SK하이닉스(/)가 23일 이천 본사 영빈관에서 ‘제2회 혁신특허포상 시상식’을 개최했다고 밝혔다.

이날 시상식에는 SK하이닉스 CEO 이석희 사장, 대외협력총괄 김동섭 사장, 주요 부문별 담당 임원을 비롯해 수상자 대표와 동료 등 총 35 명의 임직원이 참석했다. SK하이닉스는 총 11건의 혁신특허를 선정하고, 혁신특허를 발명한 재직 연구원 23명에게 상패와 총 상금 3억 4천만원을 수여했다.

SK하이닉스는 재직 연구원들의 연구 의욕 고취와 강한 특허 발굴을 위해 혁신특허포상 제도를 2018년부터 시행했다. 이 제도는 직전년도에 판매된 제품에 적용된 SK하이닉스 등록 특허 중 매출 증대와 기술 문제 해결에 크게 기여한 혁신특허를 선정해 이를 발명한 재직 연구원을 포상하는 방식으로 운영된다.

대상은 D램의 리프레시(Refresh) 기능을 개선해 성능 향상과 매출 증대에 기여한 공로로 D램개발 윤석철/김보연 TL, 미래기술연구원 박재범 TL이 수상했다.

한편, SK하이닉스는 현재 전 세계 20,000건 이상의 특허를 보유하고 있다.

[참고 자료]

■ 리프레시(Refresh)

D램에서 일정 시간마다 데이터를 유지해 주는 기능. D램은 셀(Cell)에 전하를 축적해 데이터를 저장한다. 따라서 D램은 전원이 차단되거나, 전원이 차단되지 않더라도 시간이 지남에 따라 축적된 전하가 누전돼 저장된 데이터가 손실되는 특성이 있다. 이를 방지하기 위해 주기적으로 셀을 재생해 데이터를 상기시켜 주는 것을 ‘리프레시’라고 한다.

▲ 23일(월) 열린 SK하이닉스 ‘제2회 혁신특허포상 시상식’에서 시상자 및 수상자들이 기념촬영을 하고 있다. 왼쪽 여섯 번째부터 SK하이닉스 D램개발 윤석철 TL, SK하이닉스 CEO 이석희 사장, SK하이닉스 대외협력총괄 김동섭 사장

SK하이닉스(news.skhynix.com)가 환경부로부터 10나노급 LPDDR4 D램 제품에 대한 ‘환경성적표지 인증’을 받았다고 20일 밝혔다.

‘환경성적표지 인증’은 원료채취, 제조, 사용, 폐기 등 제품의 전 과정에서 배출되는 오염물질이 지구 환경에 미치는 영향을 정량적으로 표시해 소비자가 친환경 제품을 선택할 수 있도록 돕는 제도다.

이번에 인증 받은 제품은 원료채취에서 폐기까지 전 과정에서 기존 20나노급 제품과 비교해 온실가스 배출량이 약 26% 줄어든 것으로 확인됐다.

SK하이닉스는 작년 말, 친환경 반도체 생산공장을 표방하며 ‘2022 ECO비전’을 선언한 바 있다. 이에 따라 SK하이닉스는 2022년까지 온실가스 40% 감축(‘16년 BAU* 대비), 폐기물 재활용률 95% 달성, 해외사업장 재생에너지 100% 사용 등을 추진하고 있으며, 올해 초에는 국내 최초로 폐기물 매립 제로(Zero Waste to Landfill) 인증도 받은 바 있다.

SK하이닉스 김형수 SHE(안전·보건·환경) 담당은 “SK하이닉스는 CDP(Carbon Discloser Project) 한국위원회가 선정한 탄소경영 명예의 전당에 2018년까지 6년 연속 선정됐다”며 “2022 ECO비전을 반드시 달성하고 사회적 가치 실현에 앞장서겠다”고 밝혔다.

▲환경부로부터 환경성적표지 인증을 받은 10 나노급 LPDDR4 D 램 제품 ( 좌 ) 6Gb LPDDR4 ( 우 ) 8Gb LPDDR4

SK하이닉스는 4일 서울 광장동 그랜드 워커힐 호텔에서 ‘2019 반도체 혁신 아이디어 공모전’을 개최했다. SK하이닉스는 반도체 기술 난제 극복을 위해 전국민을 대상으로 혁신 아이디어를 공모했으며 2017년부터 매년 실시했다.

이날 시상식에는 SK하이닉스 미래기술연구원 김진국 담당을 비롯해 임직원, 공모전 수상자와 동료, 가족 등 120여명이 참석했다. SK하이닉스는 우수 아이디어 제안자 총 17팀에게 상패와 총 상금 2억 6천 5백만원을 수여했다.

최우수상 수상자는 총 2명으로 저온 성장 나노 다공 구조의 공정개발을 제안한 충북대학교 이현석 교수와 효율적인 테스트 방법을 제안한 연세대학교 강성호 교수에게 돌아갔다. 우수상은 4건, 장려상 6건, 열정/패기장은 5건이 선정되었다.

이번에 수상한 아이디어는 지식재산권으로 출원되고 추가 연구가 필요한 아이디어는 SK하이닉스가 연구비를 투입하여 산학 과제 형태로 진행된다. 또한 수상한 학생들이 SK하이닉스에 입사 지원하면 서류 전형을 면제하는 특전을 제공한다. 한편 제2회 공모전 수상자로 올해 입사해 근무하고 있는 탁영준 TL이 시상식에서 수상자들에게 축하와 격려 인사를 전했다.

특히 SK하이닉스는 이번 공모전에 IT분야를 신설해 총 5개 분야(소자/공정, 설계, Solution, CIS, IT)에서 접수를 받았다. 올해는 작년과 비교해 공모 건 수가 2배 가량 늘어났으며 수준도 높아져 공모전 시행 이후 최초로 2건의 최우수상 아이디어가 선정됐다.

본 공모전을 주관한 김대영 Employee Growth 담당은 “SK하이닉스 반도체 공모전이 해를 거듭할수록 도전적이고 혁신적인 아이디어가 많이 제안되고 있다. 앞으로도 학생부터 기업 종사자까지 SK하이닉스와 함께 시너지 효과를 낼 수 있는 ‘반도체인들의 축제의 장’이 되길 바란다”고 전했다.

■ 제 3회 SK하이닉스 반도체 혁신 아이디어 공모전 수상자 리스트

▲SK하이닉스, 혁신 아이디어 공모전 수상자 기념사진

▲미래기술연구원 김진국 담당이 반도체혁신아이디어 공모전 시상식에서 축사를 하고 있다

SK하이닉스는 2019년 3분기에 매출액 6조8,388억 원, 영업이익 4,726억 원(영업이익률 7%), 순이익 4,955억 원(순이익률 7%)을 기록했다고 24일(木) 밝혔다(K-IFRS 기준). 3분기 매출은 수요 회복 움직임이 나타나며 전 분기 대비 6% 늘었으나, 수익성 측면에선 D램의 단위당 원가 절감에도 불구하고 가격 하락폭을 충분히 상쇄하지 못하며 영업이익은 전 분기 대비 26% 줄었다.

D램은 모바일 신제품 시장에 적극 대응하고 일부 데이터센터 고객의 구매도 늘어나 출하량이 전 분기 대비 23% 늘었으나, 가격 약세가 지속돼 평균판매가격은 16% 하락했다. 단, 하락폭은 전 분기 대비 줄어드는 양상을 보였다.

낸드플래시는 수요 회복이 지속되고 있는 고용량 모바일과 SSD 등 솔루션 시장에 적극 대응했으나, 지난 분기 일시적으로 비중을 늘렸던 단품 판매를 축소함에 따라 출하량이 전 분기 대비 1% 감소했다. 가격이 상대적으로 낮은 단품 판매 비중을 줄여 평균판매가격은 전 분기 대비 4% 상승했다.

◆ 향후 시장 전망

D램 시장의 경우, SK하이닉스는 데이터센터 고객의 재고가 상반기보다 줄어들며 일부 고객들이 구매 물량을 늘리기 시작했고 이 추세가 이번 분기(4분기)에도 이어질 것으로 기대했다.

낸드플래시 시장은 낮아진 가격에 따라 수요 회복 속도가 빨라지고 있다고 밝혔다. 공급 업체들의 재고 부담이 빠르게 줄어들며 수급이 균형을 찾고 있고, 시장 전반에 걸쳐 고용량 솔루션에 대한 수요도 이어져 당분간 낸드 판매 환경이 우호적일 것이라고 덧붙였다.

특히, 5G 스마트폰이 내년 본격적인 성장에 진입하며 메모리 수요 증가에 기여할 것으로 전망했다.

◆ 시장에 효과적으로 대응하는 생산과 투자

SK하이닉스는 늘어나는 고객 요구에 부응하면서도 대외 불확실성에 따른 수요 변동에 효과적으로 대처할 수 있는 생산과 투자를 이어간다는 계획이다.

D램은 이천 M10 공장의 D램 생산 캐파(CAPA) 일부를 CIS(CMOS 이미지 센서) 양산용으로 전환하고 있으며, 낸드플래시의 경우 2D 낸드 캐파를 줄이고 있다. 이에 따라 내년 D램과 낸드플래시 캐파는 모두 올해보다 감소하고, 내년 투자금액도 올해보다 상당 수준 줄어들 것으로 예상된다.

◆ 차세대 기술 개발·고부가가치 제품 기반 성장 추진

한편, SK하이닉스는 차세대 미세공정 기술을 지속 개발하고 고용량, 고부가가치 중심의 제품 판매를 확대하는 등 제품 포트폴리오를 고도화해 시장이 개선될 때 더 큰 성장이 가능하도록 한다는 방침이다.

D램은 10나노급 2세대(1Y) 생산 비중을 연말 10% 초반으로 높이고, 최근 개발한 10나노급 3세대(1Z) 공정을 적용한 제품의 양산도 차질 없이 준비할 계획이다. 아울러 내년 고객들의 채용 본격화가 예상되는 LPDDR5와 HBM2E 시장에도 적극 대응할 예정이다.

낸드플래시는 96단 4D 낸드 제품의 생산 비중을 연말 10% 중반 이상으로 확대하고, 128단 4D 낸드 양산과 판매 준비도 차질 없이 추진한다. 또한, 고사양 스마트폰과 SSD 시장을 중점적으로 공략해 SK하이닉스의 낸드플래시 매출 중 SSD가 차지하는 비중은 4분기에 30% 수준까지 늘 것으로 전망된다.

SK하이닉스 관계자는 “이번 다운턴(Downturn)의 경험을 바탕으로 사업 변동성을 최소화하는 한편, 지속 가능한 성장을 이룰 수 있도록 힘쓸 것”이라고 강조했다. <끝>

■ 2019년 3분기 경영실적 비교표 (K-IFRS 기준)

 
※ 한국채택국제회계기준(K-IFRS)을 적용해 작성되었습니다.
※ 同 실적 발표자료는 외부 감사인의 회계검토가 완료되지 않은 상태에서 작성되었으며, 회계 검토 과정에서 달라질 수 있습니다.

SK하이닉스는 ‘2019년 동반성장데이’를 열고 협력사들과 함께 특별한 기부행사를 개최했다고 23일 밝혔다.

22일 오후 용인시 처인구에 있는 SK아카데미에서 열린 이날 행사에는 이석희 SK하이닉스 CEO, 황철주 동반성장협의회 회장(現 주성엔지니어링 대표)을 비롯해 약 100여 명의 동반성장협의회 소속 협력사 대표들이 참석했다.

이날 SK하이닉스와 동반성장협의회 회원사들은 함께 조성한 5000만원의 기금을 경기사회복지모금회에 전달했으며 이는 치매노인과 발달장애인 등의 실종 방지를 위한 배회감지기(행복GPS) 450여 개 구입비용으로 사용된다.

‘2019년 동반성장데이’는 우수협력사 시상, 기부금 전달식 순으로 진행됐으며 특히 SK하이닉스가 후원하는 행복나눔 꿈의 오케스트라와 어린이합창단의 초청 공연으로 나눔의 의미를 더했다.
SK하이닉스 관계자는 “이번 행사는 SK하이닉스 혼자가 아닌 동반성장협의회와 함께했다는 점에서 의미가 크다”며 “이번 기부가 사회문제 해결의 중요성에 대해 함께 고민해볼 수 있는 좋은 기회가 되기를 바란다”고 밝혔다.

한편, 행복GPS는 SK하이닉스가 2017년부터 지원하고 있는 사회공헌 활동으로 이날 기부한 450여 개를 포함해 올해까지 총 16,000여 명의 치매노인과 발달장애인 등 실종 위험 대상자에게 지급될 예정이다. 배회감지기는 경찰청 통계 자료를 통해 실종자를 조기에 발견하는데 효과가 큰 것으로 증명된 바 있다. SK하이닉스는 치매 어르신들의 안전 및 실종 예방에 기여한 공로를 인정받아 2018년 9월 경찰청 감사패를 받기도 했다. <끝>

▲ SK하이닉스 동반성장협의회가 경기사회복지모금회에 기부금을 전달했다. 우측부터 이석희 SK하이닉스 CEO, 강학봉 경기사회복지모금회 사무처장, 황철주 동반성장협의회 회장

▲ 2019년 SK하이닉스 동반성장데이 참석자들이 기념촬영을 하고 있다.

SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다.

단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해, 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.

특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다. 또한 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

D램개발사업 1z TF장 이정훈 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능/고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.

한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.

[참고]
■ 정전용량 (Capacitance)- 전하를 저장할 수 있는 양/능력을 뜻함. D램의 정전용량이 늘어나면 데이터의 유지시간과 정합도가 상승함.
■ DDR4 (Double Data Rate 4)- DDR은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭. DDR1→2→3→4로 세대가 바뀜에 따라, 동작 속도와 전력 소비 등 D램의 성능도 지속 개선되고 있음.
■ EUV (Extreme Ultraviolet)- 극자외선. 반도체 공정 기술이 발전하면서, 더욱 미세한 회로를 그려 넣기 위해서는 이 극자외선을 활용하는 EUV 노광 장비를 사용해야 함.
■ HBM3 (High Bandwidth Memory3)- HBM의 3세대 제품. HBM은 고대역폭 메모리로 TSV 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품. 세대가 올라갈수록 속도가 더욱 향상됨.

SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램

K하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램

SK하이닉스(news.skhynix.co.kr)가 최근 선보인 기업광고 ‘청주 직지편’이 선풍적인 반응을 얻고 있다. 이 광고는 올 상반기 ‘반도체도 한국 특산품’이라는 기발한 아이디어로 화제를 일으킨 ‘이천편’ 광고의 후속편이다. ‘이천편’은 유튜브 국내 조회수 3100만 뷰를 넘어서며 큰 인기를 모은 바 있다.

SK하이닉스는 올해 생산기지가 위치한 지역인 이천과 청주를 배경으로 잇따라 광고를 선보이면서 관심을 끌고 있다. 전편에서 한국 특산품 반도체를 세계적인 첨단기술로 확장하는 메시지를 전한 데 이어 ‘청주편’에서는 SK하이닉스 고유의 ‘한계 극복 DNA’를 소재로 다뤘다.

SK하이닉스 관계자는 “1377년 고려시대 청주에서 여러 어려움 속에 세계최초 금속활자 직지가 만들어졌을 것”이라며 “이러한 DNA가 SK하이닉스로 이어져 한계를 이겨내며 기술개발을 해내는 원동력이 된 것이라는 스토리에 웃음 코드를 넣어 다뤘다”라고 설명했다.

또한, SK하이닉스는 ‘정보의 기록 및 저장장치라는 면에서 650년 전의 직지와 현대의 메모리 반도체가 상통한다’는 아이디어를 광고에 담아냈다. 금속활자는 동서양을 막론하고 인쇄술의 발전을 가져와 도서의 대량생산 등 지식 공유의 확장을 이끌어낸 혁신적인 기술이다. 이처럼 금속활자와 메모리 반도체는 시대는 다르지만 서로 비슷한 역할을 한 IT 기술이라는 발상을 광고로 표현한 것이다.

이 광고는 온에어 이후 2주가 채 안 된 14일 유튜브 국내 조회수 1200만 뷰를 넘어섰다. 빅히트작인 전편 ‘이천편’과 비슷한 속도로 조회수가 계속 늘어나는 추세다.

유튜브에는 “전편에서는 이천을, 이번엔 청주 직지를 SK하이닉스가 일깨워줬다”, “이제 반도체 하면 SK하이닉스만 떠오른다”, “청주는 직지와 반도체다. 청주 사람으로서 뿌듯하다”와 같은 댓글이 다수 올라오고 있다.

SK하이닉스 원정호 브랜드전략팀장은 “반도체 경영환경이 어려운 시기이지만 이 광고를 통해 청주 시민과 임직원들이 자부심을 느낄 수 있기를 바란다”고 말했다. <끝>

SK하이닉스가 ‘글로벌 뉴스룸()’을 오픈하고 전 세계 다양한 이해관계자들과 직접 소통을 시작한다.

창립 36주년을 맞은 10월 10일 오픈한 글로벌 뉴스룸은 한국어, 영어, 중국어 3개 언어로 구성됐다. 세계 최대 반도체 시장인 미국과 중국 고객은 물론이고 주주, 언론인 등 다양한 이해관계자들이 앞으로 글로벌 뉴스룸을 통해 정보를 접할 수 있게 된다.

SK하이닉스 뉴스룸은 ‘기술’과 ‘행복’이라는 두 가지 키워드를 중심으로 콘텐츠를 제공한다.

우선 SK하이닉스의 제품과 기술을 비롯해 반도체 시장 트렌드를 소개하고, 전문가의 기고 등을 선보일 계획이다. 또한, 회사 내 소소한 ‘행복’ 이야기를 발굴하고 공유해 뉴스룸이 SK하이닉스의 행복 소통 채널이 될 수 있도록 힘쓸 예정이다. 뉴스룸에서 보도자료 확인, 회사관련 사진 및 영상자료를 다운로드 할 수 있고, 경영진 인터뷰와 채용정보를 비롯해 회사의 다양한 소식도 접할 수 있게 된다.

영문 및 중문 뉴스룸은 글로벌 인지도 제고를 목적으로 각기 차별화된 콘텐츠로 운영한다.

영문 뉴스룸은 영어권 고객 및 해외 취업 준비생을 대상으로 ‘기술’ 위주의 콘텐츠를 제공할 계획이다. 특히, 미국 새너제이에는 낸드플래시 컨트롤러를 개발하는 SK하이닉스메모리솔루션스(SK hynix memory solutions)가 있어 현지의 기업 문화와 최신 기술 개발 동향도 소개할 예정이다.

이번 뉴스룸 오픈에 맞춰 영문 뉴스룸에서는 지난 8월부터 미국 아마존에서 판매하는 소비자용 SSD와 관련된 영상 및 콘텐츠도 선보였다.

중문 뉴스룸은 중국 우시와 충칭에 있는 생산법인을 기반으로 지역사회와 소통하는 채널로 만들 계획이다. 현지 법인의 운영 현황과 지역 사회공헌 활동 등을 소개하고, 중국 구성원들의 소통 채널로도 활용한다는 방침이다. 또한, 중국 각 지역과 홍콩, 대만 등에 있는 중화권 판매법인과 사무소의 생생한 현장 소식도 전할 예정이다.

특히, 중문 뉴스룸에 선보인 ‘SK하이닉스 패주본기(SK海力士霸主本纪)’는 SK하이닉스 역사를 산수화를 기본 배경으로 무협지 형태로 소개해 현지인들의 호평을 받았다.

SK하이닉스 김정기 홍보담당은 “글로벌 뉴스룸은 전 세계 다양한 사람들에게 SK하이닉스를 알리고 소통할 수 있는 새로운 공간이 될 것”이라며, “첨단기술과 행복을 향한 소통의 장으로 성장할 수 있도록 노력하겠다”고 말했다.

한편, SK하이닉스는 글로벌 뉴스룸 오픈을 기념해 행복을 주제로 한 이석희 CEO의 인터뷰와 인기 유튜브 웹드라마 시리즈 테너시티 신드롬(Tenacity Syndrome, 집념증후군) 3편 영상을 뉴스룸과 유튜브에 함께 공개했다. <끝>

SK하이닉스가 장애 청년 일자리 창출을 위한 ‘스마트팜’ 조성에 참여한다. SK하이닉스는 농장 건립을 위한 25억원 지원과 함께 운영 협력을 골자로 하는 양해각서를 푸르메재단과 체결했다고 14일 밝혔다.

내년 4월 착공할 계획인 이 농장은 건설비 50억 원을 들여 경기도 여주시 오학동 약 1만3000㎡(4천 평) 부지에 첨단 IT기술이 접목된 유리 온실과 교육장 등으로 조성된다. 특히 시가 30억 원 상당의 건립 부지는 발달 장애 아들을 둔 이상훈, 장춘순 부부가 지난 3월 푸르메재단에 기부한 바 있다. SK하이닉스와 푸르메재단은 이 부부의 뜻을 담아 일자리 사각지대에 있는 발달 장애인도 즐겁게 일할 수 있는 스마트농장으로 만들 예정이다. 향후 이곳에서 일할 장애 청년들이 적성과 역량에 맞는 업무를 수행하면서 다양한 교육/치유/돌봄 프로그램을도 누릴 수 있게 된다.

서울시 종로구 푸르매재단에서 열린 양해각서 체결식에는 푸르메재단 강지원 이사장, 부지 기부자 이상훈 우영농원 대표와 장춘순 이사, SK하이닉스 대외협력총괄 김동섭 사장 등 관련자 10여명이 참석했다.

강지원 푸르메재단 이사장은 “장애인을 위해 스마트팜을 건립하는 사업은 국내 최초일 뿐만 아니라 세계적으로도 유례를 찾기 힘들다”면서 “장애를 가진 청년들과 그들 가족의 행복을 위한 아름다운 농장을 함께 만들어 나가자”고 말했다.

부지 기부자 이상훈 우영농원 대표는 “발달 장애아를 자식으로 둔 부모의 입장에서 사회에 기여할 수 있는 부분을 항상 생각해 왔다”며 “뜻 깊은 일에 SK하이닉스와 푸르메재단이 적극 동참해주어 감사하다”고 소회를 밝혔다.

한편, SK하이닉스는 향후 농장에서 재배되는 농산품 구매와 임직원 자원봉사 활동 연계 등 농장 운영 전반을 지원하며 장애 청년들의 재활과 자립을 도울 방침이다.

(왼쪽부터) SK하이닉스 대외협력총괄 김동섭 사장, 건립 부지를 기부한 장춘순 이상훈 부부, 푸르메재단 강지원 이사장

SK하이닉스가 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발에 성공했다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.

SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능하다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아닌, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십um(마이크로미터) 간격 수준으로 가까이 장착한다. 이로써 칩간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능해진다.

SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 “SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다”며 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 밝혔다.

[참고]

■ HBM (High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리) – 고대역폭 메모리로 TSV 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품.

■ TSV (Through Silicon Via) – D램 칩(Chip)에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술 – 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 적층 한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 이동 경로를 구성해 데이터, 명령어, 전류를 전달함 – 일반적으로 기존에 사용되던 패키지 방식들보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄어드는 효과 발생

■ 데이터 처리 속도 계산 – 1GB(기가바이트) = 8Gb(기가비트) – HBM2E pin 당 3.6Gbps x 1024개 정보입출구(I/O) = 3686.4Gbps – 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB 환산)

SK하이닉스가 개발한 업계 최고속 HBM2E D램