2018년 처음으로 시작된 혁신특허포상은 기술 난제를 극복하고 경영성과 기여도가 높은 우수 특허를 선발해 포상하는 행사이다. 회사는 올해 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 특허를 포상 대상으로 선정해 총 2억 750만 원의 상금을 지급했다. SK하이닉스는 “혁신특허포상은 구성원들의 특허 인식 제고 및 연구 의욕을 높여 우수 특허를 창출하고 경영실적 증가로 이어지는 선순환 구조에 기여하고 있다”고 강조했다.

▲ 제6회 혁신특허포상에서 금상 수상 기념 사진을 촬영하고 있다. (왼쪽부터) 윤태식 TL(AI Infra), 김동섭 사장(대외협력 담당), 김창현 TL(DRAM개발)

올해 최고상인 금상의 영예는 HBM 테스트의 효율성을 높이는 특허를 낸 윤태식 TL(AI Infra)과 HBM과 DRAM의 오류 정정 기능 효율성 제고 관련 특허를 개발한 김창현 TL(DRAM개발)에게 돌아갔다.

윤태식 TL은 “HBM 등 회사 핵심 제품의 테스트 역량 제고에 기여한 점을 인정받아 기쁘다”며 “앞으로도 혁신 기술을 발명해 회사 발전에 보탬이 되고 싶다”고 말했다. 김창현 TL은 “메모리 동작시 발생하는 오류를 정정하는 기술은 메모리 신뢰성을 높이는 데 매우 중요한 부분”이라며 “이 분야 기술력을 더 고도화하기 위해 연구개발을 지속해나갈 것”이라고 소감을 밝혔다.

▲ 제6회 혁신특허포상에서 은상 수상 기념 사진을 촬영하고 있다. (왼쪽부터) 오상묵/윤태식 TL(AI Infra), 송현종 코퍼레이트 센터(Corporate Center) 사장, 강병인/이한규 TL(P&T), 이기홍 담당(미래기술연구원)

은상은 오상묵/윤태식 TL(AI Infra), 강병인/박낙규/이한규 TL(P&T), 이기홍 담당/백지연 TL(미래기술연구원)에게 수여됐으며, 동상은 현진훈/이창현 TL(DRAM개발), 주노근 TL(DRAM개발), 최은지/안근선 TL(NAND개발), 나형주 TL(Solution개발), 양동주/사승훈 TL(CIS개발)에게 수여됐다.

▲ 제6회 혁신특허포상에서 동상 수상 기념 사진을 촬영하고 있다. (왼쪽부터) 현진훈/이창현/주노근 TL(DRAM개발), 최은지 TL(NAND개발), 김주선 사장(AI Infra 담당), 안근선 TL(NAND개발), 나형주 TL(Solution개발), 양동주/사승훈 TL(CIS개발)

이날 외부 일정으로 행사에 참석하지 못한 SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 서면을 통해 “이전보다 한층 경쟁력이 강화된 특허로 SK하이닉스의 기술력을 높이는 구성원들 덕분에 든든하다”며 “우리는 회사와 반도체 산업 발전을 위해 기술개발과 발명을 지속함으로써 글로벌 1등 AI 메모리 기업 위상을 더욱 공고히 해나갈 것”이라고 밝혔다.

김동섭 대외협력 사장은 “올해 6회째를 맞은 혁신특허포상 제도를 통해 누적 60건에 이르는 우수 특허가 선정되어 사내 여러 인재들이 공로를 인정받았다”며 “앞으로도 이 제도를 지속 운영하며 구성원들의 기술혁신에 대한 동기부여를 강화할 것”이라고 말했다.

송현종 코퍼레이트 센터 사장은 “축적된 인재풀과 지적 자산은 기술기업의 가치를 높여주는 핵심 지표”라며 “앞으로도 구성원의 기술개발을 지속 독려해 회사의 기술 리더십을 더욱 높여 나갈 것”이라고 밝혔다

올해로 5회째를 맞은 혁신특허포상 시상식은 지속경영담당 김윤욱 부사장, 특허담당 민경현 부사장 등 담당 임직원들이 수상자들의 소속 조직이 있는 현장으로 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.

▲ (왼쪽부터) 지속경영담당 김윤욱 부사장, 미래기술연구원 황선환 TL, SKHU 장세억 교수, 미래기술연구원 차선용 부사장

▲ (왼쪽부터) DRAM개발담당 김종환 부사장, DRAM개발 신범주 TL, 지속경영담당 김윤욱 부사장

이번 시상식의 최고상(금상)은 총 2건으로, DRAM 내부의 회로를 개선해 소비 전력을 낮춘 DRAM개발 신범주 TL과 DRAM 내부의 불순물을 제거해 소자 신뢰성을 높인 미래기술연구원 황선환 TL, 장세억 SKHU(SK Hynix University, 사내대학) 교수가 수상했다.

SK하이닉스는 이외에도 NAND, Solution, Package 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 혁신특허를 선정하고, 이를 발명한 구성원 19명에게 상패와 총 상금 2억 1,500만 원을 수여했다.

SK하이닉스는 2018년부터 매년 혁신특허포상 제도를 실시해 회사의 매출과 기술혁신에 크게 기여한 특허를 선정, 이를 발명한 구성원을 포상하고 있다. SK하이닉스는 이 제도를 기반으로 구성원의 연구 의욕을 고취하고, 회사의 이익과 기술력이 증대되는 선순환 구조를 형성해 글로벌 일류 기술기업으로 나아가기 위한 강한 특허를 지속적으로 발굴해 나간다는 계획이다.

SK하이닉스가 ‘제4회 혁신특허포상 시상식’을 개최했다고 25일 밝혔다.

시상식은 SK하이닉스 지속경영담당 김윤욱 부사장, 특허담당 민경현 부사장 등 담당 임직원들이 23, 24일 양일간 경기도 이천, 분당에서 근무하는 수상자들을 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.

이번 시상식의 최고상(금상)은 총 2건으로, D램 회로 면적을 줄이면서 리프레시(Refresh) 기능을 개선한 D램개발 이강설, 김용미 TL과, D램 내부의 배선 간 컨택(Contact) 저항을 낮추고 불량률을 저하시킨 미래기술연구원 김승범 TL이 수상했다.

SK하이닉스는 이외에도 낸드, CIS, P&T 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 혁신특허를 선정하고, 혁신특허를 발명한 재직 연구원 17명에게 상패와 총상금 2억 4,000만원을 수여했다.

SK하이닉스는 2018년부터 매년 혁신특허포상 제도를 시행해 임직원들의 연구 의욕을 고취하고 강한 특허를 발굴하는 데 앞장서고 있다. 이 제도는 SK하이닉스 등록 특허 중 매출 증대와 기술 문제 해결에 크게 기여한 혁신특허를 선정해 이를 발명한 재직 연구원을 포상하는 방식으로 운영된다.

SK하이닉스는 현재 전 세계 2만 건 이상의 특허를 보유 중이며, 향후에도 강한 특허를 지속적으로 발굴해 글로벌 반도체 경쟁력을 강화한다는 방침이다.

▲ SK하이닉스가 지난 23,24일 양일간 경기도 이천, 분당에서 제4회 혁신특허포상 시상식을 가졌다. (왼쪽부터)SK하이닉스 특허담당 민경현 부사장, DRAM개발담당 차선용 부사장, DRAM개발 이강설 TL, 김용미 TL, 지속경영담당 김윤욱 부사장

▲ (왼쪽부터)SK하이닉스 미래기술연구원 김승범 TL, 지속경영담당 김윤욱 부사장

[용어설명]

■ 리프레시(Refresh)
D램에서 일정 시간마다 데이터를 유지해 주는 기능. D램은 셀(Cell)에 전하를 축적해 데이터를 저장하는데, 전원이 차단되거나 시간이 지남에 따라 전하가 누전돼 저장된 데이터가 손실되는 특성이 있다. 이를 방지하기 위해 주기적으로 셀을 재생해 데이터를 상기시켜 주는 것을 ‘리프레시’라고 한다.
■ 컨택(Contact) 저항
칩 내부의 미세한 소자와 회로는 웨이퍼 상에 여러 개의 막(Layer)을 쌓고 수차례 깎아내는 과정을 통해 형성되는데, 여기서 위아래의 막과 막 사이를 전기적으로 연결해주는 기둥 형태의 구조물을 ‘컨택’이라고 말한다. 컨택에서 발생하는 저항을 낮추는 것이 제품 불량률을 낮추는 관건이다.