SK하이닉스가 지난 1일 개최된 Intel AI Summit Seoul 2025에 참가해 고성능 AI 서버와 스토리지 분야에서 차별된 메모리 설루션을 선보이며 메모리 반도체 분야의 글로벌 경쟁력을 다시 한번 입증했다. Intel AI Summit은 인텔(Intel)이 전 세계 24개 주요 도시에서 매년 정기적으로 개최하는 행사로 AI 산업의 잠재력과 미래 전략을 논의하는 자리이다. 올해는 ‘AX: Designing the Future with AI Innovation(AI개발의 혁신, 미래를 디자인하다)’라는 주제로 AI 기술의 최신 트렌드와 혁신적인 적용 사례를 공유하고, 산업 전반에 걸친 AI의 발전 방향을 함께 모색했다.

▲ Intel AI Summit Seoul 2025에 마련된 SK하이닉스 전시 부스

▲ Intel AI Summit Seoul 2025에 마련된 SK하이닉스 전시 부스

SK하이닉스는 지난해 세션 발표에 참가한 데 이어, 올해 Platinum Sponsor로 참가해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’를 주제로 전시 부스를 운영하며 AI 혁신을 선도해 나갈 메모리 제품과 기술을 소개했다. 특히, SK하이닉스의 캐릭터를 활용한 디자인으로 독보적인 경쟁력을 갖춘 다양한 제품과 기술력을 관람객들에게 보다 친근하게 전달했다.

혁신적인 AI 메모리 제품, 전문가들의 설명과 함께 선보여

▲ SK하이닉스의 HBM과 HBM에 적용된 기술을 쉽게 이해할 수 있도록 마련된 3D 구조물

▲ SK하이닉스의 HBM과 HBM에 적용된 기술을 쉽게 이해할 수 있도록 마련된 3D 구조물

이번 행사에서 SK하이닉스는 현존하는 HBM 제품 가운데 최대 용량인 36GB를 구현한 ‘HBM3E 12단’과 초당 2TB 이상의 데이터 처리 속도를 자랑하는 ‘HBM4 12단’을 선보였다. HBM4 12단은 AI 메모리가 갖춰야 할 세계 최고 수준의 속도를 구현한 제품으로 회사는 최근 업계 최초로 주요 고객사에 해당 제품 샘플을 공급했다[관련기사]. 무엇보다 TSV*, 어드밴스드 MR-MUF* 등 HBM에 적용된 기술을 알기 쉽게 표현한 3D 구조물을 전시해 많은 관람객의 이목을 집중시키며 AI 메모리 기술 리더십을 다시 한번 증명했다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
* TSV(Through-Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술
* 어드밴스드(Advanced) MR-MUF: 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용되었으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술

▲ SK하이닉스가 전시한 RDIMM

▲ SK하이닉스가 전시한 3DS RDIMM

▲ SK하이닉스가 전시한 Tall MRDIMM

▲ SK하이닉스가 전시한 SOCAMM

▲ SK하이닉스가 전시한 LPCAMM2

▲ SK하이닉스가 전시한 CMM-DDR5

SK하이닉스는 ▲RDIMM* ▲3DS* RDIMM ▲Tall MRDIMM* ▲SOCAMM ▲LPCAMM2 ▲CMM(CXL* Memory Module)-DDR5 등 글로벌 AI 메모리 시장을 선도할 차세대 제품을 대거 선보였다. 이 가운데 CMM-DDR5는 DDR5 D램에 CXL 메모리 컨트롤러를 더한 제품으로, 서버 시스템에 이 제품을 적용할 경우 기존 DDR5 모듈 대비 용량이 50% 늘어나고 제품 자체의 대역폭도 30% 확장돼 초당 36GB의 데이터를 처리할 수 있다.

* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품
* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 패키징을 완료한 고대역폭 메모리 제품
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품으로, 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품
* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있음

▲ SK하이닉스가 전시한 PEB110 E1.S

▲ SK하이닉스가 전시한 PS1010 E3.S(좌측), PS1012 U.2(우측)

뿐만 아니라, 176단 4D 낸드 기반의 데이터센터 eSSD*인 ▲PS1010 E3.S를 비롯해 238단 4D 낸드 기반의 ▲PEB110 E1.S, QLC* 기반 61TB(테라바이트) 제품인 ▲PS1012 U.2* 등 압도적인 성능의 eSSD 제품을 선보였다.

* eSSD(Enterprise Solid State Drive): 서버나 데이터센터에 탑재되는 기업용 SSD
* QLC: 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음
* U.2: SSD 형태를 칭하는 폼팩터(FormFactor)의 일종으로 주로 서버나 고성능 워크스테이션(Workstation)에 사용되며 대용량 저장과 높은 내구성을 가짐. 특히 U.2는 2.5인치 폼팩터로 기존의 서버 및 스토리지 시스템과의 호환성이 뛰어나, 별도의 인프라 변경 없이도 고성능 SSD로 전환 할 수 있음

▲ 전시 부스에서 관람객들에게 SK하이닉스의 제품과 기술력을 소개하는 이상돈 TL(DRAM Solution)

▲ 전시 부스에서 관람객들에게 SK하이닉스의 제품과 기술력을 소개하는 이의상 TL(Sever상품기획)

▲ 전시 부스에서 관람객들에게 SK하이닉스의 제품과 기술력을 소개하는 박제욱 TL(eSSD 마케팅)

SK하이닉스는 이번 전시에서 관람객과의 소통을 강화하기 위해 전문가와의 대화 시간을 마련했다. RDIMM, CXL Memory, eSSD 등 총 3개 제품의 담당자들이 직접 참여해 각 제품에 대한 깊이 있는 설명과 질의응답을 통해 SK하이닉스의 기술 중심 기업 이미지를 한층 더 공고히 했다.

당일 행사에서는 인텔(The Open Path to Enterprise AI, 엔터프라이즈 AI로 가는 길)과 네이버클라우드(네이버클라우드가 만들어가는 AI 생태계), 레노버(Smarter AI for All, 모두를 위한 더 스마트한 AI), SK하이닉스의 기조연설을 포함하여 테크 기업 리더, AI 개발자, 스타트업, 정부 관계자 등 각 분야의 전문가들이 한자리에 모여 AI 기술 동향과 산업 간 협력 방안에 대해 깊이 있게 논의는 자리도 마련됐다.

▲ Intel AI Summit Seoul 2025에서 기조연설을 하고 있는 SK하이닉스 정우석 부사장(Software Solution 담당)

▲ Intel AI Summit Seoul 2025에서 기조연설을 하고 있는 SK하이닉스 정우석 부사장(Software Solution 담당)

▲ Intel AI Summit Seoul 2025에서 기조연설을 하고 있는 SK하이닉스 정우석 부사장(Software Solution 담당)

SK하이닉스는 기조연설을 통해 AI 시대 메모리 반도체의 중요성을 강조하고 그에 따른 미래 비전을 공유했다. 정우석 부사장(Software Solution 담당)은 ‘New Opportunities in the Memory-Centric AI Computing Ear(메모리센트릭 AI 컴퓨팅 시대의 새로운 기회)‘ 주제로 발표를 진행하며, AI시대 폭발적으로 증가하는 데이터를 효과적으로 처리하기 위한 메모리 중심의 AI 컴퓨팅의 중요성과 이를 위한 SK하이닉스의 다양한 차세대 AI 메모리 기술들을 소개했다.

▲ Intel AI Summit Seoul 2025 행사장 모습

▲ Intel AI Summit Seoul 2025 행사장 모습

▲ Intel AI Summit Seoul 2025 행사장 모습

▲ Intel AI Summit Seoul 2025 행사장 모습

SK하이닉스는 “이번 Intel AI Summit Seoul은 AI 시대를 이끌어갈 회사의 AI 메모리 기술의 현재와 미래를 공유할 수 있는 뜻깊은 자리였다”며, “앞으로도 인텔과의 원팀 파트너십을 바탕으로 AI 생태계의 진화를 앞당기는 데 앞장서겠다”고 밝혔다.

데이터 보관은 낸드처럼!

선택과 저장을 동시에 하는 메모리 SOM

AI 시대를 이끌 똑똑한 메모리 SOM(Selector-Only Memory)에 대해 쉽고 재미있게 설명해줄게!

반도체 기술이 궁금할 땐? 칩-이지(easy)!

‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’를 주제로 AI를 혁신할 차세대 제품을 대거 선보이는 한편

기조연설을 통해 AI시대 메모리 반도체의 중요성과 비전을 공유했습니다.

전시에서 소개된 SK하이닉스의 다양한 차세대 AI 메모리 기술이 궁금하다면?

자세한 내용은 SK하이닉스 뉴스룸과 유튜브에서 확인하세요.

/intel-ai-summit-seoul-2025/

반도체의 기능을 정의하고, 그 두뇌 역할을 하는 회로를 디자인하는 설계 직무는 하나의 제품을 위한 여정의 출발점이자, 모든 기술적 고민의 시작이라 해도 과언이 아니다.

뉴스룸은 SK하이닉스 대학생 앰버서더(김경태, 김윤진)와 함께 설계 직무를 담당하는 김종석 TL(DRAM 설계팀)과 신민철 TL(NAND 설계팀)을 만나 설계의 역할과 가치, 그리고 이 일을 수행하기 위해 필요한 역량에 대해 들어봤다.

논리와 회로로 반도체의 두뇌를 구현하는 ‘설계’

▲ 대학생 앰버서더들에게 설계 직무 수행을 위한 기초 지식을 소개하는 김종석 TL(앞장), 신민철TL(뒷장)

설계 직무는 반도체가 수행해야 할 기능을 ‘논리’와 ‘회로’의 언어로 구현하는 일이다. 건축으로 비유하면, 건물의 용도와 구조에 맞는 도면을 설계하는 일에 해당한다. 즉, 어떤 기능을 어떤 구조로 실현할지, 이를 위해 필요한 소자를 어떻게 배치할지를 결정하며 제품 개발의 방향을 정의하는 과정이다.

세부 직무는 크게 회로 설계와 디지털(Digital) 설계로 나뉜다. 회로 설계는 제품의 동작을 구성하는 다양한 회로 요소를 만드는 일이다. 선행 기술 연구부터 제품 회로 설계, 회로 분석과 검증, 경쟁사 분석, 수율 향상과 개발 방식 개선, 미래 제품을 위한 요소 기술 개발까지의 전과정이 포함된다. 디지털 설계는 특정 기능을 가진 디지털 회로 블록, 즉 IP(Intellectual Property)를 설계한다. 고객이 요구하는 칩의 성능과 사양에 맞춰, 전력(Power), 성능(Performance), 면적(Area) 등 복합적인 조건을 최적화하는 것이 핵심이다.

두 파트의 설계 엔지니어들은 설계 초기 단계부터 긴밀하게 협업하며, 제품의 구조와 동작 방식을 함께 정의하고 적용해 나간다. 칩의 특성과 요구 조건에 따라 서로 다른 레벨에서 회로를 정의하는 만큼, 각기 다른 시각과 기술을 통해 하나의 제품을 완성한다.

실무에서의 설계는 회로 설계(Schematic), 배치 설계(Layout), 검증(Verification)이라는 세 단계의 유기적인 업무를 통해 완성된다. 먼저 회로 설계는 제품의 기능을 논리적으로 정의하고 구현하는 역할을 맡는다. 이어 배치 설계는 이를 실제로 반도체 위에 구현할 수 있도록 물리적 구조로 전환하며, 검증 단계에서는 시뮬레이션을 통해 회로의 동작을 점검하고 보완한다.

무엇보다 설계 직무는 단순한 회로 구성 작업을 넘어, 성능과 안정성, 제조 가능성까지 종합적으로 판단하고 조율해야 하는 고차원적 작업이다. 다양한 기술적 제약과 변수 속에서 최적의 설계안을 도출하기 위해 수많은 반복과 협의를 진행하며, 공정·소자·테스트 등 다양한 부서와의 긴밀한 협업을 통해 제품의 완성도를 높여 나간다.

설계는 이런 인재를 찾는다

▲ 대학생 앰버서더들에게 설계 직무에 관해 설명하는 김종석 TL(앞장), 신민철TL(뒷장)

반도체 산업 전반에 미세 공정의 한계와 SoC* 트렌드 등이 대두되면서, 설계의 복잡도와 중요도는 꾸준히 높아지고 있다. 이러한 환경 속에서 설계 직무는 단순히 회로를 설계하는 기술적 작업을 넘어, 시장에서 성공할 수 있는 제품을 기획하고 구현하는 비즈니스의 핵심 역할로 진화하고 있다.

* SoC(System on Chip): CPU, GPU, 메모리 등 다양한 기능이 하나의 칩에 통합된 형태의 반도체

설계 직무를 수행하는 데는 설계의 기본 언어인 논리와 회로를 이해하고 다루는 기초 역량이 필수다. 실제로 다른 직무에 비해 전자, 반도체, 물리, 컴퓨터공학 등 관련 전공자 비중이 높은 것도 이 때문이다. 하지만 전공 지식이 모든 것을 결정하진 않는다.

실무 역량은 입사 후 학습과 경험을 통해 충분히 성장할 수 있는 만큼, 더 중요한 것은 논리적 사고력과 끈기, 꼼꼼함이다. 복잡한 연산 구조를 논리적으로 분석하고, 미세한 오류를 끈질기게 찾아내며, 이를 보완해 완성도를 높이는 업무 과정에서 요구되는 역량이다. 또한 수십 명의 엔지니어가 하나의 결과를 위해 협업하는 만큼, 다양한 관점을 수용하고 원활하게 소통할 수 있는 협업 능력 또한 중요하다.

SK하이닉스 채용을 담당하고 있는 송상목 TL(Talent Acquisition팀)은 “설계 직무는 반도체 제품의 기능을 결정짓는 첫 단추이자, 고성능·고효율 제품을 구현하는 기술적 핵심 역할을 한다”며, “이에 따라 고객의 요구와 시장 트렌드를 설계에 반영할 수 있는 역량이 점점 더 중요해지고 있다”고 설명했다. 이어 그는 “설계는 도전적인 분야지만, 끝까지 해내고자 하는 사람에게는 가장 큰 성취감을 주는 직무”라며, “‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’ SK하이닉스의 차세대 반도체 설계 업무에 관심 있는 지원자라면 적극적으로 도전해 보길 바란다”고 덧붙였다.

▲ (왼쪽부터)설계 직무와 관련해 인터뷰를 진행하고 있는 김종석 TL, 신민철 TL(앞장) 설계 미션을 수행중인 김경태, 김윤진 앰버서더(뒷장)

Q1. 간단한 자기소개 부탁드립니다.

김종석 TL: DRAM 설계팀의 김종석 TL입니다. 현재 칩 간 데이터 송수신을 담당하는 아날로그 회로를 실물로 구현하기 위한 배치 설계 업무를 맡고 있습니다. 고속화, 집적화가 진행되는 D램 환경에서 공정 한계를 넘지 않으면서도 인터페이스 특성을 최적화할 수 있도록 배치 설계 품질 향상을 위한 다양한 시도를 하고 있습니다.

신민철 TL: NAND 설계팀의 신민철 TL입니다. 저는 칩 전체 전력망을 설계·검증하는 PDN(Power Distribution Network)* 설계와 검증 업무를 맡고 있습니다. 주요 회로들이 안정적으로 동작할 수 있도록 전력 무결성을 확보하는 것이 핵심이며, 이를 위해 칩 내 모든 블록에 전력을 효율적으로 분배하고 제어하는 구조를 설계합니다.

* PDN(Power Distribution Network): 칩 내 회로에 안정적이고 균일한 전력을 공급하기 위해 구성하는 전력 전달 경로로, 고속 신호 처리와 저전력 구현을 위해 매우 중요한 요소.

Q2. 설계 직무가 추구하는 핵심 가치와 목표는 무엇인가요?

김종석 TL: 설계는 단순히 정해진 스펙을 구현하는 데 그치지 않습니다. 생산성과 품질, 저전력, 고속 특성 등 서로 다른 조건을 모두 만족하는 고품질 제품을 설계하는 것이 목표이며, 이를 위해 끊임없는 개선과 혁신을 추구합니다.

신민철 TL: 설계의 본질적인 목표는 더 작고, 더 안정적이며, 더 고성능인 칩을 만드는 데 있다고 생각합니다. 낸드 설계의 경우, 결국 HDD(하드디스크)를 대체할 수 있을 만큼 싸고 경쟁력 있는 SSD(Solid State Drive)를 만드는 것이 장기적인 목표라고 생각합니다.

Q3. 현업에서의 가장 큰 도전 과제는 무엇인가요?

김종석 TL: ‘고성능/저전력/집적화’라는 서로 상반된 조건 사이에서 최적의 해법을 찾는 것이 가장 어렵습니다. 특히 인터페이스 회로의 경우, 신호와 전력 열화를 최소화하면서도 고속 특성을 확보하는 배치 설계가 필요해 난이도가 높습니다.

신민철 TL: 최근에는 CSR*과 전력 절감이 큰 이슈입니다. 특히 저전력 낸드 제품을 요구하는 고객이 증가하면서, 기존과는 다른 새로운 설계 방식을 다각도로 시도하고 있습니다. 이러한 변화에 대응하기 위해 분야별 설계 엔지니어 간의 긴밀한 협업이 그 어느 때보다 중요해지고 있습니다.

* CSR(Chip Size Reduction): 칩의 전체 면적을 줄여 원가를 절감하고 고집적화를 구현하는 설계 전략

Q4. 설계 직무에 가장 필요한 자질이나 역량은 무엇인가요?

김종석 TL: 설계의 기초는 회로에 대한 이해입니다. 이를 기반으로 다양한 문제 상황에서도 유연하게 해법을 찾아야 합니다. 또한, 거시적 관점에서는 잠재적 불량을 예측하고, 미시적으로는 실수를 줄이기 위한 꼼꼼함이 필요합니다. 작은 오류 하나가 전체 일정과 품질에 영향을 줄 수 있기 때문입니다.

신민철 TL: 설계에서는 숫자 하나로 결과가 달라지고, 작은 실수가 개발 일정을 수개월 이상 지연시킬 수 있습니다. 그래서 꼼꼼함이 가장 중요합니다. 또한, 하나의 문제를 해결하기 위해 수백 번 검토해야 할 때도 많습니다. 이 과정에서 포기하지 않고 끝까지 파고드는 ‘집념’ 또한 중요한 자질입니다.

Q5. 설계 직무를 꿈꾸는 예비 지원자에게 조언을 해주신다면?

김종석 TL: 설계라는 일을 어렵게 느낄 수 있지만, 거창한 지식이나 성과보다, 기초를 탄탄히 다져가며 꾸준히 성장하는 것이 오히려 회사 생활에 더 큰 도움이 됩니다. 특히 D램 설계 직무의 경우, 입사 후 ‘Design School’이라는 집합 교육 과정이 운영되고 있어 회로 설계, 배치 설계, 검증 등 실무 전반에 대해 선배 엔지니어들로부터 체계적으로 배울 수 있습니다. 부서 배치 후에도 바로 업무를 수행할 수 있을 만큼 실질적인 역량을 쌓을 수 있는 과정입니다. 무엇보다 중요한 것은 모든 것에 호기심을 가지고, 스스로 질문하며 배우려는 자세라고 생각합니다.

신민철 TL: 저도 학창 시절에는 설계가 어렵다고 생각했지만, 입사 후 교육 시스템을 통해 충분히 따라갈 수 있었습니다. 꼭 설계를 잘하는 사람만 오는 직무는 아니며, 흥미가 있다면 누구든지 도전해 볼 수 있는 분야입니다. 용기를 내 시작해 보시길 바랍니다.

SK하이닉스 앰버서더와 함께한 생생한 설계 직무 체험기

SK하이닉스가 6월 23일부터 26일까지(미국시간) 미국 라스베이거스에서 열린 ‘HPE Discover 2025’(이하 HPED)에 참가해 인공지능(AI) 시대를 선도할 기술 로드맵과 서비스 전략, AI 클라우드 비전을 공유했다.

HPED는 HPE(Hewlett Packard Enterprise) 사(社)가 매년 개최하는 글로벌 기술 컨퍼런스다. 올해는 ‘AI is here. Unlock what’s next(AI와 함께 다음의 가능성을 열다).’라는 슬로건 아래 AI 시대의 본격적인 개막과 그 이후의 가능성에 관해 집중 조명했다. 행사에서는 Tech Academy, AI Developer Workshop 등의 실습 교육과 기술 발표 세션, 데모와 전시가 어우러진 실무 중심의 네트워크 프로그램 등이 다채롭게 진행됐다.

▲ HPE Discover 2025 SK하이닉스 부스 행사 현장

SK하이닉스는 AI 인프라 구현의 핵심이 되는 차세대 AI 메모리 기술과 서버 및 스토리지 설루션을 중심으로 다양한 전시와 발표를 진행하며 회사의 기술 리더십을 적극 소개했다. SK하이닉스의 전시 부스는 ▲HBM* ▲Server DIMM* ▲eSSD* ▲CMM(CXL* Memory Module)-DDR5 등 총 네 개 섹션으로 구성됐다. 각 섹션에는 주요 제품 및 설루션을 직관적으로 전달하는 홍보 키오스크가 마련됐다. 또한, 자사 제품 캐릭터를 활용한 부스 디자인으로 관람객들의 이목을 집중시켰다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
* DIMM(Dual In-line Memory Module): 서버와 같은 컴퓨팅 시스템에 장착되는 표준 메모리 모듈로, 전송 속도와 용량, 구조적 설계에 따라 다양한 형태로 분류
* eSSD(Enterprise Solid State Drive): 서버나 데이터센터에 탑재되는 기업용 SSD
* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있음

▲ SK하이닉스 부스 내 HBM 섹션

▲ HBM 섹션의 HBM 제품 라인업

HBM 섹션에서는 ‘HBM4 12단’과 ‘HBM3E 12단’을 공개했다. HBM4는 AI 메모리에 요구되는 세계 최고 수준의 속도인 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리하는 제품으로, 회사는 최근 업계 최초로 주요 고객사에 해당 제품 샘플을 공급하며 AI 메모리 기술 리더십을 다시 한번 증명한 바 있다[관련기사].

HBM3E는 현존하는 HBM 제품 가운데 최대 용량인 36GB를 구현한 제품이다. 방대한 데이터 처리를 위한 고용량 메모리 수요가 증가함에 따라, 회사는 지난해 9월 업계 최초로 HBM3E 12단 양산에 돌입했다[관련기사]. SK하이닉스는 HBM3E의 공급을 본격 확대하는 한편, HBM4 역시 고객 수요에 맞춰 적기에 개발·제공함으로써 글로벌 고객사들과의 파트너십을 더욱 강화해 나간다는 계획이다.

▲ SK하이닉스 부스 내 Server DIMM 섹션

▲ Server DIMM 섹션의 메모리 모듈 라인업

Server DIMM 섹션에서는 차세대 서버 시장을 겨냥한 DDR5 D램 기반의 메모리 모듈 라인업을 소개했다. 특히, 10나노(nm)급 6세대(1c)* 미세공정 기술을 적용한 RDIMM*, MRDIMM* 등 다양한 폼팩터의 제품이 전시돼 눈길을 끌었다. 이 중 DDR5 TALL MRDIMM은 고용량 구현을 위해 일반 MRDIMM 대비 높아진 물리적 폼팩터를 적용한 제품이다. 최대 256GB 용량과 12.8Gbps 속도를 지원하며, 고밀도 서버 환경에 대응하는 차세대 설루션으로 주목받고 있다. 또한, 저전력·고성능 구현이 가능한 LPDDR5X 기반의 고집적 메모리 모듈 SOCAMM도 함께 선보이며, 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 워크로드에 최적화된 메모리 포트폴리오를 강조했다.

* 10나노(nm)급 D램 공정 기술은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발되어 왔으며, SK하이닉스는 2024년 8월 세계 최초로 1c 기술 개발에 성공했다.

* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품

* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품으로, 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품

▲ SK하이닉스 부스 내 eSSD 섹션

▲ eSSD 섹션의 기업용 SSD 라인업

eSSD 섹션에서는 PS1010, PE1010, PE9010, SE5110 등의 기업용 SSD 라인업을 통해 다양한 서버 환경과 성능 요구를 충족할 수 있는 폭넓은 제품군을 공개했다. 또한, HPE ProLiant 서버에 PS1010을 탑재한 데모를 통해 실제 운용 환경에서의 성능과 안정성을 입증하고, HPE와의 견고한 파트너십을 강조했다. PS1010은 176단 4D NAND 기반의 고성능 eSSD로, PCIe* 5.0 인터페이스를 지원하며 AI 연산과 데이터센터 환경에 최적화된 설루션이다.

* PCIe(Peripheral Component Interconnect express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스

▲ SK하이닉스 부스 내 CMM-DDR5 섹션

▲ CMM-DDR5 섹션의 CMM-DDR5 제품과 성능 시연을 위한 서버 시스템

CMM-DDR5 섹션에서는 CXL 기반 메모리 모듈의 확장성과 효율성을 부각했다. CMM-DDR5는 기존 구성 대비 최대 50% 확장된 용량과 30% 향상된 메모리 대역폭을 제공한다. 회사는 CMM-DDR5가 탑재된 인텔 GNR-SP 플랫폼 서버를 통해 실제 운용 환경에서의 적용 가능성과 시스템 확장성을 함께 제시했으며, 기존 메모리 단독 구성 대비 성능과 비용 효율 측면 모두에서 경쟁력이 높다는 점을 강조했다.

▲ (첫 장부터 순서대로)Breakout 세션에서 공동 발표를 진행한 김학인 TL(NAND TP), 애니윤(Annie Yuan) TL(NAND TP), HPE의 Erik Grigson

한편, SK하이닉스는 이번 행사에서 CXL 및 eSSD를 주제로 총 2건의 발표를 진행했다. 이 중 Breakout 세션에서는 HPE와의 공동 발표를 통해 파트너십 기반 기술 협력 사례를 소개했다. ‘Empowering AI and Enterprise Storage: SK hynix’s Readiness for AI workload(AI 시대를 위한 eSSD의 혁신: AI워크로드에 대응하는 SK하이닉스)’를 주제로, SK하이닉스의 김학인 TL(NAND TP), 애니윤(Annie Yuan) TL(NAND TP)과 HPE의 Erik Grigson이 공동 발표자로 참여해, 엔터프라이즈 스토리지 환경에서의 AI 워크로드 대응 전략과 eSSD의 기술적 차별성을 공유했다.

▲ (첫 장부터 순서대로)Theater 세션에서 발표를 진행하고 있는 김병율 TL(DRAM solution), 산토스 쿠마르(Santosh Kumar) TL(DRAM TP)

Theater 세션에서는 김병율 TL(DRAM solution)과 산토스 쿠마르(Santosh Kumar) TL(DRAM TP)이 ‘CXL Memory Usage Model and Next CMM Proposal(CXL 메모리 활용 모델 및 차세대 CMM 제안)’을 주제로 발표를 진행했으며, 실제 활용 가능한 CXL 메모리 모델과 CMM-DDR5의 발전 방향에 대해 설명했다.

SK하이닉스는 “AI 인프라 확산 속도가 빨라지는 가운데, 고성능 메모리와 스토리지가 핵심 설루션으로 자리잡고 있다”며 “앞으로도 HPE 등 글로벌 파트너와의 협력을 바탕으로 시장 요구에 선제적으로 대응하며, 메모리 기반의 AI 인프라 혁신을 가속화해 나가겠다”라고 밝혔다.

▲HBM ▲Server DIMM ▲eSSD ▲CMM-DDR5 을 선보이며,

메모리 기반의 AI 인프라 혁신을 가속화해 나가겠다고 밝혔습니다. 생생한 전시 현장이 궁금하다면?

자세한 내용은 SK하이닉스 뉴스룸과 유튜브에서 확인하세요.
/hpediscover-2025/

작지만 미친 성능을 자랑하는 AI 서버용 저전력 D램 모듈 SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module)에 대해 쉽고 재미있게 설명해줄게!

반도체 기술이 궁금할 땐? 칩-이지(easy)!

SK하이닉스는 지난 17일, 서울 강남구 삼정호텔에서 개최된 ‘2025년 상반기 대한민국 엔지니어상 시상식’에서 미래기술연구원 DPERI조직 손윤익 팀장이 ‘대한민국 엔지니어상(이하 엔지니어상)’을 수상했다고 밝혔다.

과학기술정보통신부와 한국산업기술진흥협회가 수여하는 엔지니어상은 산업 현장에서 탁월한 연구개발 성과를 이뤄낸 엔지니어에게 수여되며, 우리나라 기술 경쟁력을 높이는 데 기여한 주역들을 조명하고 있다.

IT 엔지니어 분야에서 수상하게 된 손 팀장은 SK하이닉스의 차세대 AI 반도체 기술 개발을 이끌어온 주역이다. 그는 AI 시대를 이끌어가는 핵심 반도체인 HBM*과 모바일용 저전력 D램인 LPDDR*의 개발을 주도하며, 기술 한계에 지속적으로 도전해 온 공로를 인정받았다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨.
* LPDDR(Low Power Double Data Rate): 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압 동작 특성이 있음. 규격 명에 LP(Low Power)가 붙으며, 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨.

▲ 과학기술정보통신부 이창윤 차관에게 상장을 받고 있는 손윤익 팀장

▲ 대한민국 엔지니어상을 받고 가족과 함께 기념사진을 찍고 있는 손윤익 팀장

▲ 대한민국 엔지니어상 수상자들과 함께 촬영한 기념사진

올해로 입사 19년 차를 맞은 손 팀장은 소자 엔지니어로서 다양한 D램 제품의 Peri* 트랜지스터 개발을 위해 힘써왔으며, 고성능·저전력·고신뢰성을 요구하는 까다로운 조건 속에서도 고객이 체감할 수 있는 수준의 성능 향상을 위한 기술 리더십을 발휘해 왔다.

특히, LPDDR5 개발 과정에서는 D램에 HKMG* 공정을 성공적으로 적용해 업계의 주목을 받기도 했다. 이 기술은 기존 대비 성능과 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 공정으로, SK하이닉스 메모리 제품의 경쟁력을 획기적으로 끌어올리는 데 이바지했다.

뉴스룸은 손윤익 팀장을 만나 수상 소감과 함께 그동안의 기술 여정에 대해 들어봤다.

* Peri(Peripheral): 데이터를 저장하는 셀(Cell)들을 선택하고 컨트롤하는 역할을 하는 주변부 회로 영역
* HKMG(High-K Metal Gate): 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해, 공정 미세화로 인해 발생하는 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance, 데이터 저장에 필요한 전자량)을 개선한 차세대 공정. 처리 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있음

“원팀 스피릿으로 뭉친 동료들과 수상의 기쁨 나누고파”

▲팀원들과 기념사진을 촬영하고 있는 손윤익 팀장(가운데)

“동료들과 수상의 기쁨을 나누고 싶습니다. 이번 수상은 저 혼자만의 성과라기보다, 수많은 동료와 함께 고민하고 도전해 온 시간에 대한 값진 결실이라고 생각합니다. 특히, 한계에 부딪힐 때마다 함께 머리를 맞대고 해결책을 찾아갔던 순간들이 떠오릅니다. 앞으로도 ‘원팀 스피릿’으로 똘똘 뭉쳐 국가 산업 발전을 이끌 기술 혁신을 이어가겠습니다.”

손 팀장은 성과를 함께 이룬 동료들에게 먼저 감사를 전하며, ‘원팀 스피릿’이야말로 지금의 기술 경쟁력을 가능케 한 핵심 가치였다고 말했다.

“LPDDR과 HBM은 단순히 성능만 높인다고 되는 것이 아니라, 저전력, 신뢰성, 양산성까지 동시에 확보해야 했던 어려운 도전이었습니다. 각 조직이 SUPEX*를 추구하며 각자의 전문 영역에서 최선을 다했고, 서로를 이해하고 협력한 덕분에 지금의 AI 메모리 리더십을 유지할 수 있었습니다.”

* SUPEX(Super Excellent Level): SK 경영철학인 SKMS에서 말하는 인간의 능력으로 도달할 수 있는 최고 수준

완전히 새로운 접근… “기술 혁신 위해선 ‘패러다임 전환’ 필요해”

손 팀장의 여정에서 가장 상징적인 성과는 D램에 HKMG 공정을 성공적으로 적용한 일이다. 본래 HKMG 공정은 CPU나 AP와 같은 로직(Logic) 반도체에 적용됐던 공정으로 D램 제조에 적용하기에는 많은 제약이 있어, 그동안은 시도되지 않았다. 그러나 손 팀장은 기술 혁신을 위해 과감히 도전했고, 결과적으로 제품의 성능과 전력 효율을 획기적으로 개선하는 데 성공했다.

“D램에 HKMG를 도입한다는 것은 단순한 기술 확장이 아닌, 패러다임 전환이었습니다. 셀(Cell) 트랜지스터에 미치는 영향을 최소화하면서도 HKMG의 단점인 GIDL*과 신뢰성 문제를 극복해야 했습니다. 새로운 시도를 두려워하지 않고 도전한 덕분에 결국 최고의 경쟁력을 확보할 수 있었습니다.”

* GIDL(Gate-Induced Drain Leakage): 게이트 전극에 인가된 전압이 드레인과 소스 영역에 예기치 않은 누설 전류(Leakage Current)를 유발하는 현상으로 트랜지스터가 꺼진(off) 상태임에도 불구하고, 게이트 전압 때문에 드레인-소스 간에 전류가 흐르는 현상을 의미한다.

손 팀장이 이룬 또 다른 주목할 만한 성과는 그동안 꾸준히 연구·개발해 온 Peri 영역의 소자 기술들이다. 해당 기술들은 AI 메모리 반도체의 시장의 핵심 제품인 HBM의 성능 개선에도 크게 이바지하며, SK하이닉스 반도체 제품 전반에 걸친 혁신을 이뤄냈다.

“최근 AI에 사용되는 고성능 D램은 초고속, 초저전력 특성이 필수인데, 이를 만족하기 위해선 Peri 영역의 성능이 중요한 역할을 합니다. 방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 메모리의 경우, 데이터가 다니는 입구와 출구 역할을 하는 Peri 영역의 성능이 뒷받침되지 않는다면, 결국 병목현상이 발생할 수밖에 없고, 제품 자체의 성능 향상도 기대할 수 없기 때문입니다.”

이러한 기술적 과제를 해결하기 위해 손 팀장은 Peri 영역에 대한 집요한 탐구를 이어왔다. 그는 팀원들과 함께 끊임없이 토론하고 연구하며, 때로는 새로운 기술을 고안해 내고, 때로는 과거에 연구되었던 기술을 다시 꺼내어 재해석했다. 이를 통해 축적된 경험과 성과들은 오늘날 SK하이닉스가 자랑하는 ‘Peri 기술력’의 기반이 됐다.

“엔지니어, ‘기술에 대한 믿음’과 ‘실패를 견디는 끈기’가 중요해”

이번 수상을 통해 국가의 산업을 이끌어가는 엔지니어로 인정받은 만큼, 손 팀장에게서 엔지니어로서 자부심도 엿볼 수 있었다.

“엔지니어는 기술을 통해 세상의 문제를 해결하는 사람들입니다. 여러 제약 속에서도 새로운 가능성을 찾아내고 실현하는 것이 엔지니어의 본질이죠. 미래 엔지니어들에게는 ‘기술에 대한 믿음’과 ‘실패를 견디는 끈기’를 꼭 당부하고 싶습니다. 자신이 만든 기술이 세상을 바꿀 수 있다는 확신을 갖고, 패기를 실천하길 바랍니다.”

마지막으로 손 팀장은 격변의 시기를 함께하는 SK하이닉스 구성원들에 향한 당부의 말도 빼놓지 않았다.

“우리는 지금 AI 시대로 전환하는 중대한 시점에 있습니다. 기술은 결국 사람이 만드는 것이며, 구성원 개개인의 열정과 집중력, 협업이 가장 큰 경쟁력입니다. 기술의 깊이만큼, 동료와의 신뢰와 협업의 깊이도 중요합니다. 함께 배우고 실패하며 성장하는, 진정한 원팀이 되었으면 좋겠습니다.”

]]> /ai-memory-show/ Mon, 16 Jun 2025 05:21:13 +0000 /?p=49954 AI MEMORY SHOW: Chapter.1

“HBM3E, HBM4, CMM-DDR5… 등 SK하이닉스의 대표 메모리들이 최초로 런웨이를 걷다.”

모델, 배경, 음악까지 모두 AI로 제작된 풀 디지털 패션쇼의 비하인드 스토리가 궁금하다면?

 

자세한 내용은 SK하이닉스 뉴스룸에서 확인하세요.

]]> /ai-in-your-area-8/ Mon, 16 Jun 2025 00:00:34 +0000 /?p=48613

*본 영상은 생성형 AI로 제작되었으며,
실제 제품과 크기 및 형태가 다를 수 있습니다.

영상 보기

영상 보기

*SK하이닉스 공식 인스타그램 / 유튜브에서 AI MEMORY SHOW를 확인할 수 있습니다.

“HBM3E, HBM4, CMM-DDR5… 등 SK하이닉스의 대표 메모리들이 최초로 런웨이를 걷다.”

EP. 8AI로 만든 최초의 AI MEMORY SHOW

가장 생생한 AI 체험기

모든 일상에 AI가 스며드는 시대 –
SK하이닉스 뉴스룸이 생성형 AI를 직접 사용하고
AI의 가능성과 변화할 미래 모습을 탐구합니다

*본 이미지 클릭 시 각 메모리 제품을 확인할 수 있습니다.

CMM-DDR5

CXL* 기술을 적용한
DDR5 기반 메모리 모듈
*CXL: 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스

CMM-Ax

연산 기능을 탑재한
CXL 기반 메모리 설루션

AiMX

GDDR6-AiM을 여러 개 탑재해
LLM에 특화된 가속기 카드

SOCAMM

저전력 D램 기반의
AI 서버 특화 메모리 모듈

HBM3E

여러 개의 D램을 수직으로 연결해
데이터 처리 속도를 혁신적으로
끌어올린 고성능 제품

HBM4

AI 메모리가 갖춰야 할
세계 최고 수준의 속도와
용량 구현. 초당 2TB 이상의 데이터 처리
HBM 12단 기준 최고 용량인 36GB 구현

DDR5 RDIMM(1cnm)

차세대 미세화 공정이 적용된 서버용 D램 모듈

ZUFS 4.0

온디바이스 AI용
차세대 모바일 낸드 설루션

LPCAMM2

AI PC용 고성능 메모리 모듈

PCB01

온디바이스 AI PC에 최적화된
고성능 SSD

Mission

AI로 패션쇼 제작하기

기술이 점점 복잡해질수록, 더 많은 사람에게 친근하게 다가가기 위한
‘설명 이상의 경험’이 중요해진다.
이에 뉴스룸은 자사의 첨단 AI 메모리 기술을 감각적으로 풀어낸
‘AI MEMORY SHOW’를 기획했다.

How To Make It

AI 메모리가 런웨이를 걷는다

STEP. 1

AI 모델 제작

다양한 AI 모델을 구현하기 위해, 인물의 특징을 반영한 프롬프트를 설계하고,
눈빛, 모공, 피부톤 등 세부적인 키워드를 활용해
실제 모델처럼 느껴지도록 이미지를 추출했다.

STEP. 2

인물, 배경, 제품을 통합한 AI 무빙

새로운 AI 툴을 활용해, 모델 이미지, 런웨이 배경, 메모리 제품을
각각 삽입한 후 동시에 움직이게 하는 방식으로 연출했으며,
이전과 달리 이 세 요소를 통합 제작하는 효율적인 무빙 연출이 가능해졌다.
AI 모델의 워킹 장면도
실제 모델의 움직임처럼 보이도록 프롬프트를 정교화했다.

Key Point One!

특히 AI 동영상 제작 프로그램의 이미지를
영상으로 전환해주는 기능을 사용했다.
이 기능은 서로 다른 이미지들을 개별 요소로 설정하고,
하나의 프레임 안에서 자연스럽게 움직이도록 해준다.

DDR5 RDIMM(1cnm)

LPCAMM2

STEP. 3

다양한 AI 툴을 활용한 정교화

실사 모델 컨셉과 자연스러운 무빙을 표현하기 위해
다양한 AI 프로그램을 활용했다.
무빙 영상을 생성한 뒤 다시 이미지로 추출하거나,
반대로 이미지에서 무빙을 재합성하는 등 반복작업을 진행했다.

Key Point Two!

STEP. 2에서 추출한 클로즈업 영상을
GPT 기반 이미지-to-프롬프트 기능으로 장면을 텍스트화했다.
이렇게 생성된 프롬프트를 활용하면,
기존의 정적인 영상 장면을 바탕으로 —예를 들어 제품을 멀리서 들고 런웨이를 걷는 듯한— 새로운 무빙 영상으로 재구성할 수 있다.
하나의 고정 장면을 다양한 시퀀스로 확장해,
복잡한 촬영이나 합성 없이도 다각도 연출이 가능해진 것이 핵심이다.

이미지를 바탕으로 추출할 수 있는 무빙에 최적화된 프롬프트입니다.

Prompt:

A white humanoid robot stands still in a bright futuristic hallway.
It holds a sleek,
square memory product labeled “SK hynix HBM4”
with both hands at chest level.
The robot subtly tilts the product forward to
emphasize the front label, then slowly
rotates the product 180 degrees
horizontally (left-to-right) to reveal the yellow
circuit-detailed back side. …

STEP. 4

AI 음원으로 패션쇼 현장 분위기 조성

AI MEMORY SHOW의 분위기를 완성하기 위해
다양한 프롬프트를 입력해 BGM을 추출했다.
패션쇼의 세련된 분위기를 표현하기 위한
감각적인 음악 선택도 중요한 제작 과정 중 하나였다.

Epilogue

AI와 기술이 걷는 미래

이번 ‘AI MEMORY SHOW’는 단순한 영상 제작을 넘어,
AI 기술과 반도체 제품을 결합해 SK하이닉스의 브랜드 메시지를 새롭게 전달하려는 시도였다.

기존 패션쇼 방식에서 벗어나 모델, 배경, 제품, 음악 등
모든 요소를 AI로 설계하고 통합하며,
점점 정교해지는 AI 기술을 도구에 그치지 않고 창작 과정 전반에 감각적으로 접목시키는 방법을 실험했다.
SK하이닉스의 메모리는 고도화된 AI 환경에서 대용량 데이터를 처리하고 안정적으로 저장하는 핵심 기술로서,
창작에 필요한 기술적 토대를 제공하고 있다.

앞으로도 AI를 주도적으로 이해하고 활용하며,
누구나 기술을 보다 쉽고 직관적으로 받아들일 수 있도록
시각 중심의 콘텐츠 실험을 계속 이어 나갈 예정이다.

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