟁력을 입증했습니다. 하지만 1c DDR5는 시작일 뿐입니다. 앞으로 1c 기술은 다양한 D램 제품에 적용되어 지속가능한 성장과 혁신을 이끌어갈 것이며, 다양한 고객 니즈에 완벽하게 부응할 것이라 기대합니다.

▲ 조영만 부사장(DRAM PI)

조영만(DRAM PI): 1c 기술을 넘어 D램 기술은 점점 더 미세화될 것입니다. 특히, 10나노 아래 한 자릿수 기술로 넘어가는 시점이 오면 기존 방식으로는 한계가 있을 것이라 예상되는데요. 이를 극복하기 위해서는 소재 및 장비의 성능을 극대화하는 것뿐만 아니라 2D 셀에서 3D 셀로의 구조 변화, 이종접합 등과 같은 기술 혁신 역시 필요할 것입니다. 이에 효과적으로 대응하기 위해, SK하이닉스의 D램 기술 개발 체계 역시 지속적으로 고도화하고 있습니다.

▲ 조주환 부사장(DRAM 설계)

조주환(DRAM 설계): 회사가 D램 기술 리더십을 지켜가기 위해서는 장기적인 기술 로드맵을 바탕으로 핵심 기술을 미리 준비해야 합니다. 설계 측면에서는 차세대 미세 공정 도입 시 수반되는 리스크를 정교하게 예측하는 시스템 개발 등 설계 시스템을 더욱 고도화해 구성원의 부담을 줄이고, 더 나아가 회사의 경쟁력을 이어갈 수 있게 노력하겠습니다.

SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다. 최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술은 앞으로 회사의 1등 리더십을 더욱 공고히 해줄 것으로 기대를 모으고 있다. 끝으로, 좌담회 참여자들은 D램의 새로운 패러다임을 연 주역으로서 소감과 포부를 전했다.

▲ 왼쪽부터 조영만 부사장(DRAM PI), 손수용 부사장(개발 TEST), 오태경 부사장(1c Tech TF), 정창교 부사장(DRAM PE), 조주환 부사장(DRAM 설계), 김형수 부사장(DRAM AE)

오태경(1c Tech TF): 1등 개발이 끝이 아닙니다. 남은 기간 동안 부족한 부분을 보완하여 안정적인 양산 수율과 원가 경쟁력을 지속 개선할 계획이며, 이를 통해 SK하이닉스의 1등 리더십을 사수하겠습니다.

조주환(DRAM 설계): SK하이닉스는 이제 DDR5 개발에서 진정한 선두 주자로 자리매김했습니다. 1c 기술의 성공을 기반으로, 1d 및 그 이후 세대에서도 혁신적인 제품을 선보일 수 있도록 지속적으로 경쟁력을 강화하겠습니다.

조영만(DRAM PI): AI 메모리 수요가 폭발적으로 증가하며, 고성능 메모리에 대한 고객들의 기대 역시 커지고 있는 상황입니다. 이러한 시점에 1c DDR5 개발에 성공한 것은 매우 고무적인 성과라 생각합니다. 이를 바탕으로 SK하이닉스의 DDR5가 고성능 AI 메모리 시장을 선점할 수 있도록 계속해서 노력하겠습니다.

정창교(DRAM PE): SK하이닉스의 기술 리더십이 세계 최고임을 증명했으며, 시장에서 필요로 하는 제품을 적기 개발하여 고객의 신뢰까지 높였다는 것이 기쁘고 자랑스럽습니다. 이후에도 수율과 품질 문제를 해결하여 더욱 완성도 있는 제품을 출시할 수 있도록 노력하겠습니다.

손수용(개발TEST): 이번 성과는 오랜 노력의 결실이라 생각합니다. SKMS(SK Management System)를 기반으로 우수한 기업 문화와 원팀 협업을 통해 지속적으로 성장하고 발전할 수 있도록 앞으로도 구성원들과 함께 노력하겠습니다.

김형수(DRAM AE): SK하이닉스의 1c DDR5는 앞으로 고성능 서버 시스템의 기준이 될 것이고, 압도적인 기술력으로 시장을 선도할 것입니다. 개발에 참여한 모든 구성원들의 노력과 헌신의 결과라고 생각합니다. 앞으로도 세계 최고라는 타이틀을 지켜나갈 수 있도록 함께 노력하겠습니다.

▲ SK하이닉스 HBM PE 담당 박문필 부사장

기술 기업에게 ‘1등’이라는 영예로운 타이틀은 스스로 부여하는 게 아니라, 고객과 시장의 철저한 검증과 평가를 거쳐야 얻을 수 있는 것이다. SK하이닉스가 HBM 시장 글로벌 1등이 된 배경에는 최상의 기술력을 확보한 것은 물론, 업계 안에서 실력을 객관적으로 인증 받아온 치열한 과정이 있다.

SK하이닉스는 HBM 품질 검증을 성공적으로 통과하고 TTM*을 최단 기간으로 단축해 1등 위상을 더욱 확고히 했다는 평가를 받고 있다. 여기에는 특히 HBM 제품 테스트, 고객 인증 및 전체 시스템 레벨에서의 솔루션 등을 제공하는 백엔드(Back-End) 업무와 함께 신제품 개발 및 사업화 추진 지원 업무를 수행하는 HBM PE(Product Engineering) 조직의 역할이 컸다.

* TTM(Time To Market): 제품이 구상되고 시장에 나오기까지 걸리는 시간

뉴스룸은 SK하이닉스 HBM PE 담당 박문필 부사장을 만나 조직의 역할과 비전에 관해 이야기를 나눴다.

백엔드 역량 결집, 고객과의 밀착 소통으로 HBM 1등 품질 이끌어

▲ SK하이닉스 HBM PE 조직의 주요 역할

“HBM PE는 제품 테스트, 고객 인증 등 백엔드(Back-End) 업무를 담당하는 팀을 한데 모은 조직입니다. 모든 자원을 한 방향으로 집중해 업무 효율을 높였고, 즉각적으로 협업이 가능한 구조를 만들어 개발 경쟁력까지 강화했습니다.”

SK하이닉스는 올 초 전사적으로 HBM 경쟁력을 강화하기 위해 관련 역량과 기능을 결집한 ‘HBM Business’ 조직을 신설했다. 산하 조직인 HBM PE 조직 역시 ▲HBM 제품 테스트 및 검증을 통해 품질 관리를 담당하는 Product Engineering팀 ▲시스템 레벨에서 제품을 평가하는 Application Engineering팀 ▲제품 적기 개발 및 사업화 추진을 위해 고객과 회사간 협업을 주도하는 Project Management팀을 산하에 배치해 전문성을 강화했다.

박 부사장은 HBM 1등 리더십을 수성하기 위해 가장 중요한 것으로 ‘적기(適期)’를 꼽으며, “제품을 적시에 개발하고 품질을 확보하여 고객에게 전달하는 것이 가장 중요하다”고 설명했다. 또, 그는 “HBM PE 조직은 품질 경쟁력뿐만 아니라 제품 생산성까지 극대화하는 데 많은 노력을 기울이고 있다”고 덧붙혔다.

“HBM은 적층되는 칩의 수가 많은 만큼 여러 품질 문제가 발생할 수 있습니다. 또, GPU와 결합하는 SiP(System in Package) 등 다양한 조건에서 성능을 종합적으로 확인해야 하기에 테스트 과정이 오래 걸릴 수밖에 없죠. 때문에 제품을 빠르게 검증하고, 고품질을 확보할 수 있는 테스트 베이스라인을 만드는 것이 중요합니다.

HBM PE 조직은 제품의 개선점을 빠르게 찾아 양산 역량까지 확보할 수 있는 기술 노하우를 보유하고 있습니다. 대표적으로, 내부 검증 절차를 통해 HBM3E의 완성도를 높인 후 고객 테스트를 단 한 번의 문제도 없이 통과한 사례가 이를 입증합니다.”

▲ SK하이닉스 HBM PE 담당 박문필 부사장

고객의 목소리에 귀 기울여 HBM의 품질을 더 높이고, 신제품 기획 및 개발 일정을 조율하는 것 또한 HBM PE 조직의 주요 임무다. 이를 위해 박 부사장은 HBM 주요 고객사를 위한 오픈랩(Open Lab)을 운영 중이며, 이 랩은 대내외 소통 창구 역할을 하며 주어진 과제에 기민하게 대응하고 있다.

“HBM PE는 고객별 전담 엔지니어들을 배정해 고객과 밀접하게 소통하고 있으며, 사내 유관부서와도 긴밀하게 협업하며 문제를 해결하고 있습니다. 제품 개발 단계에서는 백엔드를 맡고 있지만, 고객과 시장의 관점에서는 가장 최전방에서 뛰고 있는 프론트엔드(Front-End)를 맡고 있다는 자부심으로 구성원 모두가 똘똘 뭉쳐 있습니다.”

조직 성장의 히스토리 잇고 HBM 경쟁력 이끄는 ‘원팀(One Team) 문화’

▲ SK하이닉스 HBM PE 담당 박문필 부사장

박 부사장은 입사 후 약 15년간 D램 설계 직무를 수행한 후 2018년 D램 PE 직무로 전환했다. 당시 4명의 소수 구성원으로 출발했던 팀은 5년여 만에 70여 명의 조직으로 성장했다. PE 업무에 자신이 보유한 D램 설계 노하우를 접목시키며 혁신을 불어넣은 박 부사장의 노력 덕분이었다.

그동안 사내 SKMS 실천상을 4번이나 수상하며 능력을 인정받았던 박 부사장은 가장 난이도가 높았던 제품으로 HBM을 꼽았다.

“지난 2022년, 쉽지 않았던 HBM3 고객 인증을 잘 해결해냈던 일이 기억에 남습니다. 고객사 제품의 출시를 목전에 둔 상황이었고, 우리는 다운턴 시기로 회사가 어려웠던 때이기도 했습니다. 밤낮을 가리지 않고 하루에도 여러 차례 유관 부서와 협업을 진행하며 문제를 풀 수 있었죠. 우리는 여기에 안주하지 않고 고객 시스템 레벨에서 적용할 수 있는 솔루션까지 확보하며 대응 역량의 수준을 한층 높이는 성과도 얻었습니다.”

▲ HBM PE 담당 박문필 부사장이 수상한 SK그룹 ‘2024 SUPEX추구대상’ 트로피

HBM PE의 성과는 HBM 매출 상승과 회사 실적 반등의 기반이 되었다. 박 부사장은 그 근간에 협업을 중시하는 ‘원팀(One Team) 문화’가 있다고 강조했다.

“우리 조직은 각 팀의 업무에 대한 상호 존중과 신뢰를 바탕으로 서로가 현안을 투명하게 공유하고, 각자의 경험과 노하우를 바탕으로 다양한 의견을 적극 개진하고 있습니다. 조직 내 모든 구성원들이 흡사 공전과 자전을 반복하며, 각자 최적의 궤도를 유지하면서 하나로 뭉친 행성계처럼 움직이고 있는데요. 저는 이 유기적인 시스템이 앞으로도 오래도록 지속될 것이라고 자신합니다.”

HBM의 성과에 대한 공로를 인정받으며, 지난 6월 박 부사장은 회사 핵심 기술진과 함께 SK그룹 최고 영예인 ‘2024 SUPEX추구대상’을 수상했다.

박 부사장은 “이번 수상이 값진 이유는 무엇보다 우리 구성원들의 노력과 희생을 인정받았다는 점”이라며 “이러한 성공의 사이클을 반복하다 보면, 결국 ‘1등 자부심’이 SK하이닉스의 DNA로 자리 잡을 것이며 나아가 회사의 저력으로 발현될 것이라고 믿는다”고 소감을 전했다.

차세대 HBM 성공과 미래 기술력 확보 위해 ‘1등 자부심’ 지켜가야

▲ SK하이닉스 HBM PE 담당 박문필 부사장

박 부사장의 다음 목표는 12단 HBM3E와 HBM 6세대 제품인 HBM4의 성공적인 사업화다. 그는 “객관적인 데이터를 바탕으로 우리 제품의 압도적인 성능과 경쟁력을 고객이 이해할 수 있도록 기술 협업 및 신뢰 관계를 잘 구축해 나가겠다”며 “특히, 새로운 HBM 시대에 대비해 백엔드 미래 기술을 확보하는 데도 집중할 것”이라고 강조했다.

“앞으로 HBM은 고객별 맞춤형 커스텀(Custom) 제품으로 다양하게 변모할 것입니다. 새로운 제품 설계 방식이 도입됨에 따라, 테스트 관점에서도 기존 패러다임의 전환이 이루어질 것으로 예측하고 있습니다. HBM PE 조직은 이에 대비해 다양한 이해관계자들과 협업 프로세스를 구축하며 관련 인프라를 확충하고, 이 분야 인재들을 발굴·육성하기 위해 노력할 것입니다.”

▲ SK하이닉스 HBM PE 담당 박문필 부사장

끝으로, 박 부사장은 세계 1등 HBM의 백엔드 조직을 이끄는 수장으로서 구성원들에게 ‘1등 자부심’을 가지기를 당부했다.

“SK하이닉스의 이번 성공은 결코 우연이 아니며, 장기간의 비전에 따른 노력의 결과물입니다. 그리고 우리는 AI 시대의 최전선에서 앞날을 개척하고 있는 ‘주인공’입니다. 1등이라는 자부심을 가지고 지금보다 더 큰 미래를 위해 치열하게 고민하고 준비합시다.”