SK하이닉스가 국내 반도체 기업 최초로 여성가족부가 지정하는 ‘가족친화 최고기업’에 선정됐다고 19일 밝혔다.

여성가족부는 매년 심사를 통해 가족친화 제도를 모범적으로 운영하는 기업에 ‘가족친화인증’을 부여하고 있다. 대기업^*의 경우 이 인증을 15년 동안 유지하면 ‘가족친화 최고기업’으로 선정된다.

* 중소기업은 12년

SK하이닉스는 2009년 처음으로 가족친화인증을 받았는데 올해 재인증을 획득, 15년 유지 조건을 충족하면서 가족친화 최고기업으로 선정된 것이다.

회사는 그동안 구성원들이 출산, 육아 등에 대한 부담을 덜고 일에 집중할 수 있는 환경을 지원하기 위해 사내의 다양한 의견과 선호를 수렴한 제도를 도입, 운영하고 확대해 왔다.

SK하이닉스는 우선 정부 시책에 부응해 구성원들의 출산율을 높인다는 목표로 ▲난임 휴가 및 난임 의료비 지원 ▲임신 전체 기간 임산부 단축 근로제 ▲다자녀 출산 축하금 지급 등을 시행하고 사업장 내 예비 부모를 위한 편의시설도 확충했다.

회사는 또 여성 구성원이 자녀를 양육하면서도 경력을 유지할 수 있도록 ▲특별 육아휴직 ▲입학자녀 돌봄휴직 등 제도적 지원을 지속해 왔다.

SK하이닉스는 구성원들이 충분한 리프레시(Refresh) 기회를 부여받으며 가정을 돌보고 업무에 몰입할 수 있도록 하는 다양한 프로그램도 진행 중이다.

회사는 지난해 4월 의무 근로시간을 충족한 구성원들이 월 1회 금요일 재충전의 시간을 가지는 ‘해피프라이데이(Happy Friday)’ 제도를 도입했고, 장기근속휴가를 5년 단위 1주, 10년 단위 3주로 확대 적용했다.

이와 함께, 구성원 가족을 일터로 초청하는 반도체 팹(Fab) 견학 프로그램, 구성원과 가족이 함께 즐기는 휴양 시설 제공 프로그램 등 가족 참여형 복지도 다양하게 시행해 왔다.

SK하이닉스 신상규 부사장(기업문화담당)은 “구성원들의 연령, 세대, 성별, 일하는 방식 등에 맞춰 가족친화적인 기업문화를 꾸준히 정착시켜 온 노력을 정부로부터 인정받아 매우 기쁘다”고 말했다.

신 부사장은 또, “앞으로도 가족친화 경영에 힘써 저출산, 여성인재 경력 단절 등 사회적 문제 해결에 기여하는 한편, 반도체 우수인재들이 최고의 역량을 발휘할 수 있는 탄탄한 기업문화를 다져 글로벌 초일류 회사로 도약하도록 노력하겠다”고 덧붙였다.

사진1. SK하이닉스 구성원과 자녀들이 함께한 영어캠프

사진2. 반도체에 대해 설명을 듣고 있는 SK하이닉스 구성원과 가족들

SK하이닉스는 7일 이사회 보고를 거쳐 2024년 조직개편과 임원인사를 단행했다고 밝혔다.

회사는 “올해 도전적인 글로벌 경영환경에서 당사는 다운턴 위기를 이겨내면서 HBM(High Bandwidth Memory)을 중심으로 AI 메모리를 선도하는 기술 경쟁력을 시장에서 확고하게 인정받았다”며, “이런 흐름에 맞춰 이번 조직개편과 임원인사를 통해 회사의 AI 기술 경쟁력을 한층 공고히 하는 한편, 고객 요구와 기술 트렌드에 부합하는 혁신을 선도하고자 한다”고 밝혔다.

우선 SK하이닉스는 미래 AI 인프라 시장에서 경쟁 우위를 유지한다는 목표로 ‘AI Infra’ 조직을 신설하기로 했다.

‘AI Infra’ 산하에 지금까지 부문별로 흩어져 있던 HBM 관련 역량과 기능을 결집한 ‘HBM Business’가 신설되고, 기존 ‘GSM(Global Sales & Marketing)’ 조직도 함께 편제된다. AI Infra 담당에는 GSM 김주선 담당이 사장으로 승진해 선임되었다.

또, ‘AI Infra’ 산하에 ‘AI&Next’ 조직이 신설돼 차세대 HBM 등 AI 시대 기술 발전에 따라 파생되는 새로운 시장을 발굴, 개척하는 패스파인딩(Pathfinding) 업무를 주도하기로 했다.

다음으로, 회사는 낸드(NAND)와 솔루션(Solution) 사업 경쟁력을 강화하기 위해 ‘N-S Committee’를 신설한다. 낸드, 솔루션 사업의 컨트롤 타워 역할을 맡게 될 이 조직은 제품 및 관련 프로젝트의 수익성과 자원 활용의 효율성을 높이는 업무를 담당한다.

이와 함께, SK하이닉스는 미래 선행기술과 기존 양산기술 조직 간 유기적인 협업을 주도하고 시너지를 창출하기 위해 CEO 직속으로 ‘기반기술센터’를 신설하기로 했다.

마지막으로, 회사는 글로벌 환경 변화에 민첩하게 대응하기 위해 기존 ‘Global Operation TF’와 함께 관련 조직과 인력을 ‘Global성장추진’ 산하로 재편한다.

한편, SK하이닉스는 1983년생 이동훈 담당을 승진 보임하는 등 신규임원 18명을 선임하며, 미래 성장기반이 될 젊고 유능한 기술 인재를 육성한다는 기조를 이어 갔다. 특히, 회사는 신임 연구위원에 여성 최초로 오해순 연구위원을 발탁하는 등 조직문화에 다양성과 역동성도 불어넣었다고 강조했다. 아울러, 소재개발 관련 최고 수준의 전문가인 길덕신 연구위원을 수석 연구위원으로 승진시켰다.

곽노정 대표이사 사장은 “이번 조직개편과 임원인사를 통해 당사는 고객별로 차별화된 스페셜티(Specialty) 메모리 역량을 강화하면서 글로벌 시장을 이끌어가는 AI 인프라(Infra) 핵심 기업으로 진화, 발전하도록 노력하겠다”고 말했다. [끝]

■ SK하이닉스 정기 임원인사 명단

□ 사장 승진 (1명)

□ 신규 선임 (12명)

□ 연구위원 선임 (6명)

SK하이닉스가 초당 9.6Gb(기가비트)의 데이터를 전송할 수 있는 현존 최고속 모바일용 D램인 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’*의 16GB(기가바이트) 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다고 13일 밝혔다.

* LPDDR: 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량의 최소화를 목적으로 하고 있어 저전압 동작 특성을 갖고 있음. 규격명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전으로, 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품임

SK하이닉스는 지난 1월 LPDDR5T 개발에 성공한 직후부터 글로벌 모바일 AP(Application Processor)* 기업들과 성능 검증을 진행하며 제품 상용화를 준비해 왔다.

* 모바일 AP(Application Processor): 스마트폰, 태블릿 등 모바일 기기에서 두뇌 역할을 하는 반도체 칩. 연산, 그래픽, 디지털 신호처리 등 한 개의 칩에 완전 구동이 가능한 제품과 시스템이 들어 있는 시스템온칩(System on Chip, SoC) 형태의 중앙처리장치

SK하이닉스는 “역대 최고 속도가 구현된 LPDDR5T는 스마트폰의 성능을 극대화할 수 있는 최적의 메모리”라며 “당사는 앞으로 이 제품 활용 범위를 넓히면서 모바일 D램의 세대교체를 이끌겠다”고 강조했다.

LPDDR5T 16GB 패키지는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다. 또, 이 패키지의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

최근 회사는 이 제품을 글로벌 스마트폰 제조사인 비보(Vivo)에 납품하기 시작했다. 비보는 자사 최신 플래그십(Flagship) 스마트폰인 ‘X100’과 ‘X100 프로(Pro)’에 SK하이닉스의 최신 메모리 패키지를 탑재해 출시한다고 같은 날 발표했다.

이 스마트폰에는 LPDDR5T와 함께 미디어텍(MediaTek)의 최상위 모바일 AP 제품인 ‘디멘시티(Dimensity) 9300’이 탑재됐다. 앞서 SK하이닉스는 지난 8월 LPDDR5T를 미디어텍의 모바일 AP에 적용해 진행한 성능 검증을 성공적으로 완료했다고 발표한 바 있다.

SK하이닉스 박명수 부사장(DRAM마케팅담당)은 “AI 시대가 본격화되면서 스마트폰은 온디바이스(On-Device) AI* 기술이 구현되는 필수 기기로 부상하고 있다”며, “이에 따라 모바일 시장에서 고성능, 고용량 모바일 D램에 대한 수요가 늘고 있다”고 말했다.

* 온디바이스(On-Device) AI: 물리적으로 떨어진 서버의 연산을 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술. 스마트기기가 자체적으로 정보를 수집하고 연산하기 때문에 AI 기능의 반응 속도가 빨라지고 사용자 맞춤형 AI 서비스 기능도 강화되는 장점이 있음

이어 박 부사장은 “당사는 시장 수요를 잘 맞춰가는 한편, AI 메모리에서 확보한 기술 리더십을 바탕으로 프리미엄 D램 시장을 지속적으로 선도해 갈 것”이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조 662억 원, 영업손실 1조 7920억 원(영업손실률 20%), 순손실 2조 1847억 원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다. (K-IFRS 기준)

SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다”며 “특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다”고 설명했다.

회사는 또 “무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다”고 강조했다.

매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP, Average Selling Price) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다.

제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD(Solid State Drive) 중심으로 출하량이 늘었다.

흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망이다. 적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있어 회사는 전사 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 입장이다.

실제로 올 하반기 메모리 공급사들의 감산 효과가 가시화되는 가운데 재고가 줄어든 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있으며 제품 가격도 안정세에 접어들고 있다.

이런 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. 회사는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV*에 대한 투자를 확대한다는 계획이다.

* TSV(Through Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 기술

SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “당사는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위(首位)를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다.

■ 2023년 3분기 경영실적 비교표 (K-IFRS 기준)

 
※ 한국채택국제회계기준(K-IFRS)을 적용해 작성되었습니다.
※ 同 실적 발표자료는 외부 감사인의 회계검토가 완료되지 않은 상태에서 작성되었으며, 회계 검토 과정에서 달라질 수 있습니다.

SK하이닉스가 현존 모바일용 D램 최고속도인 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)를 구현한 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’*의 상용화에 나섰다. 회사는 최근 LPDDR5T를 미국 퀄컴 테크놀로지(Qualcomm Technologies; 이하 퀄컴)의 최신 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼(Snapdragon® 8 Gen 3 Mobile Platform)에 적용할 수 있다는 인증을 업계 최초로 받았다고 25일 밝혔다.

* LPDDR: 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량의 최소화를 목적으로 하고 있어 저전압 동작 특성을 갖고 있음. 규격명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전으로, 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품임

SK하이닉스는 지난 1월 LPDDR5T 개발을 완료한 직후부터 협력 파트너 회사인 퀄컴과 호환성 검증 작업을 진행해 왔다. 이를 통해 양사는 LPDDR5T와 퀄컴의 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼이 결합된 스마트폰에서 두 제품 모두 우수한 성능을 발휘한다는 결과를 도출했다.

SK하이닉스는 “글로벌 유력 통신칩 기업인 퀄컴을 비롯한 주요 모바일 AP(Application Processor) 기업들로부터 성능 검증을 마친 만큼, 앞으로 LPDDR5T가 모바일 기기에 적용되는 범위는 급속히 넓어질 것”이라고 강조했다.

회사는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 만든 16GB(기가바이트) 용량 패키지 제품을 고객에게 공급할 예정이다. 이 패키지의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

또, LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동해 전력소모 측면에서도 강점을 보유한 제품이다.

SK하이닉스 기술진은 이 제품 개발 과정에서 HKMG(High-K Metal Gate)* 공정을 적용해 속도와 전력효율성 모두에서 성능을 높일 수 있었다. 이를 통해 다음 세대인 LPDDR6가 나오기 전까지 모바일용 D램 시장에서 LPDDR5T가 큰 비중을 차지할 것으로 회사는 기대하고 있다.

* HKMG: 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있음. SK하이닉스는 지난해 11월 HKMG 공정을 모바일 D램에는 세계 최초로 도입함

퀄컴 지아드 아즈가(Ziad Asghar) 수석 부사장(Product Management 담당)은 “스냅드래곤8 3세대 제품은 생성형 AI 기반의 대규모 언어 모델(LLM)과 대규모 시각 모델(LVM)을 저전력에서 지연 없이 구동시킨다”며 “스냅드래곤 모바일 플랫폼과 SK하이닉스의 최고속 모바일 D램이 결합해 스마트폰 사용자들이 놀라운 AI 기능을 경험할 수 있게 될 것”이라고 말했다.

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 “LPDDR5T가 초고성능 모바일 D램에 대한 글로벌 고객들의 니즈(Needs)를 충족시킨다는 점을 확인해 기쁘다”고 말했다.

또, 류 부사장은 “앞으로 스마트폰은 AI 기술이 구현되는 핵심 기기로 성장할 것으로 전망되며, 이를 위해서는 모바일용 D램을 통해 스마트폰 성능이 계속해서 향상돼야 한다”며, “당사는 퀄컴과의 협력을 지속 강화해 이 분야 기술력을 높여가도록 노력하겠다”고 덧붙였다.

SK하이닉스는 18일부터 26일까지 하반기 신입사원 수시채용 서류접수를 진행하고 있다고 20일 밝혔다. 모집 직무는 설계, 소자, R&D, Solution 설계, 양산기술 P&T 등 11개 분야로, 회사는 서류접수 이후 약 2개월간 채용 일정을 진행해 오는 12월 최종합격자를 발표할 예정이다.

SK하이닉스는 “이번 채용부터 전형 절차를 지원자에게 보다 편리하게 대폭 개선했다”고 강조했다.

회사는 “자기소개서 간소화 등 서류전형을 개편했고, 필기전형인 SKCT(SK Competency Test)는 온라인 전환했다”며, “지원자들은 복잡하고 많은 분량의 서류 양식과 집합식 시험의 부담에서 벗어나 자유롭게 자신의 경험과 역량을 보여줄 수 있게 됐다”고 설명했다.

우선, 서류전형에서 기존에 지원자가 8개 문항 각 1000자씩 작성해야 했던 자기소개서는 5개 문항(필수 3개, 선택 2개)에 각 문항당 600자로 양식이 개편됐다. SK하이닉스는 지원자가 자신의 가치관과 직무 관련 경험을 ‘해시태그(#)’로 선택할 수 있도록 해 스스로를 어필하는 기회도 늘리기로 했다. 이와 함께 그동안 오프라인으로 진행했던 SKCT를 이번 채용부터 온라인으로 전환해 지원자들의 불편을 덜어주기로 했다.

SK하이닉스는 올해 상반기 채용부터 직무적합성 면접과 함께 ‘문화적합성 면접’을 진행했는데, 이를 이번 하반기 채용에도 적용하기로 했다.

문화적합성 면접은 지원자가 조직과 시너지를 내면서 회사의 핵심가치를 실천할 수 있는지를 확인하는 절차다. 긴장된 분위기에서 문답식으로 진행하는 일반 면접과 달리 지원자가 편안한 분위기에서 주도적으로 솔직하게 자신의 이야기를 하는 형식을 택해 지원자들의 호응을 얻은 바 있다고 회사 측은 전했다.

SK하이닉스 신상규 부사장(기업문화 담당)은 “갈수록 치열해지는 글로벌 반도체 산업의 경쟁을 이겨내기 위해 우수인재 확보는 회사에 가장 중요한 과제”라며, “지원자에게 편리한 방향으로 전형 과정 전반을 개선한 만큼, 미래 반도체 인재들이 당사에 더 큰 관심을 가져줄 것으로 기대한다”고 말했다.

▲ 최태원 SK 회장이 15일 경기도 용인시 원삼면에 위치한 용인 반도체 클러스터 현장사무소에서 SK하이닉스 박정호 부회장, 곽노정 사장(사진 오른쪽부터)이 참석한 가운데 관계자들을 격려하고 있다.

최태원 SK 회장이 15일 경기 용인시 원삼면에 건설 중인 ‘용인 반도체 클러스터’(이하 용인 클러스터)를 방문했다고 SK하이닉스가 이날 밝혔다.

SK하이닉스는 “지난 6월부터 용인 클러스터 부지 조성작업이 본격화된 가운데, 최 회장은 이날 공사 현황을 점검하고 구성원들을 격려하기 위해 현장을 찾았다”고 설명했다.

현장에서 사업현황을 보고받은 최 회장은 “용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트”라고 격려한 뒤 “클러스터 성공을 위한 경쟁력을 확보하는데 최선을 다해 달라”고 당부했다.

최 회장은 “우선 효율성이 제일 좋아야 한다”고 강조했다. 그는 “지금까지 해오던대로 하는 것 이상의 도전이 필요하다”면서 “앞으로 이 자리에서 경쟁력을 계속 유지하려면 어떤 것을 미리 생각하고 반영하느냐가 과제이며, 이 부분이 미래 SK하이닉스의 경쟁력 척도가 될 것”이라고 했다.

최 회장은 용인 클러스터가 기후 변화에 대한 깊은 고민도 담아야 한다고 당부했다. 그는 SK그룹 차원의 RE100 선언을 환기한 뒤 “앞으로 그린 에너지에 대한 관심이 올라가고 이에 대응하지 못하면 제품을 못팔게 되는데, 과거와 달리 지금은 이런 것들을 생각하고 반영해야 한다”고 강조했다. 미래형 에너지 솔루션을 마련하고, 저전력 고성능 반도체를 생산해 기후와 환경에 대한 긍정적인 메시지를 전달하는‘클라이밋 포지티브(Climate Positive) 생산기지’를 구축해야 한다는 당부다.

최 회장은 용인클러스터가 혁신과 상생의 롤모델이 되어줄 것도 주문했다. 용인 클러스터에 소부장 기업과 대학의 인재들이 마음껏 활용할 수 있는 인프라를 갖추어 그 안에서 자유로운 혁신이 일어날 수 있는 거점을 만들어야 한다는 주문이다. 반도체 인재를 양성하고자 해도 실험장비나 클린룸 등 인프라가 부족한 국내 대학과 소부장 기업의 현실을 염두에 둔 언급이다.

실제로 SK하이닉스는 정부와 함께 클러스터 내에 ‘미니팹’을 공동으로 구축하는 안을 추진하고 있다. 300mm 웨이퍼 기반 연구·테스트 팹이 될 미니팹은 소부장 기업들이 개발한 기술과 제품이 반도체 양산에 빠르게 적용될 수 있도록 모든 실증 작업을 지원하는 인프라로 건설될 예정이다.

최 회장은 이어 구성원들의 행복을 강조하면서 “미래 세대가 좋은 일터라고 생각할 수 있는 공간을 만들어야 한다”고 덧붙였다.

끝으로 최 회장은 “새로운 미래를 설계해야 한다는 게 어려운 일이지만 즐거운 일이 될 수 있다. 즐거운 일이 새로운 도전이 되게 해달라”고 말했다. 더불어 공사현장에서의 안전에도 만전을 기해달라고 당부했다.

최 회장은 방명록에 “도전과 혁신의 새로운 정신과 역사를 써나아가는 용인 반도체 프로젝트(project)의 성공을 기원합니다”라고 적었다.

이날 현장에는 최 회장과 함께 SK하이닉스 박정호 부회장, 곽노정 사장, SK에코플랜트 박경일 사장 등 사업에 참여하는 SK 멤버사 경영진과 용인일반산업단지(SPC) 김성구 대표가 참석했다.

현재 진행 중인 부지 조성 작업이 마무리되면 SK하이닉스는 2025년 3월 첫 번째 팹을 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다.

▲ 최태원 SK 회장(오른쪽)과 박정호 SK하이닉스 대표이사 부회장이 15일 용인 반도체 클러스터 공사 현장을 둘러보고 있다.

SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’* 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.

SK하이닉스는 “당사는 HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다.

회사에 따르면 이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다.

속도 측면에서 HBM3E는 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB = 5기가바이트) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

이와 함께, SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF* 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. HBM3E는 하위 호환성(Backward Compatibility)**도 갖춰, 고객은 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다.

엔비디아 하이퍼스케일, HPC(Hyperscale and HPC) 담당 이안 벅(Ian Buck) 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션즈(Accelerated Computing Solutions)용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사간의 협업이 계속되길 기대한다”고 밝혔다.

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 “당사는 HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다.

SK하이닉스가 스마트폰 등 모바일 기기용 고성능 D램인 LPDDR5X*(Low Power Double Data Rate 5 eXtended)의 24GB(기가바이트) 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다고 11일 밝혔다. 회사는 지난해 11월 LPDDR5X 양산에 성공했고, 이번에 모바일 D램으로는 처음으로 24GB까지 용량을 높인 패키지를 개발해 납품에 들어간 것이다.

SK하이닉스는 “당사는 LPDDR5X 24GB 패키지에 HKMG(High-K Metal Gate)* 공정을 도입해 업계 최고 수준의 전력 효율과 성능을 동시 구현해낼 수 있었다”며, “이번에 현존 유일의 24GB 고용량 패키지를 당사 모바일용 D램 포트폴리오에 추가해 앞으로 고객 요구에 훨씬 폭넓게 대응할 수 있게 됐다”고 강조했다.

LPDDR5X 24GB 패키지는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다. 데이터 처리 속도는 초당 68GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다.

이번 발표에 앞서 회사는 지난달부터 스마트폰 제조사인 오포(OPPO)에 신제품을 양산해 납품했다. 오포는 이를 자사 최신 플래그십(Flagship) 스마트폰인 ‘원플러스 에이스 2 프로(Oneplus Ace 2 Pro)’에 탑재해 10일 출시했다.

오포 루이스 리(Louis Li, 李杰) 마케팅부문 부사장은 “SK하이닉스로부터 적기에 24GB LPDDR5X를 공급받아 당사는 세계 최고 용량의 D램을 채용한 스마트폰을 업계 최초로 출시하게 됐다”며, “소비자들은 이전보다 길어진 배터리 사용 시간은 물론, 최적의 멀티태스킹 환경을 신규 스마트폰에서 경험하게 될 것”이라고 밝혔다.

최신 스마트폰은 성능이 빠르게 향상돼 커뮤니케이션 기기를 넘어 엣지 디바이스(Edge Device)*로 역할이 확대되고 있고, 향후 AI 시대에는 필수 디바이스가 될 것으로 IT 전문가들은 전망하고 있다. 스마트폰에 AI 환경이 구현되기 위해서는 핵심 부품인 메모리 반도체의 성능 향상이 필수적으로 요구되고, 이에 따라 이 분야 메모리 시장도 지속 확대될 것으로 업계는 내다보고 있다.

SK하이닉스 박명수 부사장(DRAM마케팅담당)은 “IT 산업 전 영역에서 기술 발전 속도가 빨라지면서 모바일 기기 외에도 PC, 서버, 고성능 컴퓨팅(HPC), 오토모티브(Automotive) 등으로 당사 LPDDR 제품의 사용처가 늘어날 것”이라며 “당사는 앞으로도 고객이 요구하는 최고 성능의 제품을 선도적으로 공급, 탄탄한 기술 리더십으로 프리미엄 메모리 시장을 주도하겠다”고 말했다.

SK하이닉스가 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행중이라고 공식화했다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023’*에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell)* 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.

메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획도 밝혔다.

SK하이닉스 관계자는 “양산중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다”며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 강조했다.

321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.

최근 메모리 시장은 챗(Chat)GPT가 촉발한 생성형 AI 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능, 고용량 메모리 수요가 급격히 증가하고 있다.

SK하이닉스는 이러한 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)와 UFS 4.0도 이번 행사에서 소개했다.

회사는 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보해 고성능을 강조하는 고객들의 요구를 충분히 충족시킬 것으로 기대했다.

이어 이번 제품들을 통해 진일보한 회사의 자체 솔루션 개발 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 알리며, 업계 기술 트렌드를 선도하겠다는 의지도 피력했다.

SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 행사 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.