· ‘그린 디지털 솔루션’ 타이틀로 주력/신규 메모리 라인업 소개

· 초고성능 기업용 SSD 공개, 서버용 메모리 시장 선도기업 위상 강화

· “고객의 페인 포인트(Pain Point) 해결해주는 솔루션 제시”

SK하이닉스가 내년 1월 5일부터 8일까지 미국 라스베이거스에서 열리는 세계 최대 전자∙IT 전시회 ‘CES 2023’에서 주력 메모리 제품과 신규 라인업을 대거 선보인다고 27일 밝혔다.

SK하이닉스는 “이번 CES에서 당사는 ‘탄소 없는 미래’라는 SK그룹의 방향성에 맞춰 탄소 배출을 획기적으로 줄인 제품들을 묶어 ‘그린 디지털 솔루션’이라는 타이틀 아래 선보이기로 했다”며 “당사가 공개할 라인업은 환경 영향 저감은 물론, 성능과 효율성도 이전 세대 대비 대폭 개선돼 글로벌 빅테크 고객과 전문가들의 관심을 끌 것으로 기대한다”고 강조했다.

최근 AI, 빅데이터, 자율주행, 메타버스 등 첨단산업의 성장 속도가 빨라지면서, 글로벌 기술기업들은 급격하게 늘어나는 데이터를 빠르게 처리하면서도 에너지 효율을 높여주는 메모리 반도체에 주목하고 있다. SK하이닉스는 CES에서 선보일 자사 제품들이 이러한 고객의 니즈(Needs)를 충족하는 우수한 전성비*와 성능을 구현했다고 보고 있다.

* 전성비: 일정 전력 단위당 처리할 수 있는 초당 데이터 용량을 계산한 상대적 지표

이번에 회사가 내세운 대표 전시 제품은 초고성능 기업용 SSD인 ‘PS1010 E3.S(이하 PS1010)’다. PS1010은 SK하이닉스의 176단 4D 낸드가 다수 결합돼 만들어진 패키지 제품으로, PCIe 5세대(Gen 5)* 인터페이스를 지원한다.

* PCIe(Peripheral Component Interconnect Express): 디지털기기의 메인보드에서 사용되는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스. 세대를 거듭할수록 데이터 전송률이 약 2배씩 상승하는 것이 특징

SK하이닉스 기술진은 “서버용 메모리 시장은 다운턴 상황에서도 지속 성장하고 있는 가운데, 이 분야 업계 최고 경쟁력을 갖춘 당사의 기술력이 집약된 신제품을 시의 적절하게 공개하게 됐다”고 설명했다. 실제로 PS1010은 이전 세대 대비 읽기와 쓰기 속도가 각각 최대 130%, 49% 향상됐다. 또, 이 제품은 75% 이상 개선된 전성비를 갖춰 고객의 서버 운영 비용과 탄소 배출량을 낮춰줄 것으로 보인다.

SK하이닉스 윤재연 부사장(NAND상품기획담당)은 “서버 고객의 페인 포인트(Pain Point)를 해결해줄 수 있는 SSD 제품을 CES라는 세계 최대 규모 행사에서 선보이게 돼 자랑스럽다”며, “자체 개발한 컨트롤러와 펌웨어를 탑재한 초고성능 제품을 기반으로 회사의 낸드 사업 경쟁력이 한층 강화될 것으로 기대한다”고 말했다.

이와 함께 이번 전시에서 SK하이닉스는 고성능 컴퓨팅(HPC, High Performance Computing) 환경에 적합한 차세대 메모리 제품으로, ▲현존 최고 성능의 D램인 ‘HBM3’*, ▲메모리에 연산 기능을 더한 PIM* 기술이 적용된 ‘GDDR6-AiM’, ▲메모리 용량과 성능을 유연하게 확장한 ‘CXL* 메모리’ 등을 선보인다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품
* PIM(Processing-In-Memory): 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅 데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀어낼 수 있는 차세대 기술
* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템을 효율적으로 구축하기 위한 PCIe 기반의 차세대 인터커넥트 프로토콜(Interconnect Protocol)

한편, SK하이닉스 CES 부스에서는 SK그룹의 에너지 효율화 기업인 SK엔무브의 ‘액침냉각(Immersion Cooling)’* 기술도 함께 전시된다. 이는 반도체가 들어가는 서버의 가동 온도를 낮춰주는 기술로, SK하이닉스는 앞으로도 그룹 멤버사는 물론 외부 파트너들과의 협업을 확대해 반도체 사업 전반에서 새로운 부가가치를 창출하는 데 힘쓰겠다는 계획이다.

* 액침냉각(Immersion Cooling): 냉각유에 데이터 서버를 직접 침전시켜 냉각하는 차세대 열관리 기술로, 기존 공랭식 대비 냉각 전력이 크게 감소돼 전체 전력 소비량을 약 30% 줄일 수 있음

· DDR5 현존 최고인 8Gbps(초당 8기가비트) 이상의 속도 구현
· 인텔, 르네사스와 글로벌 협업 통해 신개념 제품 개발 선도
· “계속되는 기술한계 돌파, 서버용 D램 시장 1등 경쟁력 지속”

SK하이닉스가 신개념을 도입한 세계 최고속 서버용 D램 제품인 ‘DDR5 MCR DIMM’*의 샘플 개발에 세계 최초로 성공했다고 8일 밝혔다. 이번 제품은 동작 속도가 초당 8Gb(기가비트) 이상으로, 초당 4.8Gb인 서버용 DDR5보다 속도가 80% 넘게 빨라졌다.

* DDR(Double Data Rate)은 서버와 PC에 주로 들어가는 D램 규격으로, 현재 5세대인 DDR5까지 개발됨. MCR DIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module)은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank)** 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품임
** 랭크(Rank): D램 모듈에서 CPU로 내보내는 기본 데이터 전송 단위의 묶음. 보통 64바이트(Byte)의 데이터가 한 묶음 단위가 돼 CPU에 전송됨

이번 MCR DIMM 개발에는 DDR5의 동작 속도를 높이기 위해 새로운 개념이 도입됐다. 그동안 DDR5의 속도는 D램 단품의 동작 속도에 좌우된다는 것이 일반적인 인식이었다. 하지만 이번 제품에서는 D램 단품이 아닌, 모듈을 통해 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐다.

SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 탑재한 데이터 버퍼(Buffer)*를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다.

* 버퍼(Buffer): D램 모듈 위에 같이 탑재돼 D램과 CPU 사이의 신호 전달 성능을 최적화하는 부품. 고성능과 안정성이 요구되는 서버용 D램 모듈에 주로 탑재됨

이에 따라, 보통의 D램 모듈에서는 1개의 랭크에서 한번에 64바이트(Byte)의 데이터가 CPU(Central Processing Unit, 중앙정보처리장치)에 전송되지만, MCR DIMM에서는 2개의 랭크가 동시 동작해 128바이트가 CPU에 전송된다. 이처럼 모듈에서 CPU로 가는 회당 데이터 전송량을 늘림으로써 SK하이닉스는 D램 단품보다 2배 가까이 빠른, 8Gbps 이상의 속도를 구현해냈다. (아래 그림 참고)

▲ SK하이닉스가 개발한 세계 최고속 서버용 D램 제품 ‘DDR5 MCR DIMM’ 동작 구조

SK하이닉스는 이번 제품 개발을 성공하는 데 미국 인텔(Intel), 일본 르네사스(Renesas)와의 글로벌 협업이 주효했다고 강조했다. 3사는 제품이 나오고 세계 최고 속도와 성능이 검증되기까지 긴밀하게 협업해 왔다.

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 “당사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다”며, “실제로 MCR DIMM이 안정적으로 성능을 내려면, 모듈 내외에서 함께 동작하는 데이터 버퍼와 서버 CPU간의 상호작용이 매우 중요하다”고 말했다. 데이터 버퍼는 모듈에서 보내는 다수의 신호를 중간에서 전송해주고, 서버 CPU는 데이터 버퍼를 거쳐 오는 신호를 받아들여 처리하는 역할을 수행한다.

이어 류 부사장은 “세계 최고 속도의 MCR DIMM 개발을 통해 당사는 또 한번 DDR5의 기술력 진화를 이뤄냈다”며 “앞으로도 당사는 기술한계 돌파를 위해 지속적으로 노력하여, 서버용 D램 시장에서 1등 경쟁력을 공고히 하겠다”고 덧붙였다.

인텔의 디미트리오스 지아카스(Dimitrios Ziakas) 메모리 IO(Input/Output) 기술부문 부사장은 “인텔은 SK하이닉스와 함께 당사의 차세대 서버 CPU에 최적화돼 적용될 초고속 제품 개발을 주도해왔다”며, “앞으로도 양사는 MCR DIMM의 표준화와 후속 제품 개발을 위해 긴밀히 협업하겠다”고 말했다.

르네사스의 사미르 쿠파할리(Sameer Kuppahalli) 메모리 인터페이스 부문 부사장은 “이번에 르네사스가 개발한 데이터 버퍼는 제품의 구상부터 완성까지 3년 동안 여러 기술이 집약된 노력의 결실”이라며, “SK하이닉스, 인텔과 협업해 혁신적인 제품을 개발하게 되어 자랑스럽다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로 보고 있다. 회사는 고객 수요가 본격화되는 시점에 맞춰 이 제품을 양산할 계획이다.

SK하이닉스는 1일 이사회 보고를 거쳐 2023년 조직개편과 임원인사를 단행했다고 밝혔다. 회사는 이번 개편과 인사에 대해 “최근 반도체 산업의 다운턴 상황을 슬기롭게 극복하기 위해 속도와 유연성, 그리고 전문성과 다양성을 높이는 쪽으로 조직을 정비하고, 나아가 더 큰 미래 성장을 도모하여 위기를 기회로 바꾸어 간다는 방향성에 맞췄다”고 의미를 부여했다.

우선 SK하이닉스는 글로벌 불확실성 및 지정학적 이슈 대응을 위해 ‘미래전략’ 산하 ‘Global전략’을 신설한다. 또한 글로벌 생산시설 전개와 지역별 이슈에 효과적으로 대응하기 위해 ‘Global Operation TF’를 CEO 산하에 구성하고, 미래기술연구원 차선용 담당이 TF장을 겸직한다.

글로벌 경영환경의 빠른 변화에 맞춰 제품과 고객지원 경쟁력을 높이기 위해 ‘GSM(Global Sales & Marketing)’ 조직에 변화도 추진하기로 했다.

GSM은 해외영업을 맡는 ‘글로벌 세일스’와 ‘마케팅/상품기획’으로 크게 양분돼 양 조직이 한층 전문성을 높여 세분화된 역할을 수행할 계획이다. GSM담당에는 ‘미주’ 조직을 맡았던 김주선 담당이 선임되었다.

다음으로, SK하이닉스는 사내 의사결정 체계를 축소해 경영판단의 스피드와 유연성을 높이기로 했다.

회사는 기존 안전개발제조담당과 사업담당 조직을 폐지하고, CEO와 주요 조직 경영진간 의사결정의 속도를 높일 계획이다. 아울러, 회사는 ‘안전’을 기업이 추구해야 할 가장 중요한 가치로 삼고, 가장 많은 현장 조직 구성원을 담당하는 김영식 제조/기술담당을 CSO(Chief Safety Officer)에 임명했다.

마지막으로, SK하이닉스는 젊고 유능한 기술인재를 과감하게 발탁해 미래 성장기반을 탄탄히 함은 물론, 조직의 다양성과 역동성을 높여 가기로 했다.

이번 인사에서 회사는 높은 기술 역량을 갖춘 여성임원 고은정 담당을 신규 선임하고, 1980년생 박명재 담당을 차세대 기술인재로 발탁했다.

SK하이닉스 박정호 부회장은 “이번 조직개편과 임원인사를 통해 회사는 스스로의 한계를 뛰어넘는 변화에 도전할 것”이라며, “이를 통해 위기 앞에 강한 DNA를 일깨우면서 명실상부 글로벌 일류 기술기업을 향한 새로운 도약을 반드시 이루어내겠다”고 강조했다. [끝]

■ SK하이닉스 정기 임원인사 명단

□ 신규 선임 (20명)
고은정
문순기
박명재
박문필
손동휘
손상호
안대웅
안정열
오정환
이상영
이인노
임성혁
전원철
전유남
정유인
정제모
주재욱
최영현
홍성관
홍진희

□ 연구위원 선임 (5명)
김경훈
서지웅
주영표
진승우
최익수

· 매출 10조 9,829억 원, 영업이익 1조 6,556억 원, 순이익 1조 1,027억 원

· 메모리 수요 감소, 가격 하락 영향으로 매출, 이익 전분기 대비 급감

· 내년 투자 규모 올해 대비 50% 이상 감축, 수익성 낮은 제품 중심으로 감산(減産)도 추진

· “서버용 D램 주력하면서 최신 제품 양산 준비 만반, 수익성 높여갈 것”

SK하이닉스는 26일 경영실적 발표회를 열고, 올해 3분기 매출 10조 9,829억 원, 영업이익 1조 6,556억 원(영업이익률 15%), 순이익 1조 1,027억 원(순이익률 10%)을 기록했다고 발표했다. (K-IFRS 기준) 지난 2분기 대비 매출은 20.5%, 영업이익은 60.5% 감소했다.

[참고] 2022년 2분기 매출 13조 8,110억 원, 영업이익 4조 1,926억 원, 순이익 2조 8,768억 원

SK하이닉스는 전세계적으로 거시경제 환경이 악화되는 상황에서 D램과 낸드 제품 수요가 부진해지면서 판매량과 가격이 모두 하락, 전분기 대비 매출이 감소했다고 분석했다. 또, 회사는 최신 공정인 10나노 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가경쟁력이 개선됐음에도 불구하고, 원가 절감폭보다 가격 하락폭이 커서 영업이익도 크게 줄었다고 설명했다.

이날 실적발표를 통해 SK하이닉스는 경영환경의 불확실성이 지속되면서 메모리 반도체 산업이 전례 없는 시황 악화 상황에 직면했다고 진단했다. 이는 메모리 주요 공급처인 PC, 스마트폰을 생산하는 기업들의 출하량이 감소했기 때문이다.

다만, SK하이닉스는 데이터센터 서버에 들어가는 메모리 수요는 단기적으로 감소하겠지만 중장기적으로는 꾸준히 성장세를 탈 것으로 내다봤다. AI, 빅데이터, 메타버스 등 새로운 산업의 규모가 커지면서 대형 데이터센터 업체(Hyperscaler)들이 이 분야 투자를 지속하고 있기 때문이다. 이에 따라 SK하이닉스는 “당사가 고대역폭 제품인 HBM3와 DDR5/LPDDR5 등 D램 최신 기술을 선도하고 있어, 장기 성장성 측면에서 회사의 입지가 확고해질 것”이라고 강조했다.

또, 회사는 “올해 3분기 업계 최초로 238단 4D 낸드를 개발했고, 내년에 양산 규모를 확대함으로써 원가경쟁력을 확보해 수익성을 지속 높여갈 것으로 확신한다”고 덧붙였다.

한편, SK하이닉스는 공급이 수요를 초과하는 상황이 당분간 지속될 것으로 내다봤다. 이에 따라, 회사는 10조 원대 후반으로 예상되는 올해 투자액 대비 내년 투자 규모를 50% 이상 줄이기로 했다.

아울러 SK하이닉스는 앞으로 상대적으로 수익성이 낮은 제품을 중심으로 생산량을 줄여 나갈 계획이라고 밝혔다. 일정기간 동안 이처럼 투자 축소와 감산(減産) 기조를 유지하면서 시장의 수급 밸런스가 정상화되도록 하겠다는 것이다.

SK하이닉스 노종원 사업담당 사장은 “당사는 지난 역사 동안 항상 위기를 기회로 바꿔왔던 저력을 바탕으로 이번 다운턴을 이겨내면서 진정한 메모리 반도체 리더로 도약하겠다”고 말했다.

■ 2022년 3분기 경영실적 비교표 (K-IFRS 기준)

 
※ 한국채택국제회계기준(K-IFRS)을 적용해 작성되었습니다.
※ 同 실적 발표자료는 외부 감사인의 회계검토가 완료되지 않은 상태에서 작성되었으며, 회계 검토 과정에서 달라질 수 있습니다.

SK하이닉스는 미래 성장기반을 확보하기 위해 충북 청주에 신규 반도체 생산 공장인 M15X(eXtension)를 건설한다고 6일 밝혔다.

SK하이닉스는 시장 상황 등을 종합적으로 고려하여 이미 확보된 부지에 M15의 확장 팹인 M15X를 예정보다 앞당겨 착공하기로 결정했다.

SK하이닉스는 올해 10월 청주 테크노폴리스 산업단지 내 약 6만㎡ 부지에 M15X 건설 공사를 시작해 2025년 초 완공을 목표로 하고 있다.

회사는 향후 5년에 걸쳐 M15X 공장 건설과 생산 설비 구축에 총 15조 원을 투자할 계획이다.

M15X는 복층 구조로, 기존 청주 M11, M12 두 개 공장을 합한 것과 비슷한 규모다.

또한, SK하이닉스는 인근 M17 신규 공장에 대해선 반도체 시황 등 경영환경을 고려해 착공 시점을 결정할 예정이다.

SK하이닉스 박정호 부회장은 “지난 10년을 돌이켜 보면, 위기 속에서도 미래를 내다본 과감한 투자가 있었기에 SK하이닉스가 글로벌 기업으로 성장할 수 있었다”며 “이제는 다가올 10년을 대비해야 하며, M15X 착공은 미래 성장기반을 확보하는 첫걸음이 될 것”이라 말했다.

SK하이닉스는 급격한 경영환경의 변화에도 선제적인 투자를 통해 메모리 반도체 시장에서의 경쟁력을 글로벌 최고 수준으로 강화해 왔다.

반도체 업계 투자 축소 분위기가 지속되던 2012년 회사는 적자 상태에도 불구하고 전년보다 10% 이상 투자를 대폭 늘려 그해 연말 흑자 전환에 성공했다. 이후에도 시장 상황은 불투명했으나 SK하이닉스는 곧 다가올 메모리 반도체 호황기를 대비하기 위해 2015년 이천 M14를 과감하게 건설했고, 결국 2017년부터 2년간 사상 최대 실적을 달성하기도 했다.

2012년 SK 그룹에 편입된 SK하이닉스는 2015년에 선포한 ‘미래비전’을 중심으로 10년간 투자를 지속해왔다. 2014년부터 총 46조 원을 투자해 이천 M14 포함 총 3개의 공장을 추가로 건설하겠다는 것이 미래비전의 내용이었다. 회사는 2018년 청주 M15, 2021년 이천 M16을 차례로 준공하며 미래비전을 조기에 달성했다.

최근 세계 경기 침체와 공급망 불안정으로 메모리 반도체 수요가 급격히 감소하고 있다. 다만, 메모리 반도체 업황의 변동 주기가 짧아지는 추세라 전문가들은 업황이 2024년부터 서서히 회복되고 2025년에는 반등할 것으로 예상하고 있다.

SK하이닉스는 2025년 업황 반등에 맞춰 메모리 반도체 공급을 늘리기 위한 사전 준비 차원에서 M15X 건설을 계획했고, M15X가 다가올 호황기의 마중물 역할을 하게 될 것이라 기대하고 있다.

▲ SK하이닉스 청주공장 생산시설 단지도(충북 청주시 흥덕구 소재)

▲SK하이닉스가 개발한 현존 세계 최고층 238단 512Gb TLC 4D 낸드플래시

SK하이닉스가 현존 최고층 238단 낸드 개발에 성공했다고 3일 발표했다.

SK하이닉스는 최근 238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell)* 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했고, 내년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다. 회사 측은 “2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다”며 “특히 이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 데 의미를 둔다”고 밝혔다.

* 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음

SK하이닉스는 이날 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2022’*에서 신제품을 공개했다. 행사 기조연설에 나선 SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 “당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것”이라고 강조했다.

* 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS): 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모 컨퍼런스(Conference). 올해 행사 기조연설에서 SK하이닉스는 낸드 솔루션 자회사인 솔리다임(Solidigm)과 함께 공동 발표를 진행함

SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔다. 4차원 구조로 칩이 구현되는 4D를 만들기 위해 이 회사 기술진은 CTF(Charge Trap Flash)*와 PUC(Peri Under Cell)** 기술을 적용했다. 4D는 3D 대비 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산효율은 높아지는 장점을 가진다.

* CTF (Charge Trap Flash)

전하를 도체(①)에 저장하는 플로팅 게이트(Floating Gate)와 달리 전하를 부도체(②)에 저장해 셀간 간섭 문제를 해결한 기술로, 플로팅게이트 기술보다 단위당 셀 면적을 줄이면서도 읽기, 쓰기 성능을 높일 수 있는 것이 특징

 

** PUC (Peri Under Cell)

주변부(Peri.) 회로를 셀 회로 하단부에 배치해 생산효율을 극대화하는 기술

이번 238단은 단수가 높아진 것은 물론, 세계 최소 사이즈로 만들어져 이전 세대인 176단 대비 생산성이 34% 높아졌다. 이전보다 단위 면적당 용량이 커진 칩이 웨이퍼당 더 많은 개수로 생산되기 때문이다.

이와 함께 238단의 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대 대비 50% 빨라졌다. 또, 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량이 21% 줄어, 전력소모 절감을 통해 ESG 측면에서 성과를 냈다고 회사는 보고 있다.

SK하이닉스는 PC 저장장치인 cSSD(client SSD)에 들어가는 238단 제품을 먼저 공급하고, 이후 스마트폰용과 서버용 고용량 SSD 등으로 제품 활용 범위를 넓혀간다는 계획이다. 이어 내년에는 현재의 512Gb보다 용량을 2배 높인 1Tb 제품도 선보일 예정이다.[끝]

SK하이닉스와 SK텔레콤은 반도체와 AI 현업 전문가들의 실무 지식과 현장 노하우를 대학과 공유해 이 분야 인재 양성을 지원하는 프로그램인 ‘SK ICT 커리큘럼(SK ICT Curriculum)’을 시행한다고 7일 밝혔다.

이날 양사는 전국 20여 개 대학 교수와 교직원을 대상으로 이 커리큘럼을 소개하고 향후 산학협력 계획을 알리는 온라인 설명회를 진행했다.

양사는 이 프로그램을 통해 ▲온라인 교육 플랫폼 구축 ▲정규 교과과정 개발 ▲대학 맞춤형 특강 개설 등에 나서면서 반도체 등 첨단산업 인력난 문제를 해결하는 데 일조해 가겠다는 계획이다.

우선, 양사는 전문분야에 맞춰 SK하이닉스는 반도체, SK텔레콤은 AI 관련 교육 콘텐츠를 개발하고, 이를 한데 모은 온라인 교육 플랫폼을 구축했다.

이를 위해 SK하이닉스는 ‘반도체 커리큘럼’을 신설했다. 이 커리큘럼에는 반도체 공정, 소자, 설계 등 주요 직무 12개 분야에서 80개가 넘는 교육 콘텐츠가 담겨 있다. 회사는 사내 전문가들이 보유한 역량과 현장의 노하우를 바탕으로 실무 중심 학습 과정으로 커리큘럼을 구성했다. 또 학생들이 쉽고 재미있게 콘텐츠를 접할 수 있도록 반도체 용어집과 숏폼 영상을 함께 제공한다.

이와 함께 SK하이닉스는 구성원 대상으로 운영 중인 사내대학 SKHU(SK hynix University)의 교육 콘텐츠 일부를 대학 등 외부 교육 기관과 공유하기로 했다. 이를 통해 학생들이 비용 부담 없이 전문지식을 배울 수 있게 함으로써 회사는 반도체 생태계를 키우는 동시에 사회적 가치 창출에도 힘쓰겠다는 계획이다.

SK텔레콤은 ‘AI 커리큘럼’을 통해 음성인식, 자연어 이해, 음성합성 등 음성 기반의 AI 기술을 중심으로, 지식 기술, 추천 기술, 대화형 언어 모델, 컴퓨터 비전 등 10개 분야의 77개 동영상 강의를 제공한다. SK텔레콤 소속 AI 전문가들이 기술 이론부터 최신 알고리즘, 실제 AI 서비스 개발 사례까지 소개한다.

이와 함께 SK텔레콤 임직원 전용 교육 영상 100여 개와 각종 기술 행사에서 발표한 자료도 함께 제공해 학생들의 학습을 지원한다.

올해로 6년째를 맞은 ‘AI 커리큘럼’은 학계의 높은 관심 속에 빠르게 저변을 넓혀가고 있다. 작년까지 전국 20여 개 대학교에서 4,000명 이상의 학생들이 수강한 인기 프로그램으로 성장했다.

아울러, 양사는 SK ICT 커리큘럼을 기반으로 산학협력을 확대하기로 했다. 먼저 서울대와 협력해 정규 교과과정 개설을 준비하고 있다. 올해 가을학기에 SK텔레콤이 개발한 상용 AI 플랫폼 누구(NUGU)를 활용해 실무역량을 쌓는 ‘AI 기술 및 상용화 이해’라는 석사과정 교과목이 개설된다. 또, SK하이닉스 반도체 개발 사례를 바탕으로 한 ‘공학지식 및 실무’ 교과목이 학사과정에 개설될 예정이다.

이어 양사는 연세대 등 여러 대학들과 함께 ‘맞춤형 오프라인 특강’도 추진하고 있다. 반도체, AI 강의와 함께 양사 사업현장 방문 투어 등을 통해 학생들에게 다채로운 경험을 제공할 계획이다.

SK하이닉스 신상규 기업문화담당은 “ICT 생태계 조성을 위해 그룹 관계사들이 힘을 합쳐 만든 인재양성 플랫폼에서 대학생들이 손쉽게 반도체와 AI를 배울 수 있게 된 데 의미를 둔다”며 “앞으로도 양사는 다양한 프로그램을 개발해 정부의 반도체 인재 육성 기조에 적극 부응해 갈 것”이라고 말했다.

SK텔레콤 안정환 기업문화담당은 “올해 시행하는 SK ICT 커리큘럼은 6년째 꾸준히 이어져 온 SK텔레콤의 AI 인재 육성 활동이 SK하이닉스와 협력해 반도체 영역으로 확대되고 정규 교과목 개설 등으로 발전됐다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “SK텔레콤은 앞으로도 IT 업계의 인재 양성을 위해 다양한 협력과 프로그램을 지속 선보일 것”이라고 밝혔다. [끝]

▲SK하이닉스가 세계 최초 양산한 HBM3 D램

▲SK하이닉스가 세계 최초 양산한 HBM3 D램

SK하이닉스가 현존 세계 최고 성능 D램인 ‘HBM3’^*의 양산을 시작했다고 9일 밝혔다.

SK하이닉스 관계자는 “지난해 10월 말 세계 최초로 개발한 HBM3를 단 7개월 만에 고객에게 공급하며 이 시장의 주도권을 잡게 됐다”며, “이 제품은 초고속 AI 반도체 시장의 새 장을 열게 됐다”고 강조했다.

최근 글로벌 빅테크 기업들은 AI, 빅데이터 등 첨단기술의 발전 속도가 빨라지면서 급격하게 늘어나는 데이터를 빠르게 처리하는 데 고심하고 있다. 이런 상황에서 데이터 처리 속도와 성능을 기존 D램 대비 현격하게 높인 차세대 D램 HBM은 이 과제를 풀어낼 최적의 제품으로 평가 받으며, 시스템에 적용되는 범위도 넓어지고 있다.

엔비디아는 최근 SK하이닉스의 HBM3 샘플에 대한 성능평가를 마치고, 오는 3분기 출시 예정인 신제품 ‘H100’에 HBM3를 결합해 가속컴퓨팅^* 등 AI 기반 첨단기술 분야에 공급할 계획이다. SK하이닉스는 엔비디아의 일정에 맞춰 HBM3 생산량을 늘려가기로 했다.

SK하이닉스 노종원 사장(사업총괄)은 “당사는 엔비디아와의 긴밀한 협력을 통해 프리미엄 D램 시장에서 톱클래스 경쟁력을 확보했다”며, “앞으로도 개방형 협업(Open Collaboration)을 지속해, 고객의 필요를 선제적으로 파악해 해결해주는 ‘솔루션 프로바이더(Solution Provider)’가 되겠다”고 말했다. [끝]

SK하이닉스가 지난해 9조 4173억 원의 사회적 가치(SV, Social Value)를 창출했다고 30일 발표했다. 회사는 사회적 가치를 산출하는 SK그룹의 산식에 따라 지난해 실적을 집계한 결과, 2020년 4조 8887억 원 대비 93% 급등한 성과를 냈다고 밝혔다. 이는 2021년 SK그룹 전체 사회적 가치 창출액인 18조 4000억 원의 절반을 넘어서는 규모다.

분야별로는 납세/고용/배당 등 ‘경제간접 기여성과’가 9조 7201억 원, ‘환경성과’는 -9527억 원, ‘사회성과’는 6499억 원으로 산출됐다.

경제간접 기여성과는 지난해 SK하이닉스가 창사 이래 최대 매출을 기록하면서 2020년 대비 81%(4조 3465억 원) 증가했다. 사회성과도 반도체 생태계 활성화 노력과 취약계층 대상 공헌활동 확대로 44%(1985억 원) 늘었다. 그러나 환경성과에서는 글로벌 반도체 수요 확대에 따른 생산량 증가로 온실가스 배출 총량이 늘어나면서 부정적 영향이 2%(150억 원) 커졌다.

경제간접 기여성과는 납세, 고용, 배당 모든 분야에서 수치가 커졌다. 납세는 이익 증가에 따라 전년 대비 160%(2조 3633억 원) 늘었으며, 고용 분야도 구성원 수가 늘고 보상 규모가 커지며 56%(1조 7245억 원) 증가했다. 아울러 적극적인 주주환원 정책을 통해 배당도 32%(2586억 원) 늘었다.

하지만 환경성과에서는 반도체 생산량이 확대됨에 따라 자원 소비량과 온실가스 배출량이 증가해, SK하이닉스는 전년에 이어 마이너스 성과를 기록했다. 세부적으로 자원소비/환경오염 분야에서 전년 대비 부정적 비용이 3%(242억 원) 증가했다. 다만, 회사는 제품/서비스 분야에서 저전력 제품 개발을 통해 128%(91억 원) 늘어난 실적을 거두며 부정적 영향을 일부 상쇄했다.

SK하이닉스 관계자는 “환경 영향을 줄이기 위해 녹색 프리미엄 제도*에 적극 참여하고, 온실가스 배출 저감, 폐수 재이용 확대 등 다방면으로 노력하고 있다”고 설명했다. 이어 이 관계자는 “하지만 회사로서는 어떠한 이유로든 환경에 부정적 영향을 끼치게 된 점 송구하다”며, “향후 환경분야 개선에 역점을 두고 지속적으로 노력하겠다”고 덧붙였다.

^{*녹색 프리미엄 제도: 전기 소비자가 재생에너지로 생산된 전력을 사용하기 위해 기존전기요금에 별도 프리미엄을 추가하여 구매하는 요금제}

사회성과는 동반성장 분야에서 실적이 크게 좋아졌다. SK하이닉스는 그동안 협력사를 위한 기술 지원과 교육을 꾸준히 진행하면서 반도체 생태계 활성화를 위한 노력을 해왔다. 또, 회사는 협력사와 공동기술개발을 통해 소재∙부품∙장비 국산화에도 기여했다. 그 결과, 지난해 동반성장 성과는 전년 대비 56%(1806억 원) 증가했다.

이와 함께 사회공헌 분야에서는 팬데믹 상황에서도 비대면 중심의 사회공헌 활동을 지속해 회사는 2020년 대비 9%(97억 원) 증가한 성과를 거뒀다. 또, 사회적 기업 지원을 통해 ‘취약계층 삶의 질 향상 성과’는 45%(82억 원) 늘었다.

SK하이닉스 김윤욱 부사장(지속경영담당)은 “당사는 지난 2019년부터 4년째 사회적 가치 성과를 발표하며 이해관계자와 투명하게 소통하고 있다”며 “앞으로도 회사의 사회적 가치 창출 중장기 목표인 ‘SV 2030’의 실행력을 높이고 ESG 경영을 강화해 인류와 사회에 기여하겠다”고 말했다. [끝]

SK하이닉스가 인텔 낸드 사업부를 인수한 이후 3개월 만에 양사 기술력을 결합한 신제품을 공개했다.

SK하이닉스는 솔리다임(Solidigm)과 협업해 개발한 기업용 SSD(Solid State Drive)* ‘P5530’을 시장에 출시한다고 5일 발표했다. 솔리다임은 SK하이닉스가 지난 연말 인텔 낸드 사업부 1단계 인수작업을 마친 후 미국 산호세(San Jose)에 설립한 SSD 자회사다. P5530은 SK하이닉스의 주력 제품인 128단 4D 낸드와 솔리다임의 컨트롤러(Controller)*가 조합된 제품이다.

* SSD(Solid State Drive): 낸드플래시 메모리 기반 데이터 저장 장치. 단품 낸드에 컨트롤러 등 주변 장치를 결합해 성능을 향상시킨 패키지로, 안정성이 높고 용량이 큰 기업용 SSD는 주로 데이터센터의 서버에 적용됨
* 컨트롤러(Controller): 컴퓨팅 시스템의 메인보드와 운영체제가 낸드플래시 메모리를 저장 장치로 인식하고 사용할 수 있도록 돕는 기능을 수행하는 칩(Chip)

SK하이닉스 측은 “인수 직후부터 양사가 힘을 합쳐 제품 개발을 진행해 왔고, 그 첫 결과물로 데이터센터에 쓰이는 고성능 기업용 SSD인 P5530을 선보이게 됐다”며, “이번 제품은 그간 D램 대비 부족했던 SK하이닉스 낸드 사업 경쟁력이 한 단계 올라서는 신호탄이 될 것”이라고 강조했다.

양사는 이 제품에 대한 자체 성능평가를 마치고, 데이터센터를 운영하는 해외 주요 고객들에게 이 제품의 샘플을 공급하고 있다. 그동안 낸드 사업에서 모바일(스마트폰) 분야에 강점이 있던 SK하이닉스는 솔리다임과의 통합 시너지를 통해 기업용 SSD 시장에서도 위상을 높일 것으로 기대하고 있다.

P5530은 PCIe* 4세대(Gen 4) 인터페이스를 지원하며, 용량은 1TB(Terabyte, 테라바이트), 2TB, 4TB 등 총 세 가지로 출시된다.

* SSD(Solid State Drive): PCIe(Peripheral Component Interconnect express): 디지털기기의 메인보드에서 사용되는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스. 저장 장치를 연결하는 기술로, 초당 8기가바이트(GB) 이상의 데이터를 전송할 수 있는 것이 특징

SK하이닉스 노종원 사장(사업총괄)은 “한국의 SK하이닉스와 미국 솔리다임의 역량을 합친 제품을 빠르게 선보이면서 회사의 낸드 사업 경쟁력 강화는 물론, ‘인사이드 아메리카(Inside America)’ 전략에도 탄력을 붙일 수 있게 됐다”며 “앞으로도 양사간 최적화를 지속해 ‘1+1’을 뛰어넘는 시너지를 창출해 나갈 것”이라고 말했다.

솔리다임 롭 크룩(Rob Crooke) CEO는 “양사는 기술적 시너지를 창출해 낸드 산업 패러다임 변화를 주도할 것”이라며 “이번 P5530 제품을 시작으로 고객들에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 지속 공급할 것”이라고 말했다. [끝]