▲ 제61회 무역의 날 기념식에서 금탑산업훈장을 받은 SK하이닉스 이상락 부사장

SK하이닉스 이상락 부사장(Global S&M 담당)이 지난 12월 5일 서울 코엑스에서 열린 ‘제61회 무역의 날 기념식’에서 최고 영예인 금탑산업훈장을 수상했다.

매년 산업통상자원부 후원, 한국무역협회 주관으로 개최되는 무역의 날 기념식에서는 한 해 동안 수출 저변 확대에 공헌한 유공자를 선정하여 정부 포상을 수여한다. 산업훈장은 그중 가장 높은 등급의 포상으로, 특히 이 부사장이 수상한 금탑산업훈장은 최고 권위의 훈격이며 영예성이 가장 높다.

이번 수상에서 이 부사장은 AI 시대 환경 변화에 선제적으로 대응해 HBM을 비롯한 AI 향 메모리 시장을 선도했으며, ‘24년 상반기 기준 186억 불 수출 실적을 달성하는 등 반도체 업계 위상 제고 및 국가 경제 발전에 크게 기여한 공적을 인정받았다.

이 부사장은 “이번 수훈은 SK하이닉스 모든 구성원의 도전 정신과 열정을 더해 함께 만들어낸 성과라고 생각한다”며 “앞으로 더 큰 책임감을 가지고 회사와 반도체 산업 발전에 기여하도록 최선을 다하겠다”라고 소감을 밝혔다.

뉴스룸은 이 부사장을 만나 그간의 공적을 돌아보고, 앞으로의 목표에 관해 이야기를 나눠봤다.

위기 속에서 기회 찾은 ‘금빛 전략’

1992년 엔지니어로 SK하이닉스에 입사한 이 부사장은 해박한 기술 지식을 바탕으로 30여 년간 글로벌 빅테크 기업과 견고한 협력 관계를 구축하고, 급변하는 IT 시황에 맞춰 최적의 판매 전략을 펼치며 회사의 시장 지배력을 강화해 왔다.

현재 이 부사장이 이끄는 Global S&M 조직은 전사 매출을 책임지고 있다. 그는 조직이 맡은 역할을 야구 경기의 ‘마무리 투수’에 비유했다. 제품 개발부터 양산까지 잘 끌어온 ‘경기’를 고객과의 치열한 수 싸움을 거쳐 가장 높은 가치로 인정받는 ‘승리’, 즉 높은 매출을 끌어내는 역할을 한다는 것이다.

이 부사장의 이런 전략가적인 면모는 SK하이닉스가 다운턴을 극복하고, 글로벌 No.1 AI 메모리 기업으로서의 입지를 다지는 데 크게 공헌했다. 그는 어려운 시황에도 회사의 기술력과 고객 협상력을 바탕으로 고객별 고수익 제품 판매 확대 전략을 수립, 매출을 안정적으로 확보했다. 또한, 고객별 재고와 수급 동향을 빠르게 파악하여 선제적으로 가격 인상을 단행했고, 2023년 4분기에는 다운턴 이후 업계 최초로 흑자 전환을 이끌었다.

뿐만 아니다. 이 부사장은 AI 산업이 급속도로 발전하는 기회 요인에 집중해 HBM 및 일반 메모리 생산 역량을 재배치했고, 수요가 급증한 서버와 엔터프라이즈 SSD 시장을 공략하여 승기를 잡았다. 이러한 전략으로 2024년 3분기에는 매출 17조 5,731억 원, 영업이익 7조 300억 원을 달성하며, 창사 이래 최대 분기 매출이라는 기록적인 성과를 견인했다.

“불과 1년 전만 해도 우리는 유례없는 다운턴으로 큰 어려움을 겪고 있었습니다. 하지만 위기 속에도 기회는 있었습니다. 자사의 제품 경쟁력을 기반으로 시장 변화에 최적화한 판매 전략을 세웠고, 고객과의 전략적 협업으로 시장을 빠르게 선점하여 현재 AI 메모리 시장 1위라는 결실을 이룰 수 있었습니다.

전사 모든 부문의 노력으로 어려운 상황을 슬기롭게 극복한 덕분에, 금탑산업훈장 수상이라는 영광을 안을 수 있었습니다. 다시 한번 구성원께 감사의 인사를 전합니다.”

메모리 반도체 산업 사이클, 고객과의 신뢰 구축과 유연한 변화 대응 중요

이 부사장은 이러한 호실적이 단기간에 이룩한 성과는 결코 아니라고 강조했다.

“특히 HBM은 갑자기 등장한 스타 상품이 아닙니다. 초기 실패에도 포기하지 않았고, 3세대 제품인 HBM2E부터 적극적으로 고객 인증 획득을 진행하여 안정적으로 시장에 안착했습니다. 그리고 고객과 꾸준히 신뢰 관계를 쌓아, 중장기 전략적 협력 관계를 구축했습니다. 이렇게 쌓인 성과가 AI 시장의 개화를 만났고, 현재의 실적까지 만들어 낸 것입니다.”

준비된 자에게 기회가 온다는 말처럼, 이 부사장의 ‘준비’는 고객과 신뢰로 연결된 진정한 파트너십을 맺는 것이다.

“영업 업무를 맡은 후, 항상 저의 목표는 고객과 깊이 공감하고, 그들의 성공을 나의 성공으로 여기며 함께 성장하는 것이었습니다. 그간 달성한 성과의 원동력 역시 이러한 철학을 바탕으로 고객과 쌓아온 ‘신뢰’라고 생각합니다. 기술력이나 제품력도 중요하지만, 결국 고객이 믿고 의지할 수 있는 파트너가 되는 것이 중요하기 때문입니다.”

이 부사장은 미주 법인장으로 재직하던 2018년에도, 고객과의 신뢰 관계를 바탕으로 당대 최대 매출 달성에 기여하며 반도체 슈퍼 호황기를 이끌었다. 당시 급증하던 클라우드 붐(Boom)에 적극 대응하여, 서버 향 제품의 매출과 시장 점유율을 극대화했고 다양한 글로벌 빅테크 기업과 전략적으로 협업하여 자사 사업 확대를 위한 기반 마련에 많은 노력을 기울였다.

또한, 이 부사장은 수요와 공급의 변화에 민감한 메모리 반도체 산업에서는 급변하는 IT 환경에 대한 빠르고 유연한 대응체계를 갖추는 것 역시 중요하다고 역설했다.

“메모리 반도체 산업의 사이클에 대응하기 위해서는 고객의 수요를 선제적으로 예측하고, 산업 동향에 발맞춰 기술 개발과 생산 역량을 꾸준히 강화해야 합니다. 단기적인 실적 상승뿐만 아니라 장기적인 안정성과 지속 가능한 성장을 동시에 달성하는 것을 목표로 전략을 세워, SK하이닉스가 독보적인 AI 메모리 리더로 자리 잡을 수 있도록 지속해서 노력하겠습니다.”

이 부사장은 SK하이닉스가 기술 변혁을 주도하며, 글로벌 No.1 AI 메모리 기업으로서 위치를 공고히 하기 위해 조직 및 전사 구성원에게 ‘고객 중심의 사고’를 가질 것을 당부했다. 그리고 이를 달성하기 위한 과정에서 적극적으로 협업하고 소통하는 ‘원팀’ 문화의 중요성도 강조했다.

“모든 구성원들 각자의 자리에서 ‘고객 중심의 사고’를 가져야 합니다. 고객이 원하는 것을 먼저 이해하고, 이를 뛰어넘는 가치를 제공할 수 있어야 지속적인 경쟁력을 확보할 수 있기 때문입니다.

그리고 부서와 팀의 경계를 넘어선 원팀 마인드로 정보를 적극 공유하고, 아이디어를 나누며 문제 해결에 힘써주시길 바랍니다. AI 메모리 시장 1등이라는 대업은 우리가 가진 기술과 열정, 끈기와 협업에서 나온 결과라고 믿습니다.”

그리고 이러한 성과가 가지는 자부심에 대해 이야기하며, 포부를 밝혔다.

“우리가 달성한 실적은 단순히 한 회사의 성과에 그치는 것이 아니라, 글로벌 시장에서 우리나라의 위상을 높이고 국가 반도체 산업의 경쟁력을 증명한 것입니다. 이에 개인적으로 큰 자부심을 느낍니다.

앞으로도 저를 비롯한 영업/마케팅 조직 구성원들이 SK하이닉스의 마무리 투수로서 국가 경제와 미래 산업 발전을 위해 큰 역할을 할 수 있도록 많은 격려 부탁드립니다.”

SK하이닉스 김춘환 부사장(R&D공정 담당)이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘2024 산업기술 R&D 종합대전’에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다.

R&D대전은 국내 연구·개발(R&D) 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 ‘산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상’ 시상식이 진행된다.

산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 이 부문에서 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다. D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받은 것이다.

▲ 2024 산업기술 R&D 종합대전에서 은탑산업훈장을 받은 SK하이닉스 김춘환 부사장(첫 번째 사진 오른쪽, 두 번째 사진 왼쪽 세 번째)

김 부사장은 “요소기술*을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다”며 “이는 모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실”이라고 소감을 밝혔다. 이어 그는 “함께 한 구성원 모두에게 감사 인사를 전하며 앞으로 더 많은 분에게 수상의 기회가 돌아가길 기대한다”고 덧붙였다.

뉴스룸은 혁신 기술로 회사와 산업을 빛낸 김 부사장을 만나 이야기를 나눴다.

HBM 핵심 요소기술, TSV의 기반을 다지다

1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끈 주역이다. 특히 그는 HBM의 핵심인 TSV(Through Silicon Via) 요소기술을 개발하는 데 크게 기여했는데, 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.

김 부사장은 TSV 개발에 열을 올렸던 2008년 당시를 회상했다.

“TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층하여 고용량, 고대역폭을 구현하는 기술입니다. 개발 초기에는 고도의 정밀성과 미세한 제어가 요구되다 보니 난이도가 정말 높았는데요. 특히 금속층 증착과 회로 패턴 형성 과정에서 어려움이 상당히 컸습니다.”

당시 김 부사장을 비롯한 개발진은 문제를 풀어내고자 유관 부서들과 머리를 맞대고 해결책을 모색했다. 치열한 협업 끝에 SK하이닉스는 ‘R&D의 요소기술 개발 > 제조/기술의 양산 품질 고도화 > 패키징’으로 이어지는 개발 모델을 완성했고, HBM 시장이 열리는 시점에 맞춰 제품을 내놓을 수 있었다.

▲ SK하이닉스 김춘환 부사장이 수상한 2024 산업기술 R&D 종합대전 은탑산업훈장

하지만 오랜 연구 끝에 내놓은 제품이 곧바로 실적으로 이어지진 않았다. 초기에는 높은 공정 비용 대비 시장 수요가 적은 탓에 수익성을 확보하기 어려웠기 때문이다. 김 부사장은 “그럼에도 경영진의 확고한 믿음과 지원이 있어 프로젝트를 이어갈 수 있었다”고 밝혔다.

“TSV 공정 기술 안정화와 인프라 구축에 중점을 두고 연구 개발에 더욱 매진했습니다. 양산 품질 개선 활동도 진행해 마침내 HBM 양산에 성공하게 됐는데요. 이 모든 성과의 단초였던 TSV는 현재 MR-MUF*와 함께 HBM의 핵심 경쟁력이 됐습니다.”

D램·낸드 요소기술, 풀스택 AI 메모리의 기반이 되다

김 부사장의 성취는 TSV에 그치지 않는다. 그는 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV* 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 또, 그는 HKMG* 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술*에서 눈에 띄는 성과를 냈다.

낸드 분야의 혁신도 돋보인다. 김 부사장은 Gate W Full Fill* 기술로 신뢰성을 높여 수율 안정성을 확보했고, 이를 통해 생산성을 높이는 데 기여했다. 또한, 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술을 개발해 초고층 낸드를 생산하는 데 필요한 핵심 요소기술을 확보했다.

이 같은 결실은 회사가 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)*’로 도약하는 데 중요한 마중물이 됐다.

“1b D램 기반의 HBM3E는 선단기술과 TSV 노하우를 집대성한 결과물로 볼 수 있습니다. 또, 초고속·저전력의 LPDDR5X·LPDDR5T는 HKMG 기술 덕분에 개발할 수 있었죠. 이밖에 R&D 요소기술을 기반으로 개발한 낸드 및 SSD 제품은 원가, 성능, 품질 측면에서 세계 최고 수준의 경쟁력을 증명했고, 웨이퍼 본딩 기술은 초고층 낸드 개발의 방향성을 잡는 데 중요한 역할을 하고 있습니다.”

김 부사장은 기술 개발뿐만 아니라 생태계 육성에도 힘썼다. 국내외 반도체 학회 강연에 나서며 R&D 노하우를 공유했고, 소재·부품·장비 협력사와의 기술 협력에도 꾸준히 힘써왔다.

이런 성공 스토리를 만들어 내기까지 그는 ‘도전 정신’과 ‘원팀’의 중요성이 컸다고 강조한다.

“R&D 조직은 도전 정신을 바탕으로 한계를 정면으로 돌파하며 원가 경쟁력을 갖춘 기술을 개발하고 있습니다. 여기에 원팀 문화가 더해지며 시너지 효과가 창출됐죠. 특히 수많은 조직이 참여해 전사 기술 방향을 논의하는 등 견고한 협업 체계가 기술 리더십을 확보하는 데 큰 힘이 됐습니다.”

끝으로, 김 부사장은 AI라는 큰 변화에 맞서 나가기 위해 구성원들이 가져야 할 마음가짐을 언급했다.

“신규 요소기술 정의부터 기술 개발 착수, 안정적 제품 양산까지 전 과정에서 조직이 하나되어야만 목표를 달성할 수 있습니다. 또, 요소기술을 적기에 개발하려면 실패를 두려워하지 말고 지속해서 도전하고 시도해야 합니다. 많은 변화가 있겠지만, 멈추지 않고 성장을 추구합시다. 퍼스트 무버로서 기술 리더십을 발휘한다면 세계 최고의 SK하이닉스로 성장할 수 있을 것입니다.”

▲ 제48회 국가생산성대회에서 국가생산성대상 동탑산업훈장을 받은 SK하이닉스 최우진 부사장

SK하이닉스 P&T(Package & Test)담당 최우진 부사장은 반도체 패키징 분야 기술 혁신을 통해 HBM 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다. 시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 ‘제48회 국가생산성대회’에서 진행됐다.

산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관하는 국가생산성대상은 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업 및 유공자에게 수여된다. 최 부사장은 ▲HBM 기술 혁신을 바탕으로 AI 메모리 시장 선도 지위 확보 ▲소부장 글로벌 공급망 불안 해소 ▲제조/기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받아 수훈의 영예를 안았다.

최 부사장은 “지난 다운턴을 이겨내고, 세계 최고 수준의 HBM 제품을 위해 함께 헌신하고 노력해 온 회사의 모든 구성원들께 먼저 감사의 인사를 전하고 싶다”며 “많은 도전과 변화 속에서도 우리 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분에, 제가 이런 큰 상을 받을 수 있었다고 생각한다”고 소감을 밝혔다.

뉴스룸은 최 부사장을 만나 그간의 공적을 돌아보고, 앞으로의 목표에 관해 이야기를 나누었다.

패키징 기술 혁신 통해 HBM 성공 견인

최 부사장이 이끄는 P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후(後)공정에 해당하는 패키징(Packaging)과 테스트(Test)를 담당한다. 이는 팹(Fab)에서 전(前)공정을 마친 웨이퍼를 고객이 사용할 수 있는 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트하여 신뢰성까지 확보하는 역할이다.

특히, TSV*, MR-MUF* 등 압도적인 패키징 기술력은 SK하이닉스 HBM 경쟁력의 핵심이라 해도 과언이 아니다. 최 부사장은 HBM 패키징 기술 개발 및 양산을 책임지며, 회사가 HBM 1등 위상을 얻는 데 중요한 역할을 수행했다.

* TSV(Through Silicon Via,수직관통전극): D램에 미세 구멍을 뚫어 칩들을 수직관통전극으로 연결하는 기술
* MR-MUF(Mass Reflow-Molded UnderFill): 매스 리플로우(MR)는 적층된 칩 사이의 범프를 녹여 칩끼리 연결하는 기술. 몰디드 언더필(MUF)은 적층된 칩 사이에 보호재를 채워 내구성과 열 방출 효과를 높이는 기술

▲ SK하이닉스 최우진 부사장이 수상한 국가생산성대상 동탄산업훈장

최 부사장은 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다. 또, 그는 MR-MUF 기술을 고도화한 ‘어드밴스드(Advanced) MR-MUF’* 기술을 개발하여 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다.

* 어드밴스드(Advanced) MR-MUF: 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용되었으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술

이러한 성공 스토리의 바탕에는 시장 변화에 촉각을 곤두세우며 선제적으로 대응해 온 그의 노력이 있었다. 최 부사장은 역대 HBM 개발 및 양산 과정에서 가장 중요한 것으로 ‘타임 투 마켓(TTM, Time to Market)’을 꼽으며, 시장 상황에 기민하게 대처할 수 있는 기술을 준비해야 한다고 강조했다.

“AI 시대의 반도체 산업은 급속히 변하고 있습니다. 시장 상황과 고객의 요구를 빠르게 파악하여 대응하는 것은 기본이며, 무엇보다 이를 뒷받침할 수 있는 기술력을 꾸준히 준비하는 것이 중요합니다. SK하이닉스가 HBM을 통해 AI 메모리 시장을 선도할 수 있었던 것은 바로 이러한 준비 덕분입니다.”

위기를 ‘기회’로 만든 생산성 혁신

최 부사장의 생산성 혁신 성과는 위기 상황에서 빛을 발했다.

지난 2022년 세계 경기 침체와 함께 반도체 시장이 다운턴에 접어들었고, 전사적으로 체계적인 대응이 필요한 시점이었다. 최 부사장은 2023년부터 다운턴 TF(Task Force) 조직에 합류해, 수익성이 높은 프리미엄 제품군의 생산을 확대하고 원가 절감을 위해 운영 방식 전환을 추진, 공정 효율을 개선했다.

그는 또, 단기적인 실적 개선에 집중하기보다는 더 멀리 내다봤다. 체계적인 목표 설정과 회의체 관리를 통해 성과의 지속가능성을 높이고자 했으며, 탑다운 방식을 지양하고 현장 전문가 구성원들과 함께 실무 중심의 논의와 실행을 이어갔다. 그 결과, SK하이닉스는 지난해 4분기 다운턴 이후 메모리 업계 최초로 흑자 전환(Turn Around)에 성공했다.

다운턴 극복은 시작일 뿐이었다. 지난해부터 AI 메모리 수요가 갑작스럽게 늘어나면서 기존 대비 배 이상의 추가 물량 공급이 필요한 상황이 닥쳤다. 예정된 투자는 모두 완료된 상태로, 회사는 추가 투자 없이 난관을 극복해야만 했다.

이에 최 부사장은 기존에 없던 방법을 새롭게 고안해 냈다. 공정 간 생산을 연계해 조정, 추가 투자 없이 제품을 증산하는 데 성공한 것이다. 이는 회사가 AI 메모리 시장에서 승기를 잡는 데 결정적인 역할을 했다.

최 부사장은 또, 미중 무역 갈등, 일본의 수출 규제 정책 등으로 대외 여건의 불안정성이 높았던 2019년에는 협력사와 함께 패키징 분야 업계 최고 수준의 국산 장비를 개발해냈다. 이와 함께 그는 해외 의존도가 높았던 도금액, 접합 소재 등의 국산화까지 이끌어내며, 소재 국산화율을 높이는 데도 기여했다. 이는 글로벌 공급망 불안을 걱정하는 국내 기업들의 우려를 덜어주는 데도 큰 도움이 됐다.

최 부사장은 끝으로 구성원들에게 ‘도전 정신’을 강조했다.

“패키징 기술 고도화, 어드밴스드 패키징 기술 개발 등 R&D 역량과 품질 경쟁력, 생산 역량을 높이는 것까지 P&T 조직에 주어진 미션이 많습니다. 하지만 우리 P&T 구성원들이 보여준 능력을 봤을 때, 절대 불가능한 일이 아닐 것이라 확신합니다.

생산성 향상과 기술 혁신 후에 발생하는 변곡점을 항상 염두에 두고 마지막까지 품질 향상에 대해 깊이 고민하기를 바랍니다. ‘기술’과 ‘품질’이라는 기본을 잊지 않고, 도전 정신을 발휘한다면 위기가 다시 닥쳐와도 우리는 그것을 또 다른 ‘기회’로 만들 수 있을 것입니다. HBM을 통해 증명했던 저력, 그 이상을 발휘하면서 말입니다.”

김만섭 부사장 “구성원의 높은 안전의식이 수상 배경… 더 안전한 일터 만들어 나가자”

1995년 전기 엔지니어로 SK하이닉스에 입사한 김만섭 부사장은 전기 및 유틸리티* 분야의 전문가로, 29년 동안 공장 건설, 설비 운영 등에서 큰 역할을 해왔다.

▲ 2024 대한민국 전기안전대상에서 은탑산업훈장을 받은 김만섭 부사장(전기/UT기술 담당)

이번 수상에서 안전·설비를 모두 아우르는 공적이 돋보였던 김 부사장은 ‘무사고 3,276일 달성’을 가장 자랑스러운 성과로 꼽았다. 안정적인 전력 공급을 통해 반도체 생산량을 극대화했고, 산업 현장에 안전문화를 정착시켰다는 점을 인정받았기 때문이다. 이는 김 부사장이 사전에 치밀한 전략을 세우고 안전 역량 향상 활동을 세심하게 추진한 덕분이었다.

“무엇보다 ‘작업 중지권 활성화’가 안전문화 정착에 큰 힘이 됐습니다. 저는 근로자 스스로 현장의 위험성을 최종 확인하는 이 절차를 2022년 도입했습니다. 중지권 발동 건수는 매년 평균 213% 증가하고 있는데요. 이를 통해 안전사고를 크게 줄일 수 있었습니다.”

이 성과는 SK하이닉스 혼자만의 힘으로 이뤄낸 것은 아니며, 협력사의 참여가 중요했다고 김 부사장은 강조했다.

“전기재해 제로(Zero)화(化)는 협력사 구성원들의 안전 역량이 함께 높아져야만 달성할 수 있습니다. 이를 위해 산업안전보건법 이해도 향상 교육, 전문 기관 교육, 정기 간담회를 통한 안전 소통 활동 등을 시행했는데요. 체계적인 안전 관리 시스템을 완성한 결과, 무사고 3,276일을 달성할 수 있었습니다.”

안전 분야의 성과도 빛나지만, 그의 전문 분야인 전기 설비에서의 성과도 빼놓을 수 없다. 김 부사장은 조직을 진두지휘하며 청주 M15와 이천 M16 인프라 구축을 적기에 마쳤고, HBM 생산시설 인프라 구축도 빠르게 완수해 회사가 급증하는 HBM 수요에 적시 대응할 수 있도록 도왔다. 그는 또, 용인 반도체 클러스터 통합 변전소 건설 업무협약(MOU)도 주도하며 이 프로젝트의 인프라를 구축하는 데도 힘썼다.

이와 함께 김 부사장은 에너지 절감에도 많은 공을 들였고 그 성과를 인정받았다고 밝혔다. 신재생 에너지를 적극 도입하고, 전 구성원이 참여하는 에너지 경영 시스템을 개발하는 등 온실가스 감축에 전력을 다했다는 것이다. 전력 공급을 담당하는 만큼 에너지 효율화에 항상 큰 책임감을 느낀다고 김 부사장은 강조했다.

“ESG 경영이 필수가 된 시대입니다. 우리 조직에서는 인공지능과 DT(Digital Transformation) 기술을 활용해 주요 시설 전력 사용량 절감, 신재생 에너지 사용 확대 등을 추진하고 있습니다. 이를 통해 에너지 효율을 높이고 회사의 넷제로* 목표를 달성하는 데 기여하고자 합니다.”

김 부사장은 “무사고에 대한 구성원들의 책임감, 높은 안전의식이 수상 배경이라고 생각한다”며 “이번 수상을 통해 당사의 뛰어난 전기 안전관리 수준을 공인받았다”고 소감을 밝혔다. 이어 그는 “무사고 사업장 기록을 계속해서 경신해 나갈 계획”이라며 구성원과 협력사의 적극적인 동참을 당부했다.

“‘안전한 근무 환경 조성’을 제 업(業)이라고 생각하고, 앞으로도 최선을 다하겠습니다. 모두가 함께 노력하여 안전하게 일하는 건강한 일터를 만들어 나갑시다.”

최준기 부사장 “협업은 우리의 경쟁력, 원팀 마인드로 1등 양산 체계 만들 것”

최준기 부사장은 30년 경력의 반도체 전문가다. 장기간 반도체 엔지니어로 전문성을 쌓은 최 부사장은 현재 이천FAB 담당으로 조직을 이끌고 있다. 특히 그는 생산성 향상과 제조 기술 개발을 주도하며, HBM3E[관련기사]와 10나노급 6세대(1c) 공정 기반 DDR5 RDIMM(1c DDR5)*[관련기사] 등 혁신적인 제품을 생산하는 데 앞장섰다.

▲ 은탑산업훈장을 받은 최준기 부사장(이천FAB 담당)

▲ 은탑산업훈장을 받은 최준기 부사장(이천FAB 담당)

이번 은탑산업훈장 수상의 핵심 공적이라 할 수 있는 ‘HBM 생산성 증대’는 최 부사장의 노련함이 엿보이는 성과다.

“다운턴(불황기)에는 자원을 줄여 최소한의 비용으로 생산하고, 업턴(호황기)에는 모든 자원을 가용해 생산량을 최대로 끌어올려야 합니다. 저는 업턴으로 전환하는 적기에, 자원 관련 조직과 적극 소통하며 개선 사항을 반영했습니다. 이를 토대로 생산성을 극대화할 수 있었습니다.”

특히 HBM3E의 경우 최 부사장은 기술 개발 성공 소식을 알린 지 불과 7개월 만에 양산을 성공적으로 완수하고 생산량을 대폭 끌어올리는 세계 최초의 기록을 만들어냈다.

“개발에서 양산으로 이관하기 전, 관련 조직이 원팀으로 움직이며 양산 조건을 빠르게 안정화했습니다. 이것이 양산 성공의 단단한 기초가 됐습니다. 현재는 EUV 공정 완성도 향상, 장비 안정화, 가용자원 확보, 이종장비 확대 등 생산성 증대를 위한 다양한 과제를 추진하고 있습니다.”

최 부사장의 공적은 HBM 이외에도 D램 제조·양산 전 영역에 걸쳐 확인할 수 있다. 그는 WPD* 지수를 도입해 웨이퍼 증산 체계를 마련하고, DDR5 및 LPDDR5 혼합 운영으로 원가 경쟁력을 높이는 등 수익성 기반의 제조 모델을 통해 팹(FAB) 경쟁력을 높인 점이 특히 눈에 띈다.

“WPD 지수로 장비의 실질적인 생산 능력을 관리하며 생산성을 높였습니다. DDR5 및 LPDDR5의 경우, 시장 변동성을 고려해 여러 조직과 협업하여 효과적인 혼합 운영 체계를 마련해 놓았습니다.”

이 가운데 최 부사장은 D램 기술 경쟁력을 높이는 데도 기여했다. 그는 D램 1a와 1b 공정 기술을 적용한 양산에 성공했고 세계 최초로 1c DDR5를 개발하는 데 힘을 보탰다. 또, EUV 장비 효율을 대폭 끌어올려 높은 생산을 확보했다. 이처럼 제조 기술 혁신에 힘쓰는 이유에 대해 그는 “지속적인 품질 경쟁력과 원가 경쟁력을 유지하는 것이 곧 회사의 생존 조건이기 때문”이라고 답했다.

아울러 최 부사장은 “복잡한 세계 정세, 글로벌 경쟁 심화 등 환경이 녹록지 않다”며 “하지만 지금까지 축적한 모든 성과가 우리 반도체 산업 경쟁력을 높이는 동력이 될 것”이라고 덧붙였다.

마지막으로 그는 “동료 구성원과 선배님들이 아낌없이 지원해 주고 협력한 덕분에 은탑산업훈장을 받을 수 있었다”고 수상 소감을 밝히며 ‘원팀’을 다시 한 번 강조했다.

“어려움을 이겨낼 힘은 원팀 마인드에서 나오며, 이를 지속해 간다면 우리의 경쟁력은 계속 높아질 것입니다. 저 역시 원팀 마인드를 바탕으로 양산 체계를 고도화해 AI 메모리 시장 1위를 지키는 데 기여하겠습니다.”

SK하이닉스가 22일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘제17회 반도체의 날 기념 정부 포상 시상식(이하 반도체의 날 시상식)’에서 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받아 산업훈장을 비롯한 주요 상을 받았다. 이날 최준기 부사장(이천FAB 담당)은 은탑산업훈장을, 양명훈(Mobile검증), 정춘석(Leading HBM Design), 방유봉(장비통합기술) 팀장은 산업통상자원부장관 표창을, 이진희(HBM 수율개선) 팀장은 한국반도체산업협회장상을 수상했다.

▲ (왼쪽부터) 이진희(HBM 수율개선), 방유봉(장비통합기술) 팀장, 최준기 부사장(이천FAB 담당), 곽노정 사장, 정춘석(Leading HBM Design), 양명훈(Mobile검증) 팀장

이 시상식은 산업통상자원부가 반도체 산업 발전에 기여한 산·학·연 종사자들을 포상하는 행사로, 반도체인들의 노고를 치하하고 격려하기 위해 매년 반도체의 날(10월 넷째 주 목요일)을 즈음해 개최된다.

▲ 은탑산업훈장을 받은 최준기 부사장(이천FAB 담당)

▲ 은탑산업훈장을 받은 최준기 부사장(이천FAB 담당)

▲ 산업통상자원부장관 표창을 수상한 양명훈(Mobile검증) 팀장

▲ 산업통상자원부장관 표창을 수상한 정춘석(Leading HBM Design) 팀장

▲ 산업통상자원부장관 표창을 수상한 방유봉(장비통합기술) 팀장

▲ 한국반도체산업협회장상을 받은 이진희(HBM 수율개선) 팀장

올해 시상식에서는 최준기 부사장이 국가 산업 발전을 돕고, 회사 수익성을 높인 공로를 인정받아 은탑산업훈장을 수상했다. 최 부사장의 주요 성과로는 ▲HBM*/HDM* 생산 비중 확대를 통한 D램 경쟁력 확보 ▲WPD* 관리를 통한 장비 효율 향상 및 웨이퍼 증산 체계 구축 등이 꼽힌다.

산업부장관 표창을 받은 3명의 수상자 중 방유봉 팀장은 외산 부품인 ALN 히터(Heater)를 국내 협력사와 공동 개발한 성과를 냈다. 10여 년에 걸쳐 개발된 이 제품을 통해 반도체 장비·부품 국산화에 기여했다는 평가를 받았다.

또, 정춘석 팀장은 2013년부터 HBM 개발을 이끌며 시장을 창출하고 성장시킨 성과를 거뒀다. 이와 함께 그는 GDDR6-AiM(PIM)을 비롯해 CXL 메모리 기술 개발을 주도하는 등 AI 메모리 시장에서 국가 경쟁력을 높였다는 평가를 받았다.

그리고 양명훈 팀장은 낸드플래시(NAND Flash) 및 메모리 솔루션의 수출 확대에 앞장섰다. 특히 그는 스마트폰용 MCP* 위주의 사업을 플래그십 스마트폰용 UFS* 4.0 중심으로 재편하는 성과를 얻었다.

반도체산업협회장상을 수상한 이진희 팀장의 주요 공적은 HBM 핵심 생산장비 국산화 및 동반성장이다. 중소기업의 HBM 생산기술 경쟁력을 키운 공로로, 이 팀장은 상생 분야에서의 유공을 인정받았다.

이날 최 부사장을 비롯한 SK하이닉스 수상자들은 “모두의 땀과 노력이 있었기에 가능했던 결과”라며 원팀으로 함께한 구성원들과 협력사 관계자들에게 감사 인사를 전했다.

▲ SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 환영사를 통해 수상자들을 격려하고 있다.

최준기 부사장 “HBM 생산 안정화로 1등 경쟁력 확보… 전 구성원 합심한 원팀 마인드 빛나”

은탑산업훈장은 국가 경제 발전에 기여한 인물 또는 기관에 주어지는 상으로, 최고 수준의 공로를 인정받는 훈장이다. SK하이닉스 뉴스룸은 은탑산업훈장의 쾌거를 이룬 최준기 부사장을 만나 소감을 들어봤다.

▲ 제17회 반도체의 날 기념 정부 포상 시상식에서 은탑산업훈장을 받은 최준기 부사장(이천FAB 담당)이 소감을 전하고 있다.

최 부사장은 30여 년 경력의 반도체 엔지니어 출신으로, 현재 이천 캠퍼스에서 제조 기술 개발 및 생산성 향상을 주도하고 있다. 그는 지난 2015년 ‘대한민국 엔지니어상’도 수상한 바 있다.  최 부사장은 “은탑산업훈장을 비롯한 모든 성과는 전 구성원이 원팀으로 합심한 결과”라며 구성원들에게 공을 돌렸다.

“제가 대표로 큰 상을 받았지만, 이는 동료 구성원과 선배님들이 아낌없이 지원하고 협력해 준 결과물이라고 생각합니다. 함께한 모든 분들과 기쁨을 나누겠습니다.”

HBM 생산 안정화 공로를 인정받은 최 부사장은 “그동안 HBM 생산 기반을 단단하게 잘 구축해 놓은 덕분에 회사가 AI 시대에 적기 대응하고, 1등 경쟁력을 확보할 수 있었다”고 말했다. 시장 리더십을 지키기 위해 그는 양산 체계 강화에 더욱 힘쓴다는 계획이다.

“국제 정세의 변동성과 후발 업체의 추격이 매서운 상황입니다. 이제 우리는 기술 격차 유지, 신제품 개발 및 양산, TTM* 단축 등 다양한 과제를 고민하며 발전해야 할 시기를 맞았습니다. 저는 이러한 과제를 해결할 수 있는 양산 체계를 구축하여 AI 메모리 시장에서 1위의 지위를 지키는 데 힘을 보탤 것입니다.”

마지막으로 최 부사장은 미래 시장을 향한 포부도 밝혔다

“고도화된 AI 시대에서도 SK하이닉스가 시장 지배력을 갖출 수 있도록 탄탄한 업무 체계를 구축할 것입니다. 동시에 구성원 모두가 성장할 수 있는 업무 환경을 조성해, 회사와 구성원이 함께 발전하며 지속적인 경쟁력을 확보할 수 있도록 최선의 노력을 다하겠습니다.”

▲ (왼쪽부터) SK하이닉스 황정태 팀장, 조기선 TL, 김태균 팀장, 곽노정 대표이사, 김재범 팀장(이병기 부사장 대리 참석), 김준수 팀장, 김기선 팀장

지난 26일 서울 양재동 더케이호텔에서 열린 ‘제16회 반도체의 날’ 기념식에서 SK하이닉스 이병기 부사장이 동탑산업훈장을 수상했다. 또, 이 회사 김태균, 황정태 팀장 그리고 조기선 TL은 산업자원통상자원부 장관 표창을, 김기선, 김준수 팀장은 한국반도체산업협회장상을 받았다.

▲ 10월 26일 서울 양재동 더케이호텔에서 열린 제16회 반도체의 날 시상식 현장

‘반도체의 날’은 우리나라가 처음 반도체 수출 100억 달러를 달성한 1994년 10월 29일을 기념하는 날로, 2008년 제정된 후 매년 산업통상자원부가 반도체 산업 발전에 기여한 산·학·연 종사자들에게 포상을 진행하고 있다.

이병기 부사장은 238단 4D 낸드 기술 개발, 협력사와 상생 추진, 인재 육성과 환경 보호 등 다방면으로 반도체 산업에 기여한 공로를 인정받았다.

김태균, 황정태 팀장은 세계 최고 수준의 연구개발 성과로 수상했는데, 김 팀장은 차세대반도체 개발의 핵심이 되는 여러 요소 기술을 개발했으며, 황 팀장은 미세화 공정에 따른 문제를 해결하고 품질을 개선했다. 조기선 TL은 반도체 박막 공정에 사용되는 핵심 장비들을 국산화해 국내 반도체 생태계의 동반 성장을 이끈 공을 세웠다.

김기선 팀장은 수입에 의존하던 컨트롤러 핵심 회로를 국산화하는 데 성공했고, 김준수 팀장은 산학 R&D 협력을 통한 인재 양성으로 국내 반도체 산업의 경쟁력을 강화했다는 평가를 받아 한국반도체산업협회장상 수상자로 선정됐다.

뉴스룸은 제16회 반도체의 날 시상식을 찾아가 수상자들의 소감과 앞으로의 계획을 들었다.

대한민국 반도체 산업을 빛낸 SK하이닉스의 주역들을 만나다

“이번 수상은 각자의 자리에서 힘써온 구성원들과 협력사 모두의 노력이 결실을 맺은 것으로, 함께 받아야 마땅한 상입니다. 모두에게 감사의 말씀을 전하며 대표로 제가 이 영광스러운 상을 수상했다고 생각합니다.”

이병기 부사장은 동탑산업훈장 수상이 모두의 노고가 있어 가능한 일이었다고 뉴스룸을 통해 감사 인사를 전했다. 이 부사장은 시상식 당일 참석하지 못해 김재범 팀장이 대리 수상했으며, 행사 이후 소감을 들었다.

▲ 이병기 부사장 대신 참석해 훈장을 받은 SK하이닉스 김재범 팀장(오른쪽)

이 부사장의 대표적인 기술 공적은 세계 최고층 238단 4D 낸드를 개발하고, 10nm(나노미터)급 4세대 D램에 EUV(극자외선) 노광 공정을 도입해 세계적 수준의 반도체 품질·원가 경쟁력을 확보한 것이다. 그는 신제품을 출시하는 과정에서 요소 기술*을 적기에 개발하고 제조 효율을 향상하는 데 전념해 왔다.

* 요소 기술: 제품을 개발하는 데 핵심이 되는 새로운 물질과 구조에 대한 기술

또한 이 부사장은 TRA(Tech Roadmap Alignment) 활동으로 국내 소재·부품·장비(이하 소부장) 업체와 동반 성장을 추진했고, ESG 경영과 인재 양성에도 많은 기여를 했다. 웨이퍼 재가공 기술을 개발해 웨이퍼 폐기량을 줄였고, DE/HE* 제도를 도입해 고연차 반도체 엔지니어들이 정년 걱정 없이 활약할 수 있는 기반을 만드는 등 다양한 분야에서 주도적인 역할을 했다.

* DE(Distinguished Engineer): 기술력이 뛰어난 고연차 엔지니어를 선발해 기술 난제 해결과 후진 양성에 집중할 수 있게 하는 제도 [관련기사]
* HE(Honored Engineer): DE 중에서 정년을 앞둔 엔지니어를 선발해 정년 없이 근무할 수 있게 하는 제도

이 부사장은 탄탄한 기술력이 있다면 위기도 기회로 바꿀 수 있다며, 앞으로도 세계적인 기술력을 확보하기 위해 노력하겠다는 계획을 전했다.

“20년 넘게 SK하이닉스에서 일하면서 반도체 산업의 호황·불황을 모두 겪었는데 세상에 기여할 기술이 있다면 위기 속에서도 우뚝 일어설 수 있다는 걸 느꼈습니다. 포기하지 않고 끈기 있게 도전하는 것이 SK하이닉스의 DNA라고 생각합니다. 이번 상을 계기로 제가 있는 미래기술연구원에서 세상에 혁신을 가져다줄 기술 개발에 더욱 매진하겠습니다.”

김태균 팀장은 대한민국 D램 발전의 역사와 함께한 반도체 소자 전문가다. 김 팀장의 대표 업적은 세계 최초로 D램에 새들 핀펫 셀 게이트(Saddle FinFET Cell Gate)*를 적용해 반도체 셀의 특성을 획기적으로 개선한 것으로, 이후 모든 D램 제조사가 이 기술을 도입해 현재도 사용하고 있다. 또, 최근에는 10nm급 5세대 D램을 개발하는 과정에서 불량을 원천적으로 해결할 수 있는 요소 기술을 개발해 냈다.

* 새들 핀펫 셀 게이트(Saddle FinFET Cell Gate): D램 셀 트랜지스터의 On/Off 특성 개선을 위해 D램 셀에 FinFET 기술을 도입한 것으로 셀 게이트의 트랜지스터 제어 능력을 획기적으로 개선할 수 있다. 특히 그 모양이 말 안장(Saddle)과 같아 Saddle FinFET이라는 이름이 붙었다.

그는 이번 수상에 대해 “반도체 개발은 혼자서 할 수 없고 수많은 협업이 필요합니다. 입사한 지 약 25년이 되어가는데, 함께 일한 선후배 구성원 덕에 오랜 시간 노력할 수 있었습니다. 그분들의 응원과 격려로 여기까지 왔고, 이번 표창의 기쁨도 함께 나누고 싶습니다”고 소감을 말했다.

김 팀장은 앞으로도 차세대 D램 개발을 위해 지속적으로 열정을 다해 연구하겠다는 각오를 밝혔다.

“D램 선폭이 10nm급 이하로 줄어들면서 현재 2D 구조로는 한계에 도달한 상황입니다. 이에 저희 미래기술연구원에서는 2D D램의 극한에 도전하는 동시에 3D D램도 준비하고 있습니다. 아직 주류는 2D D램이지만, 시대의 변화를 읽고 적기에 제품을 출시하는 D램 제조사가 주도권을 가질 것입니다. SK하이닉스가 명실상부한 초일류 메모리 반도체 회사의 위상을 높이는 데 최선을 다하겠습니다.”

황정태 팀장은 반도체 설계 전문가이며 세계적으로 인정받는 연구원이다. 그는 SK하이닉스 최초로 6F2 구조의 D램을 설계하는 데 기여했고, 포스트 패키지 리페어(Post Package Repair)* 회로를 개발해 불량을 획기적으로 줄였다. 최근 그의 활약 중 두드러지는 부분은 D램의 고질적 문제 중 하나인 로우 해머(Row Hammer)* 이슈를 해결하는 솔루션을 개발한 것이다.

* 포스트 패키지 리페어(Post Package Repair): 전자퓨즈(Efuse)를 적용하여 웨이퍼 테스트에서만 불량 셀을 선별하고 개선하던 것을 후공정(패키지) 과정을 거친 이후에도 불량 셀을 선별하고 개선할 수 있도록 한 방식
* 로우 해머(Row Hammer): D램 미세화로 셀의 밀집도가 높아지면서 나타난 인접 셀 간섭 현상으로, 2014년 처음으로 발견됐다. 이 현상은 해커 같은 악의적인 공격자가 데이터를 손상시키고 보안을 해치는 수단이 될 수 있어 모든 D램 제조사가 대비책을 개발하고 있다.

황 팀장의 로우 해머 대응 설계 방법은 글로벌 ICT 기업을 상대로 한 검증 과정에서 최고의 찬사를 받았으며, 2023년 IEEE ISSCC 반도체 학회에서 로우 해머 관련 논문을 발표해 세계 학계의 관심을 끌어모았다. 또 그는 10nm급 5세대 DDR5를 개발하면서 전 제품인 10nm급 4세대 DDR5 대비 생산성을 40% 향상시켰는데, 이 제품은 높은 품질로 인텔 사의 품질 검증 샘플로 쓰였다.

그는 수상에 대해 “함께한 동료들의 노력과 회사의 지원 덕에 이렇게 큰 상을 받게 되었습니다. 표창 수상을 계기로 앞으로 반도체 기술 발전에 더욱 노력하겠습니다”라는 다짐을 전했다.

황 팀장은 선도적인 설계 기술을 적용해 고품질 D램을 개발하겠다는 계획을 밝혔다.

“인공지능 발전으로 고용량, 고속, 고품질 제품에 대한 요구가 강해지고 있습니다. 이를 위해서는 엔지니어로서의 기본기와, 데이터 기반 판단 능력, 협업을 향한 열린 자세가 필요할 것입니다. 지금까지 맡은 일에 충실했다면, 앞으로는 기존의 맡은 일과 함께 팀 리더로서 구성원들의 역량 향상에도 도움을 주며 고객이 원하는 고품질 메모리 반도체를 개발할 수 있도록 더욱 노력하겠습니다.”

글로벌 공급망이 연일 이슈가 되는 가운데, 조기선 TL은 반도체 박막(Thinfilm) 공정에 사용되는 주요 장비들을 국산화한 공을 세웠다. 조 TL은 소재 국산화 중장기 로드맵을 기획해 장비 국산화율을 35%에서 50%로 끌어올렸으며, 핵심부품 국산화/다변화율도 28%에서 75.8%로 상승시켰다.

그는 장비 국산화 로드맵을 실현하기 위해 국내 소부장 기업과 협력해 6개의 장비를 국산화하는 데 성공했으며, 이를 통해 국내 장비 업체의 기술 발전을 이끌었다. 또 그는 낸드 적층에 따라 고도화가 필요한 공정을 국내 협력사와 함께 기술 개발해 신규 장비 구매 가격의 15% 수준으로 개조하는 데에도 성공했다.

조 TL은 “저 혼자만의 업적이 아닌 프로젝트에 함께 참여한 모든 분들의 노력으로 인해 얻은 결과”라며 “국내 소부장 기업이 소중한 땀과 열정으로 일궈낸 기술력과 SK하이닉스가 하나 되어 만들어 낸 업적”이라 말하며 함께 일한 동료 구성원들과 소부장 기업들에 공을 돌렸다.

그는 앞으로 국내 소부장 기업과 윈윈(Win-Win)하는 동반 성장을 위해서는 단순히 ‘수입 대체’라는 관점을 넘어 중장기적인 협력이 필요하다고 말했다.

“필요한 기술을 적기에 확보하기 위해서는 국내 협력사에 중장기 로드맵을 공유하고 적극적으로 협업하는 노력이 필요할 것입니다. 앞으로 전략적인 공정 안배와 단계별 도입으로 장비 국산화를 이뤄내 반도체 생태계 선순환에 더욱 기여하겠습니다. 올해 사내에서 DE(Distinguished Engineer)로 선정되었는데 제조에 필요한 역량과 노하우를 후배들과 협력사에게 전수하며 반도체 생태계를 강건하게 만들어 나가겠습니다. SK하이닉스가 한국 반도체 산업의 메카가 되는 그날을 위해, 묵묵히, 꾸준히 임하겠습니다.”

UFS 개발을 이끄는 김기선 팀장은 컨트롤러 설계의 베테랑이다. 컨트롤러는 낸드플래시를 활용한 각종 저장 장치(SSD, UFS 등)에 설치돼 두뇌 역할을 하는 시스템 반도체로 저장 장치의 속도를 좌우하는 핵심 부품이다.

그는 차세대 모바일 저장 장치 UFS 4.0 컨트롤러 회로 설계를 위한 핵심 기술을 자체 개발하고 제품화하는 데 성공했다. 이를 통해 더 이상 해외 기업에 로열티를 지급하지 않고도 컨트롤러 설계가 가능해졌고, 국제반도체협의기구(JEDEC)에도 SK하이닉스의 기술력을 인정받았다.

또 그는 SK하이닉스의 한국, 북미, 대만, 유럽 연구센터 간의 협업을 원활히 주도하여 UFS 4.0 컨트롤러의 개발과 양산을 한 번에 이뤄냈고, 통상적으로 여러 달이 걸리는 고객 인증 과정을 역대 최단 기간인 열흘 만에 달성했다. 이처럼 단기간에 만들어졌지만 이 제품은 이전 세대 대비 성능은 두 배이면서도 전력 효율은 강화되는 등 높은 완성도를 자랑한다.

김 팀장은 수상소감으로 “수상을 전혀 예상하지 못했는데 이번에 상을 받게 되어 너무나도 기쁘다”며 “이번 수상의 기회를 준 동료들과 회사에 감사하다”고 말했다.

그는 반도체 엔지니어인 것이 자랑스럽다며 앞으로도 국내 반도체 산업에 기여한다는 마음으로 노력하겠다는 포부를 전했다.

“개인으로서는 한 명의 엔지니어에 불과하지만, 우리나라에서 반도체 산업이 가지는 위상과 중요성을 이해하는 관점에서 일하면 더 큰 성과를 만들 수 있습니다. 세상에 기여하는 SK하이닉스 구성원이자 반도체 산업의 발전을 이끄는 리더가 되기 위해 앞으로도 최선을 다하겠습니다.”

김준수 팀장은 학계, 정부와 협력하며 국가 반도체 경쟁력 향상에 기여한 공로로 협회장 상을 받았다. 김 팀장은 정부와 기업이 연구자금을 투자하는 ‘민관 공동 투자 반도체 고급 인력 양성 사업(K-CHIPS)’에 참여해 유능한 인재들의 반도체 분야 유입을 도왔다.

학계와 업계를 잇는 교두보 역할을 한 그는 올해 30주년을 맞은 한국반도체학술대회를 성공적으로 이끌며 더욱 주목받았다. 그는 학술대회 백서를 제작했고, 석/박사생이 아닌 학부생을 대상으로 포스터 세션을 개회하는 등 다양한 행사를 준비해 대회 개최 역사상 최다 논문 접수와 최다 등록 인원이라는 기록을 세웠다.

이외에도 김 팀장은 SK하이닉스의 동반 성장 프로그램인 ‘기술혁신기업’의 미래기술연구원 담당자로서 기술력을 지닌 중소기업을 발굴하는 데 기여했고, 정부 과제에도 참여해 중소기업의 연구물을 검토하고 개발 방향을 제시하는 등 중소기업과의 동반성장에도 힘썼다.

“상을 받는다는 것은 언제나 행복한 일인 것 같습니다. 제 개인 성과가 뛰어나서 상을 받았다기보다는 회사가 R&D 대외협력 업무라는 좋은 기회를 주었고, 저는 그저 맡은 일에 충실했을 뿐이라고 생각합니다. 좋은 선후배님들 덕에 지금까지 일할 수 있었고 이 자리를 빌려 감사하다는 말을 전하고 싶습니다.”

김 팀장은 가슴 벅찬 수상 소감을 전하며, 반도체 산업 발전에 힘쓰는 구성원들에게 응원의 말을 덧붙였다.

“우리가 하는 일은 회사뿐 아니라 대한민국 국가 경쟁력을 높이는 데 기여하는 일이기도 합니다. 자부심을 가져야 할 일이며, 저 역시 맡은바 하루하루 최선을 다하고자 합니다. ‘대충하면 변명이 나오고, 억지로 하면 입이 나오고, 진심으로 하면 지혜가 나온다’는 말이 있습니다. 반도체인 각자 사명감을 갖고 진심을 다한다면 밝은 미래가 기다리고 있을 것입니다!”